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    图甲中bad为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab,cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度的变化如图，PQ始终静止，在O～t s内，PQ受到的摩擦力的变化情况可能是
    A.f一直增大             B.f一直减小
    C.f先减小后增大         D.f先增大后减小

    AC
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    科目：高中物理 来源： 题型：

    如图甲中abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd垂直且接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感应强度B随时间变化规律如图乙所示，棒PQ始终静止，在时间0～t0内，棒PQ受到的静摩擦力的大小变化是（　　）

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    如图甲中abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感强度B随时间变化规律如图乙，PQ始终静止，在时间0～t内，PQ受到的摩擦力f的大小变化可能是（　　）

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    （2007?汕头模拟）如图甲中bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度的变化如图乙，PQ始终静止，在0-ts内，PQ受到的摩擦力的变化情况可能是（　　）

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    图甲中bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m，的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度随时间的变化如图乙，导体棒PQ始终静止，在0～t1时间内（　　）
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