在半导体离子注入工艺中.初速度可忽略的磷离子P+和P3+.经电压为U的电场加速后.垂直进入磁感应强度大小为B.方向垂直纸面向里.有一定宽度的匀强磁场区域.如图所示．已知离子P+在磁场中转过θ＝30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时.离子P+和P3+( )A. 在电场中的加速度之比为1∶1 B. 在磁场中运动的半径之比为C. 在磁场中转过� 题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

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在半导体离子注入工艺中，初速度可忽略的磷离子P＋和P3＋，经电压为U的电场加速后，垂直进入磁感应强度大小为B、方向垂直纸面向里、有一定宽度的匀强磁场区域，如图所示．已知离子P＋在磁场中转过θ＝30°后从磁场右边界射出．在电场和磁场中运动时，离子P＋和P3＋(　　)

A. 在电场中的加速度之比为1∶1 B. 在磁场中运动的半径之比为

C. 在磁场中转过的角度之比为1∶2 D. 离开电场区域时的动能之比为1∶3

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(1)求电场强度的大小和方向．

(2)要使粒子不从NS边界飞出，求粒子入射速度的最小值．

(3)若粒子能经过Q点从MT边界飞出，求粒子入射速度的所有可能值．

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