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(2011?安徽)W、X、Y、Z是四种常见的短周期元素,其原子半径随原子序数变化如下图所示.已知W的一种核素的质量数为18,中子数为10;X和Ne原子的核外电子数相差1;Y的单质是一种常见的半导体材料;Z的电负性在同周期主族元素中最大.
(1)X位于元素周期表中第
 周期第
ⅠA
ⅠA
 族;W的基态原子核外有
2
2
 个未成对电子.
(2)X的单质和Y的单质相比,熔点较高的是
Si
Si
(写化学式);Z的气态氢化物和溴化氢相比,较稳定的是
HCl
HCl
 (写化学式).
(3)Y与Z形成的化合物和足量水反应,生成一种弱酸和一种强酸,该反应的化学方程式是
SiCl4+3H2O═H2SiO3+4HCl
SiCl4+3H2O═H2SiO3+4HCl

(4)在25°C、101kPa下,已知Y的气态化物在氧气中完全燃烧后恢复至原状态,平均每转移1mol 电子放热190.0kJ,该反应的热化学方程式是
SiH4(g)+2O2(g)
 点燃 
.
 
SiO2(s)+2H2O(l)△H=-1520kJ/mol
SiH4(g)+2O2(g)
 点燃 
.
 
SiO2(s)+2H2O(l)△H=-1520kJ/mol
分析:根据W的一种核素的质量数为18,中子数为10,则W的质子数为8,即W为氧元素;X和Ne原子的核外电子数相差1,则X为钠或氟,又由图可知X的原子半径比氧原子的半径大,则X为钠;
再利用Y的单质是一种常见的半导体材料,Z的电负性在同周期主族元素中最大及原子半径X>Y>Z来推断元素,然后利用元素的位置、原子的原子结构、化合物的结构和性质、气态氢化物燃烧时的能量书写热化学方程式来解答即可.
解答:解:由信息及质子数+中子数=质量数,则W的质子数为18-10=8,则W为氧元素;由X和Ne原子的核外电子数相差1及X的原子半径比氧原子的半径大,则X为钠元素;
Y的单质是一种常见的半导体材料,Y为短周期元素,则Y为硅元素;Z的电负性在同周期主族元素中最大及原子半径X>Y>Z,则Z为氯元素;
(1)X为钠元素,位于周期表中第三周期第ⅠA族,W为氧元素,则基态原子核外电子排布为1S22S22P4,P能级有三个轨道,由洪特规则和泡利原理可知P轨道上只有2个未成对电子,
故答案为:三;ⅠA;2;
(2)因钠单质为金属晶体,而硅单质为原子晶体,则熔点较高的是Si,因HCl中键长比HBr中键长短,键长越短越稳定,则HCl稳定,故答案为:Si;HCl;
(3)Y与Z形成的化合物为SiCl4,与足量水反应生成一种弱酸和一种强酸,由元素守恒可知应生成H2SiO3和HCl,反应为SiCl4+3H2O═H2SiO3+4HCl,
故答案为:SiCl4+3H2O═H2SiO3+4HCl;
(4)Y的气态化物为SiH4,在氧气中完全燃烧后恢复至原状态,平均每转移1mol 电子放热190.0kJ,则1molSiH4燃烧转移8mol电子放热为190.0kJ×8=1520kJ,
则该反应的热化学方程式为SiH4(g)+2O2(g)
 点燃 
.
 
SiO2(s)+2H2O(l)△H=-1520kJ/mol,故答案为:SiH4(g)+2O2(g)
 点燃 
.
 
SiO2(s)+2H2O(l)△H=-1520kJ/mol.
点评:本题考查位置、结构、性质的应用,学会寻找元素推断的突破口是解答的关键,并应熟悉元素化合物的性质、原子结构、热化学反应方程式的书写方法来解答即可.
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