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光滑绝缘水平面上存在竖直向下的匀强磁场B,宽度为2L,一边长为L、电阻为R.用同种材料做成的正方形线框以初速度v0从左侧冲进磁场区域,俯视图如图所示,当线框完全离开磁场时速度恰好为零.以ab边刚进人磁场时为时间和位移的零点,用v表示线框速度(以右为正方向),i表示回路中的感应电流(以逆时针方向为正,i0表示零时刻回路的感应电流),Uab表示a、b两点间的电压,Fab表示ab边所受的安培力(向左为正,F0表示零时刻ab边所受的安培力).则关于以上四个物理量对时间t或对位移x的图象中正确的(  )

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A.①③正确B.②④正确C.③④正确D.①②③④正确
线圈进入磁场到最后离开磁场,先做变减速运动,然后做匀速,最后接着做变减速,三段位移相同,则时间不可能相同.故①②都错.线圈刚进入磁场时速度为vo,则Uab=
3
4
E
=
3BLv0
4
,ab边所受安培力F0=
B2L2v0
R
,根据微元法计算,线框完全进入磁场的速度为
v0
2
Uab=
3BLv0
8
,ab边所受安培力变为
1
2
F0,在磁场中运动时,Uab=E=
1
2
BLv0
,电流为零,安培力为零.刚出磁场时Uab=
1
4
E
=
BLv0
8
,ab边虽然电流不为零,但所处的磁感应强度为零,所以安培力为零.进磁场和出磁场时,根据微元法分析a△t=
B2L2v
R
△t,即△v=
B2L2
R
△x,v与x成线性关系,所以Uab与x成线性关系,安培力与速度成正比,所以安培力也与x成线性关系.故A、B、D错误,C正确.
故选C.
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科目:高中物理 来源: 题型:

(2011?湖北二模)光滑绝缘水平面上存在竖直向下的匀强磁场B,宽度为2L,一边长为L、电阻为R、用同种材料做成的正方形线框以初速度v0从左侧冲进磁场区域,俯视图如图所示,当线框完全离开磁场时速度恰好为零.以ab边刚进入磁场时为时间和位移的零点,用v表示线框速度(以右为正方向),i表示回路中的感应电流(以逆时针方向为正,i0表示零时刻回路的感应电流),Uab表示a、b两点间的电压,Fab表示ab边所受的安培力(向左为正,F0表示零时刻ab边所受的安培力).则关于以上四个物理量对时间t或对位移x的图象中正确的是(  )

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科目:高中物理 来源: 题型:

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科目:高中物理 来源:2010-2011学年湖北省高三第二次联考理综)物理部分 题型:选择题

光滑绝缘水平面上存在竖直向下的匀强磁场B,宽度为2L,一边长为L、电阻为R.用同种材料做成的正方形线框以初速度v0从左侧冲进磁场区域,俯视图如图21 -(a)所示,当线框完全离开磁场时速度恰好为零.以ab边刚进入磁场时为时间和位移的零点,用v表示线框速度(以右为正方向),i表示回路中的感应电流(以逆时针方向为正,i0表示零时刻回路的感应电流),Uab表示a、b两点间的电压,Fab表示ab边所受的安培力(向左为正,F0表示零时刻ab边所受的安培力).则关于以上四个物理量对时间t或对位移x的图象中正确的是(    )

 

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科目:高中物理 来源:2010-2011学年河北省邢台市高三第一次模拟物理卷 题型:选择题

光滑绝缘水平面上存在竖直向下的匀强磁场B,宽度为2L,一边长为L、电阻为R,用同种材料做成的正方形线框以初速度v0从左侧冲进磁场区域,俯视图如图21(a)所示,当线框完全离开磁场时速度恰好为零,以ab边刚进入磁场时为时间和位移的零点,用v表示线框速度(以右为正方向),i表示回路中的感应电流(以逆时针方向为正,i0表示零时刻回路的感应电流),Uab表示a、b两点间的电势差,Fab表示ab边所受的安培力(向左为正,F0表示零时刻ab边所受的安培力)。则关于以上四个物理量的时间t或对位移x的图象中正确的是 (    )

 

 

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科目:高中物理 来源:2010-2011学年山东省诸城市高三2月月考(理综)物理部分 题型:选择题

光滑绝缘水平面上存在竖直向下的匀强磁场,宽度为2,一边长为、电阻为.用同种材料做成的正方形线框以初速度从左侧冲进磁场区域,俯视图如图所示,当线框完全离开磁场时速度恰好为零.以边刚进入磁场时为时间和位移的零点,用表示线框速度(以右为正方向),表示回路中的感应电流(以逆时针方向为正,表示零时刻回路的感应电流),表示两点间的电压,表示边所受的安培力(向左为正,表示零时刻边所受的安培力).则关于以上四个物理量对时间或对位移的图象中正确的是

 

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