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(2010?扬州模拟)多晶硅(硅单质的一种)被称为“微电子大厦的基石”,制备中副产物以SiCl4为主,它对环境污染很大,能遇水强烈水解,放出大量的热.研究人员利用SiCl4水解生成的盐酸和钡矿粉(主要成份为BaCO3,且含有钙、铁、镁等离子)制备BaCl2?2H2O,工艺流程如下.已知常温下Fe3+、Mg2+完全沉淀的pH分别是:3.4、12.4. 
  
(1)SiCl4水解控制在40℃以下的原因是
防止HCl挥发污染环境或控制SiCl4的水解速率,防止反应过于剧烈
防止HCl挥发污染环境或控制SiCl4的水解速率,防止反应过于剧烈

已知:SiCl4(s)+H2(g)=SiHCl3(s)+HCl(g)△H1=+47kJ/mol;SiHCl3(s)+H2(g)=Si(s)+3HCl(g)△H2=+189kJ/mol
则由SiCl4制备硅的热化学方程式为
SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)△H=+236kJ/mol
SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)△H=+236kJ/mol

(2)加钡矿粉时生成BaCl2的离子反应方程式是
BaCO3+2H+=Ba2++CO2+H2O↑
BaCO3+2H+=Ba2++CO2+H2O↑

(3)加20% NaOH调节pH=12.5,得到滤渣A的主要成分是
Mg(OH)2、Ca(OH)2
Mg(OH)2、Ca(OH)2
,控制温度70℃的目的是
确保钙离子完全除去(或温度越高,Ca(OH)2溶解度越小)
确保钙离子完全除去(或温度越高,Ca(OH)2溶解度越小)

(4)BaCl2滤液经蒸发浓缩、降温结晶、过滤,再经真空干燥后得到?2H2O.实验室中蒸发浓缩用到的含硅酸盐的仪器有
3
3
种.
(5)为体现该工艺的绿色化学思想,该工艺中能循环利用的物质是
BaCl2溶液
BaCl2溶液
分析:(1)氯化硅水解生成原硅酸和氯化氢;温度越高,氯化硅的水解速率越大,氯化氢的挥发越强;将两个方程式相加即得则由SiCl4制备硅的热化学方程式,注意焓变进行相应的改变;
(2)钡矿粉时生成BaCl2是碳酸钡溶解于酸中反应生成;
(3)根据氢氧化铁和氢氧化镁完全沉淀所需溶液的PH值,氢氧化钙溶解度随温度升高减小确定滤渣A的成分;温度是为了除去钙离子;
(4)蒸发浓缩用到的含硅酸盐的仪器为玻璃仪器;根据从溶液中析出固体的方法分析解答.
(5)循环利用是过程中生成的物质可以再用在制备流程中的原料.
解答:解:(1)氯化硅水解生成原硅酸和氯化氢,水解方程式为SiCl4+4H2O=H4SiO4↓+4HCl,温度高时,氯化硅的水解速率增大,氯化氢的挥发增强,且氯化氢能污染环境,温度较低时,能防止HCl挥发污染环境或控制SiCl4的水解速率,防止反应过于剧烈,
由盖斯定律可知:将方程式SiCl4(s)+H2(g)=SiHCl3(s)+HCl(g)△H1=+47kJ/mol和SiHCl3(s)+H2(g)=Si(s)+3HCl(g)△H2=+189kJ/mol相加得SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)△H=+236kJ/mol,
故答案为:防止HCl挥发污染环境或控制SiCl4的水解速率,防止反应过于剧烈;SiCl4(s)+2H2(g)=Si(s)+4HCl(g)△H=+236kJ/mol;
(2)碳酸钡和盐酸反应生成氯化钡,反应的两种方程式为:BaCO3+2H+=Ba2++CO2+H2O↑,故答案为:BaCO3+2H+=Ba2++CO2+H2O↑;
(3)当pH=3.4时,铁离子完全生成沉淀,当pH=12.4时,镁离子完全沉淀生成氢氧化镁,Mg(OH)2,所以当pH=12.5时,滤渣A的成分是氢氧化镁,氢氧化钙;控制温度70℃的目的是确保钙离子完全除去,故答案为:Mg(OH)2,Ca(OH)2;确保钙离子完全除去(或温度越高,Ca(OH)2溶解度越小);
(4)从溶液中制取固体的方法是:蒸发浓缩→冷却结晶→过滤→洗涤,实验室中蒸发浓缩用到的含硅酸盐的仪器即为玻璃仪器,有蒸发皿、玻璃棒,酒精灯,故答案为:3;
(5)依据流程分析可知,该工艺中能循环利用的物质是BaCl2溶液,故答案为:BaCl2溶液.
点评:本题考查了物质制备流程分析判断,物质性质的应用,盐类水解、沉淀形成条件,杂质除去方法,试剂选择,离子方程式书写,盖斯定律应用,题目难度中等.
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(1)基态钛原子的核外电子排布式为
[Ar]3d24s2
[Ar]3d24s2

(2)TiCl4在常温下是一种无色液体,而FeCl3可用升华法提纯,则两种氯化物均属于
分子
分子
晶体.
(3)SO42-和 S2O82-(过二硫酸根)结构中,硫原子均位于由氧原子组成的四面体的中心,且所有原子的最外层电子均满足8电子结构.下列说法正确的是
B
B

A.SO42-中存在σ键和π键且与PO43-离子互为等电子体
B.S2O82-中存在非极性键且有强氧化性
C.S2O82-比SO42-稳定且两者的氧元素的化合价相同
(4)KCl与MgO的晶体结构跟NaCl的晶体结构相似,则KCl与MgO两者中熔点高的是
MgO
MgO
,原因是
均为离子晶体,而Mg2+与O2-半径和小于K+与Cl-半径和且MgO中阴阳离子所带电荷均比KCl中阴阳离子所带电荷多,故MgO晶格能比KCl大,熔点高
均为离子晶体,而Mg2+与O2-半径和小于K+与Cl-半径和且MgO中阴阳离子所带电荷均比KCl中阴阳离子所带电荷多,故MgO晶格能比KCl大,熔点高

(5)硫与氯可形成化合物SCl2,则该分子中硫原子的杂化方式为
sp3
sp3
,分子的空间构型为
V形(折线形)
V形(折线形)

(6)在一定条件下铁形成的晶体的基本结构单元如图1和图2所示,则图1和图2的结构中铁原子的配位数之比为
2:3
2:3

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