下列结论不正确的是A粒子半径:S＞S2-＞Cl-B氢化物沸点:H2O＞HF＞HClC结合质子能力:OH-＞SiO＞COD离子还原性:S2-＞I-＞Br- 题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

下列结论不正确的是
A粒子半径：S＞S²^－＞Cl^－
B氢化物沸点：H₂O＞HF＞HCl
C结合质子能力：OH^－＞SiO＞CO
D离子还原性：S²^－＞I^－＞Br^－

粒子半径S小于它的离子，A错；O、F元素的电负性较强，对应的氢化物含有氢键，由于水中氢键数目较多，且氢键作用力原大于分子间作用力，则有氢化物沸点：H₂O＞HF＞HCl，B正确；水显中性、酸性硅酸小于碳酸，因而结合质子能力C选项正确；非金属性越强，其阴离子的还原性越弱，D正确。

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科目：高中化学 来源：不详 题型：单选题

X和Y两种元素的核电荷数之和为22，X的原子核外电子数比Y的少6个。下列说法中不正确的是(　　)

A．X的单质固态时为分子晶体	B．Y的单质可以形成原子晶体
C．X与Y形成的化合物固态时为分子晶体	D．X与碳形成的化合物为分子晶体

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科目：高中化学 来源：不详 题型：填空题

（12分）【化学—物质结构与性质】
已知：G、Q、R、T、X、Y、Z都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数依次增大。G的简单阴离子最外层有2个电子，Q原子最外层电子数是内层电子数的两倍，X元素最外层电子数与最内层电子数相同；T₂R的晶体类型是离子晶体，Y原子基态3p原子轨道上有2个未成对电子，其单质晶体类型属于分子晶体；在元素周期表中Z元素位于第11列。
回答下列问题：
（1）Z⁺的核外外围电子排布式是_________________________________________________。
（2）X以及与X左右相邻的两种元素，其第一电离能由由大到小的顺序为____________(填元素符号)。
（3）Q元素最高价氧化物的水化物分子中，Q原子采取________杂化，写出与QR₂互为等电子体的一种分子的化学式：____________________。
（4）分子式为G₂R、G₂Y的两种物质中一种更稳定，原因是________________________；Q的氯化物、T的氯化物、X的氯化物的熔点由低到高的顺序是___（填化学式）。
（5）据报道，由Q、X、Z三种元素形成的一种晶体具有超导性，其晶体结构如下图所示。晶体中距每个X原子周围距离最近的Q原子有个

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科目：高中化学 来源：不详 题型：单选题

据报道，N₄是一种形似白磷的分子，¹⁸O₂是比黄金还贵重的物质。下列说法正确的是

A．¹⁸O₂与¹⁶O₂性质完全相同	B．N₄＝2N₂是化学变化
C．N₄和N₂互为同位素	D．¹⁸O₂中含18个中子

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科目：高中化学 来源：不详 题型：单选题

有M、X、Y、Z、W五种原子序数依次增大的短周期元素，其中M、Z同主族；X^＋与M²^－具有相同的电子层结构；离子半径：Z²^－＞W^－；Y的单质晶体熔点高、硬度大，是一种重要的半导体材料。下列说法正确的是

A．X、M两种元素形成的化合物只能存在离子键

B．元素Y、Z、W形成的单质中，每1 mol它们的单质均含有N_A个分子

C．由于W、Z、M元素的氢化物相对分子质量依次减小，所以其沸点依次降低

D．元素W和M的某些单质可作为水处理中的消毒剂

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科目：高中化学 来源：不详 题型：问答题

分）【化学选修
A-I为原子序数递增的前4周期的元素，已知A原子的最外层电子是次外层电子数的2倍，D为周期表中电负性最大的元素，F与C位于同一主族，E与G在周期表的位置是上下相连，两元素所在主族中所有元素都是金属，H为应用最广泛的金属；I处于周期表中的第二副族。请回答下列问题：（以下问题中的所有原子都必须在上述元素中寻找）
（1）B单质分子中

键数目比为____。B、C、D第一电离能由小到大的顺序为__________（填写元素符号）。
（2）H元素原子的价层电子排布式为____，H³^＋离
子可以与上述元素中的三种形成的某阴离子生成血红色
络合物；该阴离子又与A-I元素中的某些原子形成的分
子互为等电子体，这种分子的化学式为____（写一种即
可）．该阴离子空间构型为____。
（3）D与G可以形成下图的晶胞，则黑点表示的是元素____（填写元素符号），该元素原子在该晶胞中的配位数为____．

（4）若将上述晶胞圆圈对应的原子所在上下两层平面原子，按两条相互垂直的对角线上各去掉该原子2个（共去掉4个），并将小点和圆圈对应的原子更改为另外两种元素的原子，则这个晶胞化学式为____，若再将留下的所有原子换成另外一种新元素的原子，成为另外一种晶胞，该成键原子键角为；（5）已知，F单质晶体的原子堆积为ABAB型，那么，该晶体的空间利用率为____。如果F单质的摩尔质量为M，晶胞棱长为a，晶胞高度为c则，该晶体密度表达式为____。（阿伏加德罗常数用表示，不化简）如果F的原子半径为R，用R表示的晶胞高度为____。

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科目：高中化学 来源：不详 题型：填空题

【物质结构与性质】
以氮化镓(GaN)为代表的第三代半导体材料目前已成为全球半导体研究的前沿和热点。回答下列问题：
（1）镓为元素周期表第31号元素，镓原子价层电子排布图为___________。
（2）氮所在主族中第一电离能最大的元素是________（填元素符号，下同），镓所在主族中电负性最大的元素是____________________。
（3）传统的氮化镓制备方法是采用GaCl₃与NH₃在一定条件下反应，该反应的化学方程式为______________。
（4）氮化镓与金刚石具有相似的晶体结构，氮化镓中氮原子与镓原子之间以____相结合，氮化镓属于_______晶体。
（5）下图是氮化镓的晶胞模型：