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【题目】如图所示,小球以60J的初动能从A点出发,沿粗糙斜面向上运动,从A经B到C,然后再下滑回到A点。已知从A到B点的过程中,小球动能减少了50J,机械能损失了10 J,则( )

A上升过程中合外力对小球做功-60J

B整个过程中,摩擦力对小球做功-20J

C下行过程中重力对小球做功48J

D回到A点小球的动能为40J

【答案】AC

【解析】

试题分析:据题意,小球从A到B过程中动能减少了50J,则有:,该过程中机械能损失了10J,则有:,说明在该过程中重力做功为:,所以有:;在B点还剩下10J机械能,则在BC过程中重力做功为:,摩擦力做功为:;所以在上升过程中合外力做的功为:,选项A正确;整个过程摩擦力做功为:,故选项B错误;下行过程重力做功等于上行过程重力做的功:,故选项C正确;小球回到A点的动能为:,故选项D错误。

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【题目】20176月,我国又成功发射一颗墨子号量子科学实验卫星,实现远距离光子纠缠,刷新世界纪录。墨子号的轨道低于地球同步卫星的轨道,关于墨子号科学实验卫星,下列说法中正确的是(

A. “墨子号科学实验卫星相对于地面是静止的

B. “墨子号科学实验卫星的轨道平面一定通过地球的球心

C. “墨子号科学实验卫星运行的线速度小于地球通讯卫星的线速度

D. “墨子号科学实验卫星运行的质量一定大于地球通讯卫星的质量

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【题目】如图,上下放置的两带电金属板,相距为,板间有竖直向下的匀强电场E.距上板l处有一带电的小球B,在B上方有带电的小球A,他们质量均为m,用长度为l的绝缘轻杆相连.已知.让两小球从静止释放,小球可以通过上板的小孔进入电场中(重力加速度为g).求:

1B球刚进入电场时的速度大小;

2A球刚进入电场时的速度大小;

3B球是否能碰到下金属板?如能,求刚碰到时的速度大小.如不能,请通过计算说明理由.

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【题目】摩天轮是的乐场一种大型转轮状设施,摩天轮边缘悬挂透明座舱,乘客随座舱在竖直平面内做匀速圆周运动,下列叙述正确的是

A. 摩天轮转动过程中,乘客的机械能保持不变

B. 原天轮物动一周的过程中,乘客所受合外力的冲量为零

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D. 摩天轮转动过程中,乘客所受的重力的瞬时功率保持不变

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【题目】如图(a)所示,面积S=0.2m2、匝数n=630匝,总电阻r=1.0Ω的线圈处在变化的磁场中,磁感应强度B随时间t按图(b)所示规律变化,方向垂直线圈平面,图(a)中的传感器可看成一个纯电阻R,并标有“3V0.9W”,滑动变阻器R0上标有“10Ω1A”,试回答下列问题:

1)设磁场垂直纸面向外为正方向,试判断通过理想电流表的电流方向.

2)若滑动变阻器触头置于最左端,为了保证电路的安全,图(b)中的t0最小值是多少?

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【题目】如图所示,两平行金属导轨间的距离L=0.4m,金属导轨所在的平面与水平面夹角θ=37°,在导轨所在平面内,分布着磁感应强度B=0.5T方向垂直于导轨所在平面向上的匀强磁场,金属导轨的一端接有电动势E=4.5V、内阻r=0.5Ω的直流电源,现把个质量m=0.04kg的导体棒ab放在金属导轨上,导体棒恰好静止。导体棒与金属导轨垂直、且接触良好,导体棒与金属导轨接触的两点间的电阻R=2.5Ω,金属导轨电阻不计,g10m/s2,已知sin37°=0.6cos37°=0.8,求:

1)通过导体棒的电流I的大小;

2)导体棒受到的安培力F的大小及方向;

3)导体棒受到的摩擦力f的大小及方向

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【题目】绝热气缸倒扣在水平地面上,缸内装有一电热丝,缸内有一光滑的绝热活塞,封闭一定质量的理想气体,活塞下吊着一重为G的重物,活塞重为G0,活塞的截面积为S,开始时封闭气柱的高为h,气体的温度为T1,大气压强为p0.现给电热丝缓慢加热,若气体吸收热量Q时,活塞下降了h,求:

①气体的温度升高多少;

②气体的内能增加多少?

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【题目】如图所示,折成不同形状的四个导线框质量相等、匝数相同,高度相同,MN边长度相等,将它们用相同的细线悬挂在空中,四个导线框的下边处在同一水平线上,且四个线框的下半部分都处在与线框平面垂直的同一匀强磁场中,磁场的上边界水平(如图中虚线所示),四个导线框中都通有顺时针方向、电流强度相同的电流,均处于平衡状态.若使磁场缓慢变强,细线最不易拉断的是(  )

A. B.

C. D.

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【题目】物体导电是由其中的自由电荷定向移动引起的,这些可以移动的自由电荷又叫载流子.金属导体的载流子是自由电子,现代广泛应用的半导体材料分为两大类:一类是N型半导体,它的载流子为电子;另一类是P型半导体,它的载流子为“空穴”,相当于带正电的粒子,如果把某种材料制成的长方体放在匀强磁场中,磁场方向如图所示,且与前后侧面垂直,长方体中通有方向水平向右的电流,设长方体的上下表面M、N的电势分别为φMφN,则下列判断中正确的是(

A. 如果是P型半导体,有φM>φN

B. 如果是N型半导体,有φM<φN

C. 如果是P型半导体,有φM<φN

D. 如果是金属导体,有φM<φN

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