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    公园里灯光喷泉的水池中有处于同一深度的若干彩灯，在晚上观察不同颜色彩灯的深度和水面上被照亮的面积，下列说法正确的是：
    A．红灯看起来较浅，红灯照亮的水面面积较小
    B．红灯看起来较深，红灯照亮的水面面积较小
    C．红灯看起来较浅，红灯照亮的水面面积较大
    D．红灯看起来较深，红灯照亮的水面面积较大


    D

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    科目：高中物理 来源： 题型：


    一束由两种频率不同的单色光组成的复色光从空气射入玻璃三棱镜后，出射光分成a、b两束，如图所示，则a、b两束光

    A．垂直穿过同一平板玻璃，a光所用的时间比b光长

    B．从同种介质射入真空发生全反射时，a光的临界角比b光小

    C．分别通过同一双缝干涉装置，b光形成的相邻亮条纹间距小

    D．若照射同一金属装置都能发生光电效应，b光照射时逸出的光电子最大初动能大

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    科目：高中物理 来源： 题型：


    图为模拟远距离输电实验电路图，两理想闫雅琪的匝数n1=n4＜n2=n3，四根模拟输电线的电阻R1、R2、R3、R4的阻值均为R，A1、A2为相同的理想交流电流表，L1、L2为相同的小灯泡，灯丝电阻RL＞2R，忽略灯丝电阻随温度的变化。当A、B端接入低压交流电源时

    A.  A1、A2两表的示数相同

    B.  L1、L2两灯泡的量度相同

    C.  R1消耗的功率大于R3消耗的功率

    D.  R2两端的电压小于R4两端的电压

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    科目：高中物理 来源： 题型：


    如图所示，一个三棱镜的截面为等腰直角△ABC，∠A为直角。此截面所在平面内的光线沿平行于BC边的方向射到AB边，进入棱镜后直接射到AC边上，并刚好能发生全反射。该棱镜材料的折射率为：
    A．　　　　  B． C．                 D．

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    科目：高中物理 来源： 题型：


    OMO’N为半圆形玻璃砖的横截面，OO’为过截面圆心且垂直于MN的直线，两条可见单色 光线a、b距00'的距离为d，从空气中垂直MN射入玻璃砖中，在半圆界面上发生反射和折射的光路图如图所示，则下列说法 正确的是：
    A.  由图可知a光的频率比b光的频率小
    B.  由图可知在玻璃砖中a光的波长比光的大
    C.  在光的双缝干涉实验中，相同条件下，a光条纹间距比b光大
    D.  在光的单缝衍射实验中，相同条件下,b光比a光更容易发生衍射

     

     

     

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    科目：高中物理 来源： 题型：


    将一测力传感器连接到计算机上就可以测量快速变化的力。图甲表示小滑块（可视为质点）沿固定的光滑半球形容器内壁在坚直平面的A、A′之间来回滑动。A、A′点与O点连线与竖直方向之间夹角相等且都为θ，均小于5°，图乙表示滑块对器壁的压力F随时间t变化的曲线，且图中t=0为滑块从A点开始运动的时刻。试根据力学规律和题中（包括图中）所给的信息，求：

    （1）容器的半径；

    （2）小滑块的质量；

    （3）滑块运动过程中的机械能。（g取10m/s2）

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    科目：高中物理 来源： 题型：


    很多相同的绝缘铜圆环沿竖直方向叠放，形成一很长的竖直圆筒。一条形磁铁沿圆筒的中心轴竖直放置，其下端与圆筒上端开口平齐。让条形磁铁从静止开始下落。条形磁铁在圆筒中的运动速率(    )

    A．均匀增大     B．先增大，后减小     C．逐渐增大，趋于不变     D．先增大，再减小，最后不变

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    科目：高中物理 来源： 题型：


    如图所示，A、B、C、D四图中的小球以及小球所在的斜面完全相同，现从同一高度h处由静止释放小球，小球下落同样的高度，便进入不同的轨道：除去底部一小段圆孤，A图中的轨道是一段斜面，且高于h；B图中的轨道与A图中轨道比较只是短了一些，斜面高度低于h；C图中的轨道是一个内径大于小球直径的管，其上部为直管，下部为圆弧形，底端与斜面衔接，管的高度高于h；D图中的轨道是半个圆轨道，其直径等于h.如果不计任何摩擦阻力和拐弯处的能量损失，小球进入轨道后能运动到h高度的图是

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    科目：高中物理 来源： 题型：


    如图所示，平行金属导轨与水平面成θ角，导轨与两阻值相同的定值电阻R1和R2相连，匀强磁场垂直穿过导轨平面。有一导体棒ab质量为m，棒的电阻R=0.5R1，棒与导轨之间的动摩擦因数为μ。导体棒ab沿导轨向上滑动，当上滑的速度为v时，定值电阻R2消耗的电功率为P，此时下列正确的是 （     ）

    A．此装置因摩擦而产生的热功率为μmgv    

    B．此装置消耗的机械功率为 μmg vcosθ

    C．导体棒受到的安培力的大小为       

    D．导体棒受到的安培力的功率为8P

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