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    （10分）Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长、耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：

    （1）下列说法正确的是__________（填序号）

    A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同

    B．第一电离能 As>Ga

    C．电负性 As>Ga

    D．原子半径 As>Ga

    （2）砷化镓可由(CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为

    _____________________________________________________________；

    （3）AsH3空间形状为________________；

    已知（CH3）3Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；

    Ⅱ. 金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。

    （4）请解释金属铜能导电的原因                                               ，

     Cu2+的核外电子排布式为__________________________。

    （5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到的[Cu(NH3)4]SO4晶体中含有的化学键除了普通共价键外，还有             和              。

    （1）BC     （1分）

    （2）（CH3）3Ga + AsH3  GaAs + 3CH4 （2分）

    （3）三角锥、 sp2    （各1分）

    （4） 铜是金属晶体，由金属阳离子和自由电子构成，自由电子在外加电场的作用下可发生定向移动。（1分）

    ［Ar］3d9 或1s22s22p63s23p63d 9（2分）

    （5）离子键，配位键 （2分）

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    科目：高中化学 来源： 题型：

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    （1）下列说法正确的是
     
    （填序号）
    A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同 B．第一电离能 As＞Ga C．电负性 As＞Ga D．原子半径 As＞Ga
    （2）AsH3空间形状为
     
    ；已知（CH3）3Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为
     
    ；
    Ⅱ．金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业．
    （3）Cu2+的核外电子排布式为
     
    ．
    （4）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体，晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有
     
    和
     
    ．

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    科目：高中化学 来源： 题型：

    (15分)

    Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：

       （1）下列说法正确的是__________（填序号）

    A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同        B.第一电离能 As>Ga

    C.电负性 As>Ga                              D.原子半径 As>Ga

       （2）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为__________；

       （3）AsH3空间形状为___________；已知（CH3）3 Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；

    Ⅱ. 金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。

       （4）请解释金属铜能导电的原因                     ， Cu2+的核外电子排布式为__________________________。

       （5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有         和         。

     

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    科目：高中化学 来源：2011届吉林省长春市高三第二次模拟考试（理综）化学部分 题型：填空题

    (15分)
    Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：

    （1）下列说法正确的是__________（填序号）

    A．砷化镓晶胞结构与NaCl相同B．第一电离能 As>Ga
    C．电负性 As>GaD．原子半径 As>Ga
    （2）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为__________；
    （3）AsH3空间形状为___________；已知（CH3）3Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；
    Ⅱ.金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。
    （4）请解释金属铜能导电的原因                     ， Cu2+的核外电子排布式为__________________________。
    （5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有        和        。

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    科目：高中化学 来源：2013-2014学年湖北省八市高三三月联考理综化学试卷（解析版） 题型：填空题

    Ⅰ.铬位于第四周期ⅥB族，主要化合价+2，+3 ，+6，单质硬度大，耐腐蚀，是重要的合金材料。

    （1）基态铬原子的价电子排布图___________，CrO2Cl2常温下为深红色液体，能与CCl4、CS2等互溶，据此可判断CrO2Cl2是________(填“极性”或“非极性”)分子。

    （2）CrCl3·6H2O实际上是配合物，配位数为6，其固体有三种颜色，其中一种浅绿色固体与足量硝酸银反应时，1mol固体可生成2mol氯化银沉淀，则这种浅绿色固体中阳离子的化学式____________。

    Ⅱ.砷化镓为第三代半导体材料，晶胞结构如图所示，

    （3）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的化学方程式???? 为??????????? 。??

    （4）AsH3空间构型为 ??????????????????? 。

    已知(CH3)3Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式是_______。

    （5）砷化镓晶体中最近的砷和镓原子核间距为a cm，砷化镓的摩尔质量为b g/mol，阿伏伽德罗常数值为NA，则砷化镓晶体密度的表达式_________ g/cm3。

     

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    科目：高中化学 来源：2010-2011学年吉林省长春市高三第二次模拟考试（理综）化学部分 题型：填空题

    (15分)

    Ⅰ. 砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长.耗能少。已知砷化镓的晶胞结构如图所示。请回答下列问题：

       （1）下列说法正确的是__________（填序号）

    A.砷化镓晶胞结构与NaCl相同        B.第一电离能 As>Ga

    C.电负性 As>Ga                              D.原子半径 As>Ga

       （2）砷化镓可由（CH3）3Ga和AsH3在700℃下反应制得，反应的方程式为__________；

       （3）AsH3空间形状为___________；已知（CH3）3 Ga为非极性分子，则其中镓原子的杂化方式为____________；

    Ⅱ. 金属铜的导电性仅次于银，居金属中的第二位，大量用于电气工业。

       （4）请解释金属铜能导电的原因                      ， Cu2+的核外电子排布式为__________________________。

       （5）在硫酸铜溶液中通入过量的氨气，小心蒸发，最终得到深蓝色的[Cu（NH3）4]SO4晶体,晶体中含有的化学键除普通共价键外，还有         和         。

     

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