分析 (1)硅是14号元素,根据原子核外电子排布规律可以写出电子排布式;
(2)硅烷的组成、结构与相应的烷烃相似,所以硅烷中硅采取sp3杂化方式;分子晶体的沸点高低取决于分子间作用力,而分子间作用力与相对分子质量的大小有关,据此答题;
(3)砷、硒、溴三种元素都是第4周期非金属元素,同一周期元素自左而右电负性呈增大趋势,故电负性Br>Se>As,据此答题;
(4)气态SeO3分子中中心原子的价层电子对数可以判断分子构型;根据等电子体要求原子总数相同,价电子数相同来确定;
(5)利用均摊法计算两种金属原子个数之比,根据ρ=$\frac{m}{V}$计算.
解答 解:(1)硅是14号元素,根据原子核外电子排布规律可以写出电子排布式为:1s22s22p63s23p2,故答案为:1s22s22p63s23p2;
(2)硅烷的组成、结构与相应的烷烃相似,所以硅烷中硅采取sp3杂化方式;分子晶体的沸点高低取决于分子间作用力,而分子间作用力与相对分子质量的大小有关,硅烷的相对分子质量越大,分子间范德华力越强,故答案为:sp3;硅烷的相对分子质量越大,分子间范德华力越强;
(3)砷、硒、溴三种元素都是第4周期非金属元素,同一周期元素自左而右电负性呈增大趋势,故电负性As<Se<Br,故答案为:As<Se<Br;
(4)气态SeO3分子中中心原子的价层电子对数为$\frac{6+0}{2}$=3,无孤电子对,所以分子构型为平面三角形,又等电子体要求原子总数相同,价电子数相同,所以与SeO3互为等电子体的一种离子为CO32-或NO3-;故答案为:平面三角形;CO32-或NO3-;
(5)在晶胞中,Au原子位于顶点,Cu原子位于面心,该晶胞中Au原子个数=8×$\frac{1}{8}$=1,Cu原子个数=6×$\frac{1}{2}$=3,所以该合金中Au原子与Cu原子个数之比=1:3,
晶胞体积V=(a×10-10cm)3,每个晶胞中铜原子个数是3、Au原子个数是1,则ρ=$\frac{\frac{197+64×3}{{N}_{A}}}{(a×1{0}^{-10})^{3}}$g•cm-3,
故答案为:1:3;$\frac{\frac{197+64×3}{{N}_{A}}}{(a×1{0}^{-10})^{3}}$.
点评 本题主要考查了核外电子排布、第一电离能、分子空间构型、杂化方式、晶胞密度的计算,难度中等,解题时要注意对基本知识的灵活运用.
科目:高中化学 来源: 题型:选择题
| A. | B与A只能组成BA3化合物 | |
| B. | C、D、E形成的化合物与稀硫酸可能发生氧化还原反应 | |
| C. | A、B、C形成的化合物一定不能发生水解 | |
| D. | E的氧化物一定有强的氧化性 |
查看答案和解析>>
科目:高中化学 来源:2017届江苏省如皋市高三上学期质量调研一化学试卷(解析版) 题型:填空题
A、B、C、D、E、F六种元素均位于周期表的前四周期,且原子序数依次增大。元素A是原子半径最小的元素;B元素基态原子的核外电子分占四个原子轨道(能级);D元素原子的已成对电子总数是未成对电子总数的3倍;E与D处于同一主族;F位于ds区,且原子的最外层只有1个电子。
(1)E+离子的电子排布式是 。
(2)B、C、D元素的第一电离能由大到小的顺序是 。
(3)B、C元素的某些氢化物的分子中均含有18个电子,则B的这种氢化物的化学式是 ;B、C的这些氢化物的沸点相差较大的主要原因是 。
(4)A、B、D可形成分子式为A2BD的某化合物,则该化合物分子中B原子的轨道杂化类型是 ;1 mol该分子中含有π键的数目是 。
![]()
(5)C、E两元素形成的某化合物的晶胞结构如图所示,则该化合物的化学式是 ,C原子的配位数是 。
查看答案和解析>>
科目:高中化学 来源: 题型:填空题
查看答案和解析>>
科目:高中化学 来源: 题型:多选题
| A. | 与同族硅元素类似,锗、锡、铅都可用做半导体材料 | |
| B. | 锗与盐酸可能不反应,锡、铅能与盐酸反应 | |
| C. | 锗、锡、铅的+4价氢氧化物的碱性由弱到强的顺序为:Ge(OH)4<Sn(OH)4<Pb(OH)4 | |
| D. | 锗、锡、铅的金属性依次减弱 |
查看答案和解析>>
科目:高中化学 来源: 题型:选择题
| A. | Cu是氧化剂 | B. | H2SO4在反应中只表现氧化性 | ||
| C. | Cu在反应中被氧化 | D. | 1mol氧化剂在反应中得到1mol电子 |
查看答案和解析>>
科目:高中化学 来源: 题型:解答题
查看答案和解析>>
科目:高中化学 来源: 题型:推断题
查看答案和解析>>
湖北省互联网违法和不良信息举报平台 | 网上有害信息举报专区 | 电信诈骗举报专区 | 涉历史虚无主义有害信息举报专区 | 涉企侵权举报专区
违法和不良信息举报电话:027-86699610 举报邮箱:58377363@163.com