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    如图是电阻R1和R2的伏安特性曲线，并且把第一象限分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个区域，现在把R1和R2并联在电路中，消耗的电功率分别为P1和P2，并联的总电阻设为R。下列关于P1和P2的大小关系及R的伏安特性曲线所在区域描述正确的是
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    A．特性曲线在Ⅰ区，P1<P2
    B．特性曲线在Ⅰ区，P1>P2
    C．特性曲线在Ⅲ区，P1>P2
    D．特性曲线在Ⅲ区，P1<P2
    B
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    集成电路应用广泛、集成度越来越高，现在集成电路的集成度已达几亿个元件，目前科学家们正朝着集成度突破10亿个元件的目标迈进，集成度越高，各种电子元件越微型化，如图一是我国自行研制成功的中央处理器（CPU）芯片“龙芯”1号，如图二中，R1和R2是材料相同、厚度相同、表面为正方形的导体，但R2的尺寸远远小于R1的尺寸，通过两导体的电流方向如图2，则这两个导体的电阻R1、R2的关系说法正确的是（　　）
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    科目：高中物理 来源：2012-2013学年河南省河南大学附属中学高二上学期期中考试物理试卷（带解析） 题型：单选题

    如图所示是电阻R1和R2的伏安特性曲线，并且把第一象限分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个区域．现在把电阻R1和R2并联在电路中，消耗的电功率分别为P1和P2，并联的总电阻设为R，下列关于P1与P2的大小关系及R的伏安特性曲线所在的区域正确的是

    A．特性曲线在Ⅰ区，P1＜P2
    B．特性曲线在Ⅲ区，P1＞P2
    C．特性曲线在Ⅰ区，P1＞P2
    D．特性曲线在Ⅲ区，P1＜P2

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    科目：高中物理 来源：2011年四川省三台县高二教学质量调研测试物理卷 题型：选择题

    如图所示是电阻R1和R2的伏安特性曲线，且把第一象限分成了Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个区域．现将R1和R2并联在电路中，其电功率分别用P1和P2表示，并联的总电阻为R，下列关于R的伏安特性曲线应该在的区域以及P1、P2大小关系正确的是

    A．特性曲线在Ⅰ区，P1＜P2     B．特性曲线在Ⅲ区，P1＜P2

    C．特性曲线在Ⅰ区，P1＞P2     D．特性曲线在Ⅲ区，P1＞P2

     

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    如图是电阻R1和R2的伏安特性曲线，并且把第一象限分为Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ三个区域，现在把R1和R2并联在电路中，消耗的电功率分别为P1和P2，并联的总电阻设为R.下列关于P1和P2的大小关系及R的伏安特性曲线应该在的区域的说法正确的是(    )

    A.特性曲线在Ⅰ区，P1＜P2                   B.特性曲线在Ⅲ区，P1＞P2

    C.特性曲线在Ⅰ区，P1＞P2                   D.特性曲线在Ⅲ区，P1＜P2

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