Question

【题目】砷化镓（GaAs）是优良的半导体材料，可用于制作微型激光器或太阳能电池的材料等，氮、磷、砷位于同一主族，回答下列问题：

（1）写出基态As原子的核外电子排布式________________________。

（2）根据元素周期律，原子半径Ga As，第一电离能Ga As。（填“大于”或“小于”）

（3）氮原子的L层中有__________对成对电子，NH4+的立体构型是__________，其中心原子的杂化方式为__________；PCl3属于含有 键的 分子（填“极性”或“非极性”）。

Answer 1

【答案】（1）[Ar]3d104s24p3或1s22s22p63s23p63d104s24p3

（2）大于；小于（3）1；正四面体；sp3；极性；极性

【解析】

试题分析：（1）As是33号元素，则基态As原子的核外电子排布式为[Ar] 3d104s24p3或1s22s22p63s23p63d104s24p3；

（2）同周期自左向右原子半径逐渐减小，则原子半径Ga大于As；同周期自左向右第一电离能逐渐增大，则第一电离能Ga小于As。

（3）氮原子的核外电子排布式为1s22s22p3，则L层中有1对成对电子，NH4+中N元素含有的价层电子对数是4，且不存在孤对电子，所以其立体构型是正四面体型，其中心原子的杂化方式为sp3；PCl3是三角锥形结构，属于含有极性键的极性分子。