A、是N型半导体,n=
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B、是P型半导体,n=
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C、是N型半导体,n=
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D、是P型半导体,n=
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科目:高中物理 来源: 题型:
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科目:高中物理 来源:2012-2013学年湖北省师大一附中高三五月模拟考试理综物理试卷(解析版) 题型:计算题
在第三次工业革命的今天,新材料的发现和运用尤为重要。我国某科研机构发现一种新型的半导体材料,目前已经知道这种半导体材料的载流子(参与导电的“带电粒子”)的电荷量的值是e(电子电量的绝对值),但不知道它的电性和载流子的数密度n(单位体积中载流子的数量)。为了测定这种材料中的载流子是带正电还是带负电,以及载流子的数密度,科学家把这种材料先加工成一块偏平的六面体样品,这块样品的长、宽和厚度分别为a、b、d(如图中所示)。现将这块样品接入电路中,且把靠外的偏平面标记为M,靠里的偏平面标记为N,然后在垂直于大平面的方向加上一个磁感应强度大小为B的匀强磁场。接通电键S,调节可变电阻R.使电路中产生合适的电流。然后用电压表判定M、N两个面的电势高低并测定M、N间的电压(也叫霍耳电压),从而得到这种半导体材料载流子的电性和数密度。
(1)当M的电势比N的电势低时,材料中的载流子带 电(填“正”或“负”);
(2)为了测定载流子的数密度n,除题目中已给出的数据外,还需要测定的物理量有(写出物理量的含义并设定相应的符号) ;
(3)根据题设条件和你测定的物理量,写出载流子的数密度的表达式n= 。
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科目:高中物理 来源: 题型:
霍尔元件可以用来检测磁场及其变化.图甲为使用霍尔元件测量通电直导线产 生磁场的装置示意图,由于磁芯的作用,霍尔元件所 处区域磁场可看做匀强磁场.测量原理如乙图所示, 直导线通有垂直纸面向里的电流,霍尔元件前、后、左、 右表面有四个接线柱,通过四个接线柱可以把霍尔元件接入电路.所用器材已在图中给出,部分电路已经 连接好.为测嫌霍尔元件所处区域的磁感应强度B:
(1)制造霍尔元件的半导体参与导电的自由电荷带负电,电流从乙图中霍尔元件左侧流,右侧流出,霍尔元件_______(填“前表面”或“后表面”)电势高;
(2)在图中画线连接成实验电路图;
(3)已知霍尔元件单位体积内自由电荷数为n,每个自由电荷的电荷量为e ,霍尔元件的厚度为h为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B,还必须测量的物理量有____________ (写出具体的物理量名称及其符号),计算式B=______。
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