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    如图a所示在光滑水平面上用恒力F拉质量m的单匝均匀正方形铜线框，边长为a，在1位置以速度v0进入磁感应强度为B的匀强磁场并开始计时t=0，若磁场的宽度为b(b>3a)，在3t0时刻线框到达2位置速度又为v0并开始离开匀强磁场。此过程中v-t图象如图b所示，则

    A. t=0时，线框右侧边MN的两端电压为Bav0
    B. 在t0时刻线框的速度为v0－2F t0/m
    线框完全离开磁场的瞬间位置3速度一定比t0时刻线框的速度大
    D. 线框从1位置进入磁场到完全离开磁场位置3过程中，线框中产生的电热为2Fb

    BD

    解析考点：导体切割磁感线时的感应电动势；共点力平衡的条件及其应用；闭合电路的欧姆定律；安培力．
    分析：（1）图乙为速度-时间图象，斜率表示加速度，根据图象分析线框的运动情况：在0～t0时间内速度在减小，加速度也在减小，对应甲图中的进入磁场的过程，在t0～3t0时间内做匀加速直线运动，对应甲图中的完全在磁场中运动过程．
    （2）当通过闭合回路的磁通量发生变化时，闭合回路中产生感应电流，所以只有在进入和离开磁场的过程中才有感应电流产生，根据安培定则可知，在此过程中才受到安培力．
    （3）从1位置到2位置的过程中，外力做的功可以根据动能定理去求解．t因为t=0时刻和t=3t0时刻线框的速度相等，进入磁场和穿出磁场的过程中受力情况相同，故在位置3时的速度与t0时刻的速度相等，进入磁场克服安培力做的功和离开磁场克服安培力做的功一样多．
    解：A．t=0时，线框右侧边MN的两端电压为外电压，总的感应电动势为：E=Bav0，外电压U外=E=Bav0，故A错误；
    B．根据图象可知在t0～3t0时间内，线框做匀加速直线运动，合力等于F，则在t0时刻线框的速度为v=v0-a?2t0=v0-．故B正确．
    C．线框离开磁场的过程，做减速运动，位置3速度不一定比t0时刻线框的速度大，故C错误．
    D．因为t=0时刻和t=3t0时刻线框的速度相等，进入磁场和穿出磁场的过程中受力情况相同，故在位置3时的速度与t0时刻的速度相等，进入磁场克服安培力做的功和离开磁场克服安培力做的功一样多．线框在位置1和位置3时的速度相等，根据动能定理，外力做的功等于克服安培力做的功，即有Fb=Q，所以线框穿过磁场的整个过程中，产生的电热为2Fb，故D正确．
    故选BD．

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    ．在3t0时刻线框到达2位置开始离开匀强磁场．此过程中v-t图象如图b所示，线框完全离开磁场的瞬间位置3速度为
     
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    A. t=0时，线框右侧边MN的两端电压为Bav0

    B. 在t0时刻线框的速度为v0－2F t0/m

    C．线框完全离开磁场的瞬间位置3速度一定比t0时刻线框的速度大

    D. 线框从1位置进入磁场到完全离开磁场位置3过程中，线框中产生的电热为2Fb

     

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    科目：高中物理 来源：不详 题型：填空题

    如图a所示在光滑水平面上用恒力F拉质量m的单匝均匀正方形铜线框，在1位置以速度v0进入匀强磁场时开始计时t=0，此时线框中感应电动势为E，则线框右侧边的两端MN间电压为______．在3t0时刻线框到达2位置开始离开匀强磁场．此过程中v-t图象如图b所示，线框完全离开磁场的瞬间位置3速度为______．
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    如图a所示在光滑水平面上用恒力F拉质量m的单匝均匀正方形铜线框，在1位置以速度v进入匀强磁场时开始计时t=0，此时线框中感应电动势为E，则线框右侧边的两端MN间电压为    ．在3t时刻线框到达2位置开始离开匀强磁场．此过程中v-t图象如图b所示，线框完全离开磁场的瞬间位置3速度为    ．

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