如图所示,磁感应强度大小为B=0. 15 T,方向垂直纸面向里的匀强磁场分布在半径R=0.10 m的圆形区域内,圆的左端跟y轴相切于直角坐标系原点O,右端跟荧光屏MN相切于x轴上的A点。置于原点O的粒子源可沿x轴正方向射出速度
= 3. 0
m/s的带正电粒子流,粒子重力不计,比荷为
= 1. 0
C/kg。现以过O点并垂直于纸面的直线为轴,将圆形磁场逆时针缓慢旋转
,求此过程中粒子打在荧光屏上的范围。
当
由
变化到
的过程中,
逐渐增大,s也逐渐增大;当
由
变化到
的过程中,
逐渐减小至零,s也逐渐减小至零.故粒子打在荧光屏上的范围s为0~0. 15 m。
设粒子在磁场中沿OB弧做匀速圆周运动的半径为r,由牛顿第二定律得
0.20 m
如图所示,当圆的直径OD转动到与x轴的夹角为
时,粒子从圆形磁场中的B点射出,粒子在磁场中的偏角为
,打在荧光屏上的点到x轴的距离为s,由几何知识得
![]()
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联立解得![]()
代入数据并化简得
m
故
最大时,s最大。如图,当D点与出射点B重合时,
最大。由几何知识
,得![]()
求得粒子打在荧光屏上最远点到x轴的距离为
,此时![]()
当
由
变化到
的过程中,
逐渐增大,s也逐渐增大;当
由
变化到
的过程中,
逐渐减小至零,s也逐渐减小至零.故粒子打在荧光屏上的范围s为0~0. 15 m。
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| 2tgθ | 1-tg2θ |
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A、是N型半导体,n=
| ||
B、是P型半导体,n=
| ||
C、是N型半导体,n=
| ||
D、是P型半导体,n=
|
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