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    GaAs是一种半导体材料，Ga、As分别位于元素周期表的ⅢA族、ⅤA族。

    (1)Ga原子的最外层电子数是_____________,As元素的最高正价是_____________，最低负价是_____________。

    (2)ⅣA族中的C和Si也可形成与GaAs类似的化合物，该化合物也能用作半导体材料，预计其导电性比晶体硅_____________(填“强”或“弱”)，该化合物的化学式为_____________。

    (1)3  +5  -3  (2)弱  SiC

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    Ga和As在一定条件下可以合成GaAs，GaAs是一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越．多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等．
    （1）Ga在元素周期表的位置是
    第四周期第IIIA族
    第四周期第IIIA族
    ，As的原子结构示意图
    ．
    （2）Ga的原子核外电子排布式为：
    1s22s22p63s23p63d104s24p1
    1s22s22p63s23p63d104s24p1
    ．
    （3）GaCl3和AsF3的空间构型分别是：GaCl3
    平面三角形
    平面三角形
    ，AsF3
    三角锥形
    三角锥形
    ．
    （4）第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC，其结构跟金刚石相似，则SiC属于
    原子
    原子
    晶体，并写出其主要的物理性质
    硬度大、熔点高
    硬度大、熔点高
      （任2种）．
    （5）第一电离能：As
    ＞
    ＞
    Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
    （6）硫化锌的晶胞中（结构如图所示），硫离子的配位数是
    4
    4
    ．
    （7）二氧化硒分子的空间构型为
    V形
    V形
    ，写出它的1个等电子体的分子式
    O3（或SO2）
    O3（或SO2）
    ．

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    GaAs是一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越．Ga位于周期表的第ⅢA族，As位于周期表的第VA族．
    （1）Ga和As的核电荷数分别是
     
    ．
    （2）GaAs中Ga和As的化合价分别是
     
    ．
    （3）第IVA族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料，该化合物半导体材料的化学式可表示为
     
    ，C和Si原子之间形成
     
     键，在该化合物的晶体中，1个C原子与
     
    个Si原子相连．
    （4）写出能说明碳酸的酸性大于硅酸的酸性的离子反应方程式
     
    ．

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    科目：高中化学 来源：导学大课堂必修二化学人教版 人教版 题型：022

    GaAs是一种半导体材料，Ga、As分别位于元素周期表的ⅢA族、ⅤA族．

    (1)Ga原子的最外层电子数是________，As元素的最高正价是________，最低负价是________．

    (2)ⅣA族中的C和Si也可形成与GaAs类似的化合物，该化合物也能用作半导体材料，预计其导电性比晶体硅________(填“强”或“弱”)，该化合物的化学式为________．

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    科目：高中化学 来源：新课程模块教与练·高中化学必修2(苏教版) 苏教版 题型：022

    砷化镓(GaAs)是一种半导体材料，Ga、As位于元素周期表的ⅢA族、ⅤA族．

    (1)Ga原子、As原子最外层电子数分别是________、________．

    (2)GaAs中Ga、As的化合价分别是________、________．

    (3)ⅣA族中的C和Si也可以形成与GaAs类似的化合物，该化合物也能作为半导体材料．试推断该化合物的化学式为________．

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