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    镓(Ga)、锗( Ge)、砷(As)、硒(Se)均为第四周期的元素，它们在高科技尖端科学特别是信息领域有着广泛的用途。已知砷化镓的晶胞结构如图。试回答下列问题：

    （1）下列说法不正确的是（选填序号）     。

    A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同

    B．第一电离能：Se >As> Ge> Ga

    C．镓、锗、砷、硒都属于p区元素

    D．半导体GaP、SiC与砷化镓为等电子体

    （2）砷化镓是将(CH3)3Ga和AsH3反应制备得到，该反应在700℃进行，反应的方程式为        ，AsH3空间形状为                 。  

    （3）Ge的核外电子排布式为              ，H2 Se中硒原子的杂化方式为             。

    （4）AsH3沸点比NH3低，其原因是：              。

     

    【答案】

    （1）AB     （2）(CH3)3Ga +AsH3  GaAs+ 3CH4    三角锥 

    （3）1s2p62s22p63s23p63d104s24p2  sp­3  （4）NH3分子间存在氢键

    【解析】

    试题分析：（1）A、NaCl晶胞中配位数是6，该晶胞中配位数是4，故晶胞结构不同，错误；B、第ⅥA族元素最外层电子排布为ns2np3，为半满的稳定结构，第一电离能大于相邻的同周期元素，错误；D、原子数相同，最外层电子总数相同，故为等电子体，正确。（2）AsH3为sp3杂化，有一对孤电子对，故为三角锥型；（4）NH3分子间存在氢键，溶沸点高。

    考点：考查物质结构中晶胞结构、等电子体、第一电离能、核外电子排布、杂化类型、熔沸点比较等内容。

     

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    镓(Ga)、锗(Ge)、砷(As)、硒(Se)均为第四周期的元素，它们在高科技尖端科学特别是信息领域有着广泛的用途。试回答下列问题：

    （1）基态锗原子的价电子排布式为_________________________________。

    （2）沸点:NH3________AsH3(填“＞”、“＜”或“＝”，原因是_____________________。

    （3）某砷的氧化物俗称“砒霜”，其分子结构如图所示，该化合物的分子式为_______,As原子采取__________杂化。

    （4）H2SeO4和H2SeO3是硒的两种含氧酸，请根据结构与性质的关系，解释H2SeO4比H2SeO3酸性强的原因________________________。

    （5）砷化镓可由(CH3)2Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为_________________；砷化镓的晶胞结构如下图所示，其晶胞边长为a pm，则每立方厘米该晶体中所含砷元素的质量为____________g(用NA表示阿伏加德罗常数的值）。

     

     

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