科目:高中物理 来源: 题型:
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科目:高中物理 来源: 题型:
R | 2 |
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科目:高中物理 来源: 题型:
A、 | B、 | C、 | D、 |
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科目:高中物理 来源:2012-2013学年北京市海淀区高三上学期期末考试物理试卷(解析版) 题型:选择题
霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场,磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上,保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图所示),当物体沿z轴正方向平移时,由于位置不同,霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则( )
A.磁感应强度B越大,上、下表面的电势差U越大
B.k越大,传感器灵敏度()越高
C.若图中霍尔元件是电子导电,则下板电势高
D.电流,越大,上、下表面的电势差U越小
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科目:高中物理 来源:2012-2013学年北京市海淀区高三第一学期期末考试物理试卷(解析版) 题型:选择题
霍尔式位移传感器的测量原理如图所示,有一个沿z轴方向均匀变化的匀强磁场,磁感应强度B=B0+kz(B0、k均为常数)。将霍尔元件固定在物体上,保持通过霍尔元件的电流I不变(方向如图9所示),当物体沿z轴正方向平移时,由于位置不同,霍尔元件在y轴方向的上、下表面的电势差U也不同。则 ( )
A.磁感应强度B越大,上、下表面的电势差U越大
B.k越大,传感器灵敏度()越高
C.若图中霍尔元件是电子导电,则下板电势高
D.电流越大,上、下表面的电势差U越小
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