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如图1所示,虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界,磁场宽度为L,方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属线框abcd,以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动,经过一段时间线框通过了磁场区域。已知l<L,甲、乙两位同学对该过程进行了分析,当线框的ab边与MN重合时记为t=0,分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线,如图2、图3所示,图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积。关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系,下列说法正确的是

A.图2正确,且S1>S2                                B.图2正确,且S1=S2

C.图3正确,且S3>S4                                D.图3正确,且S3=S4

 

【答案】

D

【解析】

试题分析:当线框向右运动过程中,有两个过程产生安培力,即进入磁场到完全进入磁场和离开磁场到完全离开磁场两个过程;其中任一过程产生的电动势为E=BvL,产生的电流为I=E/R=BLv/R,产生的安培力为F=BIL=B2L2v/R,当时间增加时,速度减小,则由上式可知,安培力减小,所以A、B选项错误;另一方面看,产生的平均电动势为:E=BΔs/Δt,产生的电流为:I=E/R= BΔs/ΔtR,产生的安培力为:F=BIL=B2lΔs/RΔt;变形后得FΔt=B2lΔs/R,所以S3 =S4,则D选项正确。

考点:本题考查电磁感应和对F-t图像的理解。

 

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科目:高中物理 来源: 题型:

如图1所示,虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界,磁场宽度为L,方向竖直向下.边长为l的正方形闭合金属线框abcd,以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动,经过一段时间线框通过了磁场区域.已知l<L,甲、乙两位同学对该过程进行了分析,当线框的ab边与MN重合时记为t=0,分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线,如图2、图3所示,图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积.关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系,下列说法正确的是(  )
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A、图2正确,且S1>S2B、图2正确,且S1=S2C、图3正确,且S3>S4D、图3正确,且S3=S4

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(2013·北京朝阳二模,18题)如图1所示,虚线MNMN′为一匀强磁场区域的左右边界,磁场宽度为L,方向竖直向下。边长为l的正方形闭合金属线框abcd,以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动,经过一段时间线框通过了磁场区域。已知l<L,甲、乙两位同学对该过程进行了分析,当线框的ab边与MN重合时记为t=0,分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线,如图2、图3所示,图中S1S2S3S4是图线与t轴围成的面积。关于两图线的判断以及S1S2S3S4应具有的大小关系,下列说法正确的是

   A.图2正确,且S1>S2                           B.图2正确,且S1=S2

   C.图3正确,且S3>S4                           D.图3正确,且S3=S4

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科目:高中物理 来源:朝阳区二模 题型:单选题

如图1所示,虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界,磁场宽度为L,方向竖直向下.边长为l的正方形闭合金属线框abcd,以初速度v0沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动,经过一段时间线框通过了磁场区域.已知l<L,甲、乙两位同学对该过程进行了分析,当线框的ab边与MN重合时记为t=0,分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线,如图2、图3所示,图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积.关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系,下列说法正确的是(  )

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A.图2正确,且S1>S2B.图2正确,且S1=S2
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如图1所示,虚线MN、M′N′为一匀强磁场区域的左右边界,磁场宽度为L,方向竖直向下.边长为l的正方形闭合金属线框abcd,以初速度v沿光滑绝缘水平面向磁场区域运动,经过一段时间线框通过了磁场区域.已知l<L,甲、乙两位同学对该过程进行了分析,当线框的ab边与MN重合时记为t=0,分别定性画出了线框所受安培力F随时间t变化的图线,如图2、图3所示,图中S1、S2、S3和S4是图线与t轴围成的面积.关于两图线的判断以及S1、S2、S3和S4应具有的大小关系,下列说法正确的是( )

A.图2正确,且S1>S2
B.图2正确,且S1=S2
C.图3正确,且S3>S4
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