太阳系外行星大多不适宜人类居住,绕恒星“Glicsc581”运行的行星“Gl﹣581c”却很值得我们期待.该行星的温度在0℃到40℃之间,质量是地球的6倍,直径是地球的1.5倍.公转周期为13个地球日.“Glicsc581”的质量是太阳质量的0.31倍.设该行星与地球均视为质量分布均匀的球体,绕其中心天体做匀速圆周运动,则( )
A. 在该行星和地球上发射卫星的第一宇宙速度相同
B. 如果人到了该行星,其体重是地球上的2
倍
C. 该行星与“Glicsc581”的距离是日地距离的
倍
D. 恒星“Glicsc581”的密度是地球的
倍
科目:高中物理 来源:2016-2017学年山东省高一12月考物理试卷(解析版) 题型:计算题
如图所示,水平地面上一重60N的物体,在与水平面成30°角斜向上的大小为20N的拉力F作用下做匀速运动,求地面对物体的支持力和地面对物体的摩擦力大小。
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科目:高中物理 来源:2016-2017学年宁夏高一上学期期中考物理试卷(解析版) 题型:选择题
甲、乙两物体均做直线运动,它们在某段时间内的位移x随时间t变化的图象如图所示,则在0~t1时间内,下列判断正确的是( )
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A.甲物体做加速运动
B.甲、乙两物体运动方向相同
C.甲的平均速度比乙的平均速度大
D.甲、乙两物体的平均速度大小相等
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科目:高中物理 来源:2016-2017学年宁夏高一上学期期中考物理试卷(解析版) 题型:选择题
物体在甲、乙两地往返一次,从甲到乙的平均速度为v1,返回时的平均速度为v2,则物体往返一次平均速度的大小和平均速率分别是( )
A.0,
B.
,![]()
C.0,
D.
,![]()
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科目:高中物理 来源:2017届河北省高三上学期11.25周练物理试卷(解析版) 题型:选择题
一微粒质量为m带负电荷,电荷量大小是q,如图所示,将它以一定初速度在磁场中P点释放以后,它就做匀速直线运动,已知匀强磁场的磁感应强度为B,空气对微粒的阻力大小恒为f,则关于微粒做匀速直运动下列描述中正确的是( )
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A. 微粒不可能沿竖直方向上运动
B. 微粒可能沿水平方向上运动
C. 微粒做匀速运动时的速度v大小为![]()
D. 微粒做匀速运动时的速度v大小为![]()
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科目:高中物理 来源:2017届河北省高三上学期11.25周练物理试卷(解析版) 题型:选择题
如图所示,一个质量为m的物体(可视为质点)以某一速度从A点冲上倾角为
的固定斜面,其运动的加速度大小为
,该物体在斜面上上升的最大高度为h,则在这个过程中物体的( )
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A、整个过程中物体机械能守恒
B、重力势能增加了![]()
C、动能损失了![]()
D、机械能损失了![]()
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科目:高中物理 来源:2017届河北省高三上学期11.25周练物理试卷(解析版) 题型:选择题
两块大小、形状完全相同的金属平板平行放置,构成一平行板电容器,与它相连接的电路如图所示,接通开关S,电源即给电容器充电.则( )
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A.保持S接通,减小两极板间的距离,则两极板间电场的电场强度减小
B.保持S接通,在两极板间插入一块介质,则极板上的电荷量增大.
C.断开S,减小两极板间的距离,则两极板间的电势差增大
D.断开S,在两极板间插入一块介质,则两极板间的电势差增大
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科目:高中物理 来源:2017届甘肃省高三12月月考物理试卷(解析版) 题型:计算题
如图,长木板ab的b端固定一档板,木板连同档板的质量为M=4.0kg,a、b间距离s=2.0m。木板位于光滑水平面上。在木板a端有一小物块,其质量m=1.0kg,小物块与木板间的动摩擦因数μ=0.10,它们都处于静止状态。现令小物块以初速v0 =4.0m/s沿木板向右滑动,直到和档板相撞。碰撞后,小物块恰好回到a端而不脱离木板。求:
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(1)最终二者的速度;
(2)碰撞过程中损失的机械能。
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科目:高中物理 来源:2016届北京市东城区高三零模物理试卷(解析版) 题型:选择题
利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域。图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品薄片放在沿y轴正方向的匀强磁场中,磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时,会在与z轴垂直的两个侧面之间产生电势差,这一现象称为霍尔效应。其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,于是上、下表面间建立起电场EH,同时产生霍尔电势差UH。当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时,EH和UH达到稳定值,UH的大小与I和B满足关系UH=kHIB,其中kH称为霍尔元件灵敏度。已知此半导体材料是电子导电,薄片内单位体积中导电的电子数为n,电子的电荷量为e。下列说法中正确的是
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A.半导体样品的上表面电势高于下表面电势
B.霍尔元件灵敏度与半导体样品薄片的长度a、宽度b均无关
C.在其他条件不变时,单位体积中导电的电子数n越大,霍尔元件灵敏度越高
D.在其他条件不变时,沿磁场方向半导体薄片的厚度c越大,霍尔元件灵敏度越高
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