分析 (1)根据v-t图象的斜率求出加速度,由牛顿第二定律求解拉力F的大小;
(2)由v-t图象可知,线框进入磁场区域后以速度2m/s做匀速直线运动,推导出安培力表达式,由法拉第电磁感应定律、欧姆定律和安培力,加上平衡条件即可求解磁感应强度B的大小;
(3)由v-t图象可知,线框进入磁场区域后做匀速直线运动,并以速度v1匀速穿出磁场,说明线框的宽度等于磁场的宽度 D=0.40m 线框ab边离开磁场后做匀减速直线运动,速度为零,根据mgsinθ与最大静摩擦力的值μmgcosθ进行比较,判断线框的运动状态,再根据焦耳定律求解Q.
解答 解:(1)由v-t图象可知,在0~0.4s时间内线框做匀加速直线运动,进入磁场时的速度为:v1=2.0m/s,
所以:a=$\frac{{v}_{1}-0}{△t}$=$\frac{2-0}{0.4}$=5m/s2
由牛顿第二定律有:F-mgsinθ-μmgcosθ=ma
联立解得:F=1.5N
(2)由v-t图象可知,线框进入磁场区域后以速度v1做匀速直线运动,由法拉第电磁感应定律和欧姆定律有:E=BLv1
由欧姆定律得:I=$\frac{E}{R}$
对于线框匀速运动的过程,由力的平衡条件有:F-mgsinθ-μmgcosθ-BIL=0
联立解得:B=0.50T
(3)由v-t图象可知,线框进入磁场区域后做匀速直线运动,并以速度v1匀速穿出磁场,说明线框的宽度等于磁场的宽度,即为:D=0.40m
在磁场中上滑的距离为:s1=$\frac{2×0.4}{2}$+2D=1.2m
离开磁场后,a2=$\frac{μmgcosθ+mgsinθ}{m}$=g
离开磁场上滑的距离:s2=$\frac{{v}_{1}^{2}}{2{a}_{2}}$=0.2m
线框在减速为零时,有:mgsinθ=μmgcosθ
所以线框在斜面上运动的过程中克服摩擦所做的功为:W=μmgcosθ(s1+s2)=0.7J
所以线框不会下滑,设线框穿过磁场的时间为t,则:t=$\frac{2D}{v}$
回路产生的电热为:Q=I2Rt=$\frac{2{B}^{2}{L}^{2}D{v}_{1}}{R}$=0.4J
答:(1)线框受到的拉力F的大小为1.5N;
(2)匀强磁场的磁感应强度B的大小为0.50T;
(3)线框在斜面上运动的过程中克服摩擦所做的功为0.7J;线框在斜面上运动的过程中产生的焦耳热Q为0.4J.
点评 本题关键要根据速度图象,分析线框的运动过程,并掌握平衡条件、牛顿第二定律等力学规律与电磁感应规律,综合性较强.
科目:高中物理 来源: 题型:选择题
| A. | 物体的速度为0时,加速度可以不为0 | |
| B. | 物体的加速度为0 时,速度可以不为0 | |
| C. | 物体的速度随着a的减小一定减小 | |
| D. | 物体的速度随着a的减小可能增加 |
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科目:高中物理 来源: 题型:计算题
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科目:高中物理 来源: 题型:多选题
| A. | 电子枪发射的电子数减小 | |
| B. | 加速电场的电压过大 | |
| C. | 偏转线圈的电流过小,偏转磁场减弱 | |
| D. | 偏转线圈匝间短路,线圈匝数减小 |
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科目:高中物理 来源: 题型:计算题
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