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【题目】如图所示,在第象限内有水平向右的匀强电场,在第象限内分别存在如图所示的匀强磁场,磁感应强度大小相等。有一个带正电的粒子质量为m带电量为q以垂直于x轴的初速度v0x轴上的P点进入匀强电场中,并且恰好与y轴的正方向成45°角进入磁场,又恰好垂直进入第象限的磁场。已知OP之间的距离为d。求:

1)电场强度E的大小;

2)带电粒子在磁场中第二次经过x轴时,在电场和磁场中运动的总时间。

【答案】(1)(2)

【解析】

(1)粒子以垂直于X轴的初速度进入水平方向的匀强电场,做类平抛运动,由进入电场时的速度与y轴正向成45o角则有:

联立解得

(2)由上述式子解得粒子在电场中运动的时间

粒子进入磁场的速度

由几何知识得粒子在磁场中做圆周运动的半径.

粒子在磁场中运动的时间.

粒子第二次经过X轴时在电场和磁场中运动的总时间

练习册系列答案
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科目:高中物理 来源: 题型:

【题目】如甲所示,一维坐标系中有一质量为m=2kg的物块静止于x轴上的某位置(图中未画出),从t=0时刻开始,物块在外力作用下沿x轴做匀变速直线运动,其位置坐标与速率平方关系的图象如图乙所示。下列说法正确的是( )

A. 物块运动的加速度大小为1m/s2

B. 2s时间内物块的位移大小为2m

C. t=4s时物块位于x=2m

D. 2~4s时间内物块的位移大小为3m

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【题目】如图(a)所示,足够长的光滑平行金属导轨JK、PQ倾斜放置,两导轨间距离为L=l.0 m,导轨平面与水平面间的夹角为θ=30°,磁感应强度为B的匀强磁场垂直于导轨平面向上,导轨的J、P两端连接阻值为R=3.0Ω的电阻,金属棒ab垂直于导轨放置并用细线通过光滑定滑轮与重物相连,金属棒ab的质量m=0.20 kg,电阻r=0.50 Ω,重物的质量M=0.60 kg,如果将金属棒和重物由静止释放,金属棒沿斜面上滑距离与时间的关系图像如图(b)所示,不计导轨电阻, g=10 m/s 2 。求:

(1)t=0时刻金属棒的加速度

(2)求磁感应强度B的大小以及在0.6 s内通过电阻R的电荷量;

(3)0.6 s内电阻R产生的热量。

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【题目】如图所示,R1、R2为定值电阻,L为小灯泡,R3为光敏电阻,当照射光强度增大时(

A. 电压表的示数增大

B. R2中电流增大

C. 小灯泡的功率增大

D. 电路的路端电压增大

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科目:高中物理 来源: 题型:

【题目】如图所示,额定功率相同,额定电压不同的AB两种电灯,接在如图所示电路中,图中变压器为理想变压器,当在ab两接线柱间加上适当的正弦交流电时,电路中四盏电灯均能正常发光,设变压器的原、副线圈的匝数比为n1n2,两种电灯正常发光时的电阻比为RARB,则:(

A. n1n2=31RARB=1:3 B. n1n2=21RARB=19

C. n1n2=21RARB=13 D. n1n2=31RA RB=19

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【题目】描绘小灯泡的伏安特性曲线的实验中,所用小灯泡标有“3V 0.3A”字样,并提供以下器材:

A.电压表V (0~5V,内阻约3kΩ)

B电流表A1 (0~3A,内阻约0.2Ω)

C.电流表A2 (0~500mA,内阻约1Ω)

D.滑动变阻器R1(0~10Ω)

E.滑动变阻器R2(0~2kΩ)

F.直流电源E(电动势4.5V,内阻不计)

G.开关S及导线若干

(1)为了提高测量的准确度和调节方便,实验中应选用的电流表是___________(选填“B”“C”),应选用的滑动变阻器是__________(选填“D”“E”)

(2)在虚线框内画出实验电路图_______

(3)正确设计并连接好实验电路后,闭合开关S缓慢移动滑动变阻器的滑片,使小灯泡中的电流由零开始逐渐增大,直到小灯泡正常发光,由电流表和电压表得到的多组示数描绘出的U-I图象如图所示,可知随着小灯泡中的电流增大,小灯泡的电阻__________(选填增大”“减小不变”)。

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【题目】质量为m的小球由轻绳ab分别系于一轻质细杆的A点和B点,如右图所示,绳a与水平方向成θ角,绳b在水平方向且长为l,当轻杆绕轴AB以角速度ω匀速转动时,小球在水平面内做匀速圆周运动,则下列说法正确的是(  )

A. a绳的张力不可能为零

B. a绳的张力随角速度的增大而增大

C. 当角速度b绳将出现弹力

D. b绳突然被剪断,则a绳的弹力一定发生变化

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【题目】如图甲所示为一交变电压随时间变化的图像,每个周期内,前二分之一周期电压恒定,后二分之一周期电压按正弦规律变化。若将此交流电连接成如图乙所示的电路,电阻R阻值为100 Ω,则

A. 理想电流表读数为0.75 A

B. 理想电压表读数为100 V

C. 电阻R消耗的电功率为56 W

D. 电阻R100秒内产生的热量为5 625 J

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【题目】半导体内导电的粒子—“载流子有两种:自由电子和空穴(空穴可视为能自由移动带正电的粒子),以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体,以空穴导电为主的半导体叫P型半导体。图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图,图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中,磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时,会在与z轴垂直的两个侧面之间产生霍尔电势差UH,霍尔电势差大小满足关系,其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e,下列说法中正确的是(

A. 如果上表面电势高,则该半导体为P型半导体

B. 霍尔系数越大的材料,其内部单位体积内的载流子数目越多

C. 若将磁场方向改为沿z轴正方向,则在垂直y轴的两个侧面间会产生的霍尔电势差变小。

D. 若将电流方向改为沿z轴正方向,则在垂直x轴的两个侧面间会产生的霍尔电势差变大。

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