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    半导体中参与导电的电流载体称为载流子。N型半导体的载流子是带负电的电子，P型半导体的载流子是带正电的“空穴”，如图所示，一块厚度为d、宽度为L的长方形半导体样品，置于方向如图所示、磁感应强度大小为B的匀强磁场中，当半导体样品中通以向右的电流强度为I的恒定电流时，样品上、下底面出现恒定电势差U，且上表面带正电、下表面带负电。设半导体样品中每个载流子带电荷量为q，半导体样品中载流子的密度（单位体积内载流子的个数）用n表示（已知电流I=nqvS，其中v为载流子定向移动的速度，S为导体横截面积），则下列关于样品材料类型的判断和其中载流子密度n大小的表达式正确的是（    ）

    A.是N型半导体，

    B.是P型半导体 ，

    C.是N型半导体 ，

    D.是P型半导体 ，

     

    【答案】

    D

    【解析】

    试题分析：因为上表面带正电、下表面带负电，电流的方向向右，根据左手定则可判断，是正电荷向右移动，故是是P型半导体；根据，可得，根据I=nqvS，得,选项D正确。

    考点：霍尔效应及电流强度的概念。

     

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    科目：高中物理 来源： 题型：

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    （1）当M的电势比N的电势低时，材料中的载流子带
     
    电（填“正”或“负”）；
    （2）为了测定载流子的数密度n，除题目中已给出的数据外，还需要测定的物理量有（写出物理量的含义并设定相应的符号）
     
    ；
    （3）根据题设条件和你测定的物理量，写出载流子的数密度的表达式n=
     
    ．

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    霍尔元件可以用来检测磁场及其变化．图甲为使用霍尔元件测量通电直导线产生磁场的装置示意图．由于磁芯的作用，霍尔元件所处区域磁场可看做匀强磁场．测量原理如乙图所示，直导线通有垂直纸面向里的电流，霍尔元件前、后、左、右表面有四个接线柱，通过四个接线柱可以把霍尔元件接入电路．所用器材已在图中给出，部分电路已经连接好．为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B；
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    （1）制造霍尔元件的半导体参与导电的自由电荷带负电，电流从乙图中霍尔元件左侧流入，右侧流出，霍尔元件
     
    （填“前表面”或“后表面”）电势高；
    （2）在图中画线连接成实验电路图；
    （3）已知霍尔元件单位体积内自由电荷数为n，每个自由电荷的电荷量为e，霍尔元件的厚度为h，为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B，还必须测量的物理量有
     
    （写出具体的物理量名称及其符号），计算式B=
     
    ．

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    科目：高中物理 来源：2012-2013学年湖北省师大一附中高三五月模拟考试理综物理试卷（解析版） 题型：计算题

    在第三次工业革命的今天，新材料的发现和运用尤为重要。我国某科研机构发现一种新型的半导体材料，目前已经知道这种半导体材料的载流子（参与导电的“带电粒子”）的电荷量的值是e（电子电量的绝对值），但不知道它的电性和载流子的数密度n（单位体积中载流子的数量）。为了测定这种材料中的载流子是带正电还是带负电，以及载流子的数密度，科学家把这种材料先加工成一块偏平的六面体样品，这块样品的长、宽和厚度分别为a、b、d（如图中所示）。现将这块样品接入电路中，且把靠外的偏平面标记为M，靠里的偏平面标记为N，然后在垂直于大平面的方向加上一个磁感应强度大小为B的匀强磁场。接通电键S，调节可变电阻R．使电路中产生合适的电流。然后用电压表判定M、N两个面的电势高低并测定M、N间的电压（也叫霍耳电压），从而得到这种半导体材料载流子的电性和数密度。

    （1）当M的电势比N的电势低时，材料中的载流子带    电（填“正”或“负”）；

    （2）为了测定载流子的数密度n，除题目中已给出的数据外，还需要测定的物理量有（写出物理量的含义并设定相应的符号）                        ；

    （3）根据题设条件和你测定的物理量，写出载流子的数密度的表达式n=           。

     

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    霍尔元件可以用来检测磁场及其变化.图甲为使用霍尔元件测量通电直导线产 生磁场的装置示意图，由于磁芯的作用，霍尔元件所 处区域磁场可看做匀强磁场.测量原理如乙图所示， 直导线通有垂直纸面向里的电流，霍尔元件前、后、左、 右表面有四个接线柱，通过四个接线柱可以把霍尔元件接入电路.所用器材已在图中给出，部分电路已经 连接好.为测嫌霍尔元件所处区域的磁感应强度B:

    (1)制造霍尔元件的半导体参与导电的自由电荷带负电，电流从乙图中霍尔元件左侧流，右侧流出，霍尔元件_______(填“前表面”或“后表面”）电势高；

    (2)在图中画线连接成实验电路图；

     (3)已知霍尔元件单位体积内自由电荷数为n，每个自由电荷的电荷量为e ,霍尔元件的厚度为h为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B,还必须测量的物理量有____________ (写出具体的物理量名称及其符号），计算式B=______。

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

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