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碳化硅SiC的一种晶体具有类似金刚石的结构,其中C原子和Si原子的位置是交替的。在下列三种晶体①金刚石  ②晶体硅  ③碳化硅中,它们的熔点从高到低的顺序是 

A.①③②B.②③①C.③①②D.②①③

A

解析试题分析:三种晶体均属原子晶体,其熔点决定于它们的键长和键能,键长越短,键能越大,其熔点越高。由于碳原子半径小于硅原子半径,键长是:C-C 键< Si-C 键 < Si-Si 键。故选A。
考点:原子晶体的性质
点评:本题考查的是原子晶体的性质的相关知识,题目难度不大,掌握原子晶体中熔沸点的大小原子之间的共价键强度强弱是解题的关键。

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科目:高中化学 来源: 题型:

2004年9月3日英国《自然》杂志报道,碳化硅是已知最硬的物质之一,其单晶体可制作半导体材料。但正是由于它硬度高,熔化及锻制的过程相当费劲,而且制成的晶片容易产生瑕疵,如杂质、气泡等,这些物质会严重影响或削弱电流。因此,碳化硅一直无法被用来制造芯片。日本研究人员称,他们找到了锻制碳化硅晶体的新方法,使碳化硅晶片成本低、用途广、性能更可靠。下列有关碳化硅(SiC)的有关说法错误的是

A. 晶体硅和晶体碳化硅都是原子晶体

B. 碳化硅是一种新型的无机非金属材料

C. 碳化硅的熔点比晶体硅高

D. 制取碳化硅的反应:SiO2+3CSiC+2CO↑中,SiO2是氧化剂,C是还原剂

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