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    以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点。回答下列问题：

    （1）镓为元素周期表第31号元素，镓原子价层电子排布图为__________________。

    （2）氮所在主族中第一电离能最大的元素是___________（填元素符号，下同），镓所在主族中电负性最大的元素是_____________________。

    （3）传统的氮化镓制备方法是采用CaCl3与NH3在一定条件下反应，该反应的化学方程式为_________________。

    （4）氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构，氮化镓中氮原子与镓原子之间以__________相结合，氮化镓属于______________晶体。

    （5）下图是氮化镓的晶胞模型：

    ①氮化镓中镓原子的杂化方式为_______________，氮原子的配位数为__________________。

    ②氮化镓为立方晶胞，氮化镓的密度为。列出计算氮化镓晶胞边长a的表达式：a=_______cm。

     

    【答案】

    （1）

    （2）N????? B?

    （3）GaCl3＋NH3=GaN＋3HCl

    （4）共价键???? 原子

    （5）①sp3 ???? 4????? ②

     

    【解析】

    试题分析：（1）镓为元素周期表第31号元素，在元素周期表中的位置是位于第四周期第ⅢA。镓原子价层电子排布图为。（2）氮在第ⅤA.在第ⅤA的元素中，由于N原子半径最小，原子核外的最外层电子处于半充满的稳定状态。所以其第一电离能最大。镓在元素周期表第ⅢA。该主族中元素中电负性最大的元素是原子半径最小的B元素。（3）用CaCl3与NH3在一定条件下反应制备氮化镓，根据质量守恒定律可得该反应的化学方程式为GaCl3＋NH3=GaN＋3HCl。? （4）氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构，金刚石的C原子之间以共价键结合，是原子晶体。所以氮化镓中氮原子与镓原子之间以共价键相结合，氮化镓属于原子晶体。（5） ①每个镓与4个N形成共价键，这四个N构成正四面体结构。每个N与4个Ga形成共价键，这四个Ga构成正四面体结构。所以氮化镓中镓原子的杂化方式为sp3。氮原子的配位数为4. ②在每个晶胞中含有Ga：8×1/8+1=2,含有N：4×1/4+1=2.即每个晶胞中含有2个GaN。氮化镓晶胞边长a。则，所以整理得：。

    考点：考查原子价层电子排布图、电离能、电负性、晶体结构、晶体的边长、化学方程式的书写等知识。

     

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    （1）镓的基态原子的电子排布式是
     
    ．
    （2）N、P、S三种元素的第一电离能的大小顺序是
     
    ．
    （3）N、P、As处于同一主族，其氢化物中NH3的沸点却最高，主要原因是
     
    ．
    （4）与NO3-离子互为等电子体的分子为
     
    （任写一种）．
    （5）GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似．GaN的晶胞结构如图所示，其中与同一个Ga原子（黑色球）相连的N原子构成的空间构型为
     
    ．N原子的杂化方式为
     
    ．

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    以氮化镓（GaN）、碳化硅、金刚石等为代表的第三代半导体材料具有高发光效率、抗腐蚀、化学稳定性好、高强度等特性，是目前最先进的半导体材料．完成下列填空：
    （1）组成上述三种半导体材料的各种元素中，原子半径最小的元素在周期表中的位置是
     
    ．原子序数最小的元素原子原子结构简图是
     
    ．
    （2）镓元素的相对原子质量为69.72，自然界中的镓共有两种稳定的同位素，其中69Ga的原子个数百分含量为60.1%，则另一种镓的同位素可表示为
     
    ．
    （3）镓、铝为同族元素，性质相似．下表是两种两性氢氧化物的电离常数．
    两性氢氧化物 Al（OH）3 Ga（OH）3
    酸式电离常数Kia 2×10-11 1×10-7
    碱式电离常数Kib 1.3×10-33 1.4×10-34
    ①写出氢氧化镓的电离方程式：
     
    ．
    ②将一块镓铝合金完全溶于烧碱溶液，再往反应后的溶液中缓缓通入CO2，最先析出的氢氧化物是
     
    ．

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