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精英家教网半导体中参与导电的电流载体称为载流子.N型半导体的载流子是带负电的电子,P型半导体的载流子是带正电的“空穴”,如图所示,一块厚度为d、宽度为L的长方形半导体样品,置于方向如图所示、磁感应强度大小为B的匀强磁场中,当半导体样品中通以向右的电流强度为I的恒定电流时,样品上、下底面出现恒定电势差U,且上表面带正电、下表面带负电.设半导体样品中每个载流子带电荷量为q,半导体样品中载流子的密度(单位体积内载流子的个数)用n表示(已知电流I=nqvS,其中v为载流子定向移动的速度,S为导体横截面积),则下列关于样品材料类型的判断和其中载流子密度n大小的表达式正确的是
(  )
A、是N型半导体,n=
BI
qdU
B、是P型半导体,n=
BI
qdU
C、是N型半导体,n=
BI
qLU
D、是P型半导体,n=
BI
qLU
分析:根据左手定则判断带电粒子的电性,根据最终洛伦兹力和电场力平衡列式,再根据电流的微观表达式列式,最后联立求解即可.
解答:解:电流向右,磁场垂直向内,故粒子受到的洛伦兹力向上,由于样品上表面带正电,故载流子是带正电的“空穴”,是P型半导体;
最终洛伦兹力和电场力平衡,有:
qvB=q
U
d
           ①
电流的微观表达式为:
I=nqvS            ②
联立解得:
n=
BI
qdU

故选:B.
点评:本题关键是明确霍尔效应的原理,知道左手定则中四指指向电流方向,不难.
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科目:高中物理 来源: 题型:

精英家教网在第三次工业革命的今天,新材料的发现和运用尤为重要.我国某科研机构发现一种新型的半导体材料,目前已经知道这种半导体材料的载流子(参与导电的“带电粒子”)的电荷量的值是e(电子电量的绝对值),但不知道它的电性和载流子的数密度n(单位体积中载流子的数量).为了测定这种材料中的载流子是带正电还是带负电,以及载流子的数密度,科学家把这种材料先加工成一块偏平的六面体样品,这块样品的长、宽和厚度分别为a、b、d(如图中所示).现将这块样品接入电路中,且把靠外的偏平面标记为M,靠里的偏平面标记为N,然后在垂直于大平面的方向加上一个磁感应强度大小为B的匀强磁场.接通电键S,调节可变电阻R.使电路中产生合适的电流.然后用电压表判定M、N两个面的电势高低并测定M、N间的电压(也叫霍耳电压),从而得到这种半导体材料载流子的电性和数密度.
(1)当M的电势比N的电势低时,材料中的载流子带
 
电(填“正”或“负”);
(2)为了测定载流子的数密度n,除题目中已给出的数据外,还需要测定的物理量有(写出物理量的含义并设定相应的符号)
 

(3)根据题设条件和你测定的物理量,写出载流子的数密度的表达式n=
 

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科目:高中物理 来源: 题型:

霍尔元件可以用来检测磁场及其变化.图甲为使用霍尔元件测量通电直导线产生磁场的装置示意图.由于磁芯的作用,霍尔元件所处区域磁场可看做匀强磁场.测量原理如乙图所示,直导线通有垂直纸面向里的电流,霍尔元件前、后、左、右表面有四个接线柱,通过四个接线柱可以把霍尔元件接入电路.所用器材已在图中给出,部分电路已经连接好.为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B;
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(1)制造霍尔元件的半导体参与导电的自由电荷带负电,电流从乙图中霍尔元件左侧流入,右侧流出,霍尔元件
 
(填“前表面”或“后表面”)电势高;
(2)在图中画线连接成实验电路图;
(3)已知霍尔元件单位体积内自由电荷数为n,每个自由电荷的电荷量为e,霍尔元件的厚度为h,为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B,还必须测量的物理量有
 
(写出具体的物理量名称及其符号),计算式B=
 

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科目:高中物理 来源:2012-2013学年湖北省师大一附中高三五月模拟考试理综物理试卷(解析版) 题型:计算题

在第三次工业革命的今天,新材料的发现和运用尤为重要。我国某科研机构发现一种新型的半导体材料,目前已经知道这种半导体材料的载流子(参与导电的“带电粒子”)的电荷量的值是e(电子电量的绝对值),但不知道它的电性和载流子的数密度n(单位体积中载流子的数量)。为了测定这种材料中的载流子是带正电还是带负电,以及载流子的数密度,科学家把这种材料先加工成一块偏平的六面体样品,这块样品的长、宽和厚度分别为a、b、d(如图中所示)。现将这块样品接入电路中,且把靠外的偏平面标记为M,靠里的偏平面标记为N,然后在垂直于大平面的方向加上一个磁感应强度大小为B的匀强磁场。接通电键S,调节可变电阻R.使电路中产生合适的电流。然后用电压表判定M、N两个面的电势高低并测定M、N间的电压(也叫霍耳电压),从而得到这种半导体材料载流子的电性和数密度。

(1)当M的电势比N的电势低时,材料中的载流子带    电(填“正”或“负”);

(2)为了测定载流子的数密度n,除题目中已给出的数据外,还需要测定的物理量有(写出物理量的含义并设定相应的符号)                       

(3)根据题设条件和你测定的物理量,写出载流子的数密度的表达式n=          

 

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科目:高中物理 来源: 题型:

霍尔元件可以用来检测磁场及其变化.图甲为使用霍尔元件测量通电直导线产 生磁场的装置示意图,由于磁芯的作用,霍尔元件所 处区域磁场可看做匀强磁场.测量原理如乙图所示, 直导线通有垂直纸面向里的电流,霍尔元件前、后、左、 右表面有四个接线柱,通过四个接线柱可以把霍尔元件接入电路.所用器材已在图中给出,部分电路已经 连接好.为测嫌霍尔元件所处区域的磁感应强度B:

(1)制造霍尔元件的半导体参与导电的自由电荷带负电,电流从乙图中霍尔元件左侧流,右侧流出,霍尔元件_______(填“前表面”或“后表面”)电势高;

(2)在图中画线连接成实验电路图;

 (3)已知霍尔元件单位体积内自由电荷数为n,每个自由电荷的电荷量为e ,霍尔元件的厚度为h为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B,还必须测量的物理量有____________ (写出具体的物理量名称及其符号),计算式B=______。

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

 

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