如图所示.在通电直导线下方.有一电子沿平行导线方向以速度v开始运动.则 ( )A．将沿轨迹I运动.半径越来越小 B．将沿轨迹I运动.半径越来越大 C．将沿轨迹II运动.半径越来越小 D．将沿轨迹II运动.半径越来越大题目和参考答案——青夏教育精英家教网—

如图所示，在通电直导线下方，有一电子沿平行导线方向以速度v开始运动，则　（）

A．将沿轨迹I运动，半径越来越小	B．将沿轨迹I运动，半径越来越大
C．将沿轨迹II运动，半径越来越小	D．将沿轨迹II运动，半径越来越大

试题分析：由安培定则可知，通电直导线在其下方的磁场垂直纸面向里，如下图所示：

根据左手定则可知，电子所受洛伦兹力的方向向上，所以沿轨迹I运动，故CD错误；因离导线越近，磁感应强度越大，根据

可知，轨迹半径越来越小，所以A正确、B错误；

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科目：高中物理 来源：不详 题型：计算题

（18分）
利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器，广泛应用于测量和自动控制等领域。
如图1，将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中，在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时，另外两侧c、f间产生电势差，这一现象称为霍尔效应。其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累，于是c、f间建立起电场E_H，同时产生霍尔电势差U_H。当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时，E_H和U_H达到稳定值，U_H的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式U_H＝R_H

，其中比例系数R_H称为霍尔系数，仅与材料性质有关。

（1）设半导体薄片的宽度（c、f间距）为l，请写出U_H和E_H的关系式;若半导体材料是电子导电的，请判断图1中c、f哪端的电势高;[
（2）已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n，电子的电荷量为e，请导出霍尔系数R_H的表达式。（通过横截面积S的电流I＝nevS，其中v是导电电子定向移动的平均速率）;
（3）图2是霍尔测速仪的示意图，将非磁性圆盘固定在转轴上，圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体，相邻永磁体的极性相反。霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近。当圆盘匀速转动时，霍尔元件输出的电压脉冲信号图像如图3所示。
a.若在时间t内，霍尔元件输出的脉冲数目为P，请导出圆盘转速N的表达式。
b.利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程。除此之外，请你展开“智慧的翅膀”，提出另一个实例或设想。

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科目：高中物理 来源：不详 题型：问答题

气体传感器利用物质的化学反应将某种气体的浓度转换成电信号输出，如图所示，B为将可燃气体或有毒气体（CO，CH₄瓦斯煤气）浓度转换为电信号的传感器，简称电子鼻，根据如下材料，U=220V电源、M为排风扇、G为继电器、A为控制电源、S为控制开关．请设计一个家用自动排烟电路，在图中完成连线图．