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    在图24－3所示的电路中，C1＝200 pH，L1＝40 μH，L2＝160 μH，怎样才能使回路2与回路1发生电谐振？发生电谐振的频率是多少？

    图24－3

     

    【答案】

    改变可变电容器C2的电容，使得C2为50 pF　1.78 MHz

    【解析】由于谐振时两电路的固有频率相同。为使回路发生电谐振，可以改变可变电容器C2，使满足条件f2＝f1，即＝

    C2＝＝ pF＝50 pF。

    发生电谐振时的频率

    f＝＝1.78×106 Hz＝1.78 MHz。

    思路分析：根据LC振荡电路频率的计算公式，固有频率相同即可发生电谐振，解出电容器的电容和固有频率。

    试题点评：考查学生对电磁振荡电路的频率计算公式的掌握。

     

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    （2011?长宁区一模）发光晶体二极管是用电器上做指示灯用的一种电子元件．它的电路符号如图（甲）所示，正常使用时，带“+”号的一端接高电势，带“-”的一端接低电势．某同学用滑动变阻器改变阻值的方法用伏特表和毫安电流表测得二极管两端的电压UD和通过它的电流I的数据，并记录在下表中：
    UD/V 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.6 2.8 3.0
    I/mA 0 0.9 2.3 4.3 6.8 13.0 19.0 24.0 25.8 37.0
    要求：
    ①在图（乙）中的虚线内画出该同学的实验电路图；
    ②在图（丙）中的小方格纸上用描点法画出二极管的伏安特性曲线，并判断该二极管的电阻随所加电压的变化怎样变化；
    ③已知该发光二极管的最佳工作电压为2.5V，现用5V稳压电源供电，需要串联一个电阻R才能使二极管工作在最佳状态，试运用伏安特性曲线计算R的阻值（取整数）．

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    （2010?杨浦区一模）发光晶体二极管是用电器上做指示灯用的一种电子元件．它的电路符号如图（甲）所示，正常使用时，带“+”号的一端接高电势，带“-”的一端接低电势．某同学用实验的方法测得它两端的电压U和通过它的电流I的关系数据如表中所示．
    U/V 0 0.4 0.8 1.2 1.6 2.0 2.4 2.6 2.8 3.0
    I/mA 0 0.9 2.3 4.3 6.8 13.0 19.0 24.0 30.0 37.0

    ①在图（乙）中的虚线内画出该同学的实验电路图．（实验用电压表V：内组RV约为10kΩ，电流表mA：内阻RmA约为100Ω）
    ②在图（丙）中的小方格纸上用描点法画出二极管的伏安特性曲线．
    ③若发光二极管的最佳工作电压为2.0V，而电源是由内阻不计、电动势为3V的供电系统提供的．请根据所画出的伏安特性曲线上的信息，分析应该串联一个阻值多大的电阻再与电源接成闭合电路，才能使二极管工作在最佳状态？（结果保留二位有效数字）

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    硅光电池在无光照时不产生电能，可视为一电子元件．某实验小组设计如图甲电路，给硅光电池加反向电压（硅光电池负极接高电势点，正极接低电势点），探究其在无光照时的反向伏安特性．图中电压表的V1量程选用3V，内阻为6.0kΩ；电压表V2量程选用15V，内阻约为30kΩ；R0为保护电阻；直流电源电动势E约为12V，内阻不计．
    ①根据图甲，用笔画线代替导线，将图乙连接成完整电路．
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    ②用遮光罩罩住硅光电池，闭合开关S，调节变阻器R，读出电压表V1、V2的示教U1、U2．
    （ⅰ）某次测量时，电压表V1示数如图丙，则U1=
     
    V，可算出通过硅光电他的反向电流大小为
     
    mA（保留两位小数）．
    （ⅱ）该小组测出大量数据，筛选出下表所示的9组U1、U2数据，算出相应的硅光电池两端反向电压UX 和通过反向电流IX（表中“-”表示反向），并在坐标纸上建立Ix-Ux坐标系，标出了与表中前5组Ux、ix数据对应的5个坐标点．请你标出余下的4个坐标点，并绘出Ix-Ux图线．精英家教网
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    U1/V 0.00 0.00 0.06 0.12 0.24 0.42 0.72 1.14 1.74
    U1/V 0.0 1.0 2.1 3.1 4.2 5.4 6.7 8.1 9.7
    Ux/V 0.0 -1.0 -2.0 -3.0 -4.0 -5.0 -6.0 -7.0 -8.0
    Ix/mA -0.00 -0.00 -0.01 -0.02 -0.04 -0.07 -0.12 -0.19 -0.29
    （ⅲ）由Ix-Ux图线可知，硅光电池无光照下加反向电压时，Ix与Ux成
     
    （填“线性”或“非线性”）关系．

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    科目：高中物理 来源： 题型：阅读理解

    2007年诺贝尔物理学奖予了两位发现“巨磁电阻”效应的物理学家．材料的电阻随磁场的增强而增大的现象称为磁阻效应，利用这种效应可以测量磁感应强度．若图10—24为某磁敏电阻在室温下的电阻—磁感应强度特性曲线，其中RB、Ro分别表示有、无磁场时磁敏电阻的阻值．为了测量磁感应强度B，需先测量磁敏电阻处于磁场中的电阻值RB．请按要求完成下列实验．

    (1)设计一个可以测量磁场中该磁敏电阻阻值的电路，在图10—25的虚线框内画出实验电路原理图(磁敏电阻及所处磁场已给出，待测磁场磁感应强度大小约为0.6～1.0T，不考虑磁场对电路其他部分的影响)．要求误差较小．

    提供的器材如下：

    A．磁敏电阻，无磁场时阻值Ro=150Ω

    B．滑动变阻器R，全电阻约20Ω

    C．电流表A，量程2.5mA，内阻约为30Ω

    D．电压表V，量程3V，内阻约3kΩ

    E．直流电源E，电动势3V，内阻不计

    F．开关S，导线若干

    (2)正确接线后，将磁敏电阻置入待测磁场中，测量数据如下表：

    1

    2

    3

    4

    5

    6

    U(V)

    0.00

    0.45

    0.91

    1.50

    1.79

    2.7l

    I(mA)

    0.00

    0.30

    0.60

    1.00

    1.20

    1.80

    根据上表可求出磁敏电阻的测量值RB=________Ω，结合图1可知待测磁场的磁感应强度B=________T．

    (3)某同学查阅相关资料时看到了图10—26所示的磁敏电阻在一定温度下的电阻—磁感应强度特性曲线关于纵轴对称，由该图线可以得到什么结论？

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