Question

C·S史密斯在1954年对硅和锗的电阻率与应力变化特性测试中发现，当受到应力作用时电阻率发生变化．这种由于外力的作用而使材料电阻率发生变化的现象称为“压阻效应”．压阻效应被用来制成各种压力、应力、应变、速度、加速度传感器，把力学量转换成电信号，半导体压阻传感器已经广泛地应用于航空、化工、航海、动力和医疗等部门．某兴趣小组在研究某长薄板电阻Rx的压阻效应时，找到了下列器材（已知Rx的阻值变化范围大约为几欧到几十欧）：

A．电源E（3V，内阻约为1）

B．电流表A1（0.6A，内阻）

C．电流表A2（0.6A，内阻r2约为1）

D．开关S，定值电阻R0

（1）为了比较准确地测量电阻Rx的阻值，请根据所给器材画出合理的实物连接图（部分导线已画出，电表A1、A2已标出）；

（2）在电阻Rx上加一个竖直向下的力F时，闭合开关S，A1的示数为I1，A2的示数为I2，则Rx=______（用字母表示）；

（3）Rx与压力F的关系如图l所示，某次测量时电表A1、A2的示数分别如图2、图3所示，则这时加在薄板电阻Rx上的压力为_______N．

Answer 1