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    如图，间距为L的平行金属导轨上有一电阻为r的金属棒ab与导轨接触良好.导轨一端连接电阻R，其它电阻不计，磁感应强度为B，金属棒ab以速度v向右作匀速运动，则（     ）

    A．回路中电流为逆时针方向
    B．电阻R两端的电压为BLv
    C．ab棒受到的安培力的方向向右
    D．ab棒中电流大小为

    A 

    解析试题分析：金属棒ab以速度v向右作匀速运动，由右手定则判定感应电流的方向由b→a，回路中电流为逆时针方向，再由左手定则判定出安培力的方向向左， A选项正确，C选项错误；利用导线切割式电动势公式和闭合欧姆定律，可求解ab两端的电压，故B、D选项错误。
    考点：左手定则和右手定则 导体切割磁感线时的感应电动势

    练习册系列答案
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    科目：高中物理 来源： 题型：单选题

    一足够长的铜管竖直放置，将一截面与铜管的内截面相同、质量为m的永久磁铁块由管上端口放人管内，不考虑磁铁与铜管间的摩擦，磁铁的运动速度可能是（ ）

    A．逐渐增大到定值后保持不变
    B．逐渐增大到一定值时又开始碱小．然后又越来越大
    C．逐渐增大到一定值时又开始减小，到一定值后保持不变
    D．逐渐增大到一定值时又开始减小到一定值之后在一定区间变动

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    科目：高中物理 来源： 题型：单选题

    如图4所示，金属杆ab以恒定的速率v在光滑平行导轨上向右滑行．设整个电路中总电阻为R（恒定不变），整个装置置于垂直纸面向里的匀强磁场中，下列叙述正确的是（）

    A．ab杆中的电流与速率v成正比
    B．磁场作用于ab杆的安培力与速率v成正比
    C．电阻R上产生的电热功率与速率v的平方成正比
    D．外力对ab杆做功的功率与速率v的平方成正比

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    科目：高中物理 来源： 题型：单选题

    如图，金属棒ab、cd与足够长的水平光滑金属导轨垂直且接触良好，匀强磁场竖直向下．ab棒在恒力F作用下向右运动的过程中，有

    F

     
    A．安培力对ab棒做正功

    B．安培力对cd棒做正功
    C．abdca回路的磁通量先增加后减少
    D．F做的功等于回路产生的总热量和系统动能增量之和

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    科目：高中物理 来源： 题型：单选题

    如图所示，电路中A、B是完全相同的灯泡，L是一带铁芯的线圈，线圈的电阻较小。开关S原来闭合，则开关S断开的瞬间   

    A．L中的电流方向改变，灯泡B立即熄灭
    B．L中的电流方向不变，灯泡B要过一会才熄灭
    C．L中的电流方向改变，灯泡A比B慢熄灭
    D．L中的电流方向不变，灯泡A比B慢熄灭

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    科目：高中物理 来源： 题型：单选题

    如图所示，在匀强磁场B中放一电阻不计的平行金属导轨，导轨跟固定的大导体矩形环M相连接，导轨上放一根金属导体棒ab并与导轨紧密接触，磁感线垂直于导轨所在平面．若导体棒匀速地向右做切割磁感线的运动，则在此过程中M所包围的固定闭合小矩形导体环N中电流表内(　　)

    A．有自下而上的恒定电流
    B．产生自上而下的恒定电流
    C．电流方向周期性变化
    D．没有感应电流

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    科目：高中物理 来源： 题型：单选题

    如图甲所示，两根电阻忽略不计的导轨平行放置，导轨左端接电阻R1，右端接小灯泡L，导体棒AB垂直于导轨放置，电阻R1、导体棒AB和小灯泡L的电阻均为R(不计灯泡电阻随温度的变化)，虚线MN右侧有垂直导轨平面的磁场，当导体棒AB从MN左侧某处匀速向右运动时开始计时，磁感应强度随时间变化如图乙所示，若导体棒AB从开始运动到穿越磁场的过程中，灯泡的亮度始终不变，则导体棒AB在穿越磁场前后电阻R1上消耗的功率之比是(　　)
    　

    A．1∶1 B．1∶2 C．1∶3 D．1∶4

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    科目：高中物理 来源： 题型：单选题

    如图所示，足够长的U型光滑金属导轨平面与水平面成θ角(0<θ<90°)，其中MN与PQ平行且间距为L，导轨平面与磁感应强度为B的匀强磁场垂直，导轨电阻不计．金属棒ab由静止开始沿导轨下滑，并与两导轨始终保持垂直且接触良好，ab棒接入电路的电阻为R，当流过ab棒某一横截面的电荷量为q时，ab棒的速度大小为v，则ab棒在这一过程中(　　)．

    A．运动的平均速度大小为v
    B．下滑的位移大小为
    C．产生的焦耳热为qBLv
    D．受到的最大安培力大小为sin θ

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    科目：高中物理 来源： 题型：单选题

    如图所示是测量通电螺线管内部磁感应强度的一种装置：把一个很小的测量线圈放在待测处（测量线圈平面与螺线管轴线垂直），将线圈与可以测量电荷量的冲击电流计G串联，当将双刀双掷开关K由位置1拨到位置2时，测得通过测量线圈的电荷量为q。已知测量线圈的匝数为N，截面积为S，测量线圈和G串联回路的总电阻为R。下列判断正确的是：

    A．在此过程中，穿过测量线圈的磁通量的变化量
    B．在此过程中，穿过测量线圈的磁通量的变化量
    C．待测处的磁感应强度的大小为
    D．待测处的磁感应强度的大小为

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