【题目】如果场源是多个点电荷,电场中某点的电场强度为各个点电荷单独在该点产生的电场强度的矢量和,电场中某点的电势为各个点电荷单独在该点产生电势的代数和。
若规定无限远处的电势为零,真空中点电荷周围某点的电势φ可表示为,其中k为静电力常量,Q为点电荷的电荷量,r为该点到点电荷的距离。
(1)如图所示,M、N是真空中两个电荷量均为+Q的固定点电荷,M、N间的距离为d,OC是MN连线中垂线, °。已知静电力常量为k,规定无限远处的电势为零。求:
a.C点的电场强度;
b.C点的电势。
(2)如图所示,一个半径为R、电荷量为+Q的均匀带电细圆环固定在真空中,环面水平。一质量为m、电荷量- q的带电液滴,从环心O正上方D点由静止开始下落。已知D、O间的距离为,静电力常量为k,重力加速度为g。求液滴到达O点时速度v的大小。
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【题目】如图,上下放置的两带电金属板,相距为,板间有竖直向下的匀强电场E.距上板l处有一带
电的小球B,在B上方有带
电的小球A,他们质量均为m,用长度为l的绝缘轻杆相连.已知
.让两小球从静止释放,小球可以通过上板的小孔进入电场中(重力加速度为g).求:
(1)B球刚进入电场时的速度大小;
(2)A球刚进入电场时的速度大小;
(3)B球是否能碰到下金属板?如能,求刚碰到时的速度大小.如不能,请通过计算说明理由.
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【题目】绝热气缸倒扣在水平地面上,缸内装有一电热丝,缸内有一光滑的绝热活塞,封闭一定质量的理想气体,活塞下吊着一重为G的重物,活塞重为G0,活塞的截面积为S,开始时封闭气柱的高为h,气体的温度为T1,大气压强为p0.现给电热丝缓慢加热,若气体吸收热量Q时,活塞下降了h,求:
①气体的温度升高多少;
②气体的内能增加多少?
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【题目】如图所示,折成不同形状的四个导线框质量相等、匝数相同,高度相同,MN边长度相等,将它们用相同的细线悬挂在空中,四个导线框的下边处在同一水平线上,且四个线框的下半部分都处在与线框平面垂直的同一匀强磁场中,磁场的上边界水平(如图中虚线所示),四个导线框中都通有顺时针方向、电流强度相同的电流,均处于平衡状态.若使磁场缓慢变强,细线最不易拉断的是( )
A. B.
C. D.
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【题目】倾角为α、质量为M的斜面体静止在水平桌面上,质量为m的木块静止在斜面体上.下列结论正确的是( )
A. 木块受到的摩擦力大小是mgcosα
B. 木块对斜两体的压力大小是mgsinα
C. 桌面对斜面体的摩擦力大小是mgsinαcosα
D. 桌面对斜面体的支持力大小是(M+m)g
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【题目】(1)用下图多用表的欧姆档测量阻值约为几十k的电阻Rx,以下给出的是可能的操作步骤,其中S为选择开关,P为欧姆档调零旋钮,把你认为正确的步骤前的字母按合理的顺序填写在下面的横线上。
a.将两表笔短接,调节P使指针对准刻度盘上欧姆档的零刻度,断开两表笔
b.将两表笔分别连接到被测电阻的两端,读出Rx的阻值后,断开两表笔
c.旋转S使其尖端对准欧姆档1k
d.旋转S使其尖端对准欧姆档100
e.旋转S使其尖端对准交流最大档或OFF档,并拔出两表笔
_____________________________________________。
根据上图所示指针位置,此被测电阻的阻值约为___________。
(2)下述关于用多用表欧姆档测电阻的说法中正确的是_________
A.测量电阻时如果指针偏转过大,应将选择开关S拨至倍率较小的档位,重新调零后测量
B.测量电阻时,如果红、黑表笔分别插在负、正插孔,不会影响测量结果
C.测量电路中的某个电阻,应该把该电阻与电路断开
D.测量阻值不同的电阻时都必须重新调零
E.双手捏住两表笔金属杆,测量值将偏大
F. 欧姆表使用一段时间后,电池电动势变小,内阻变大,但仍能调零,其测量结果与原来相比偏小
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【题目】如图所示,在光滑水平面内,虚线右侧存在匀强磁场,磁场方向垂直纸面向外,一正方形金属线框质量为n,电阻为R,边长为L,从虚线处进入磁场时开始计时,在外力作用下,线框由静止开始,以垂直于磁场变化的恒定加速度a进入磁场区域,t1时刻线框全部进入磁场,规定顺时针方向为感应电流I的正方向,外力大小为F,线框中电功率的瞬时值为P,通过导体横截面的电荷量为q,其中P-t和q-t图像均为抛物线,则这些量随时间变化的图像正确的是
A. B.
C.
D.
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【题目】物体导电是由其中的自由电荷定向移动引起的,这些可以移动的自由电荷又叫载流子.金属导体的载流子是自由电子,现代广泛应用的半导体材料分为两大类:一类是N型半导体,它的载流子为电子;另一类是P型半导体,它的载流子为“空穴”,相当于带正电的粒子,如果把某种材料制成的长方体放在匀强磁场中,磁场方向如图所示,且与前后侧面垂直,长方体中通有方向水平向右的电流,设长方体的上下表面M、N的电势分别为φM和φN,则下列判断中正确的是( )
A. 如果是P型半导体,有φM>φN
B. 如果是N型半导体,有φM<φN
C. 如果是P型半导体,有φM<φN
D. 如果是金属导体,有φM<φN
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【题目】如图所示,某同学平伸右手托着质量为m的“魔方”玩具,从静止开始沿水平方向做匀加速运动。一端时间后,速度变为v(魔方与手始终相对静止),魔方与手掌之间的动摩擦因数为μ,下列说法正确的是
A. 手对魔方不做功
B. 手对魔方做的功为
C. 魔方所受摩擦力大小为μmg
D. 手对魔方的作用力方向竖直向上
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