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    如图甲所示,abcd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的总电阻为R;整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中.磁场的磁感应强度变化情况如图乙所示,PQ始终静止.关于PQ与ab、cd间摩擦力f在0到t1 s内的变化情况的说法中,有可能正确的是


    1. A.
      f一直增大
    2. B.
      f一直减小
    3. C.
      f先减小后增大
    4. D.
      f先增大后减小
    AC
    由i==S/R=kS/R(k为图线斜率)可知,在0—t1时间内,i的大小恒定,且F安=Btil先减小后增大.在B正向减小的过程中,PQ棒受安培力沿斜面向上且逐渐减小,如图(a),在B反向增大的过程中,PQ棒受安培力沿斜面向下且逐渐增大,如图(b).前一种情况中PQ棒受静摩擦力可能随F安减小而逐渐减小(当f静沿斜面向下时),也可能随F安减小而逐渐增大(当f静沿斜面向上时).后一种情况PQ棒受静摩擦力随安培力增大而逐渐增大(f静方向一定沿斜面向上).故正确选项为AC.
    练习册系列答案
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    如图甲所示abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感应强度B随时间变化规律如图乙所示，PQ始终静止，在时间0～t内，PQ受到的摩擦力f的大小变化可能是

    A．

    f一直不变

    B．

    f一直减小

    C．

    f先减小后增大

    D．

    f先增大后减小

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    如图甲所示,abcd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的总电阻为R;整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中.磁场的磁感应强度变化情况如图乙所示,PQ始终静止.关于PQ与ab、cd间摩擦力f在0到t1 s内的变化情况的说法中,有可能正确的是(    )

    A.f一直增大                               B.f一直减小

    C.f先减小后增大                         D.f先增大后减小

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    如图甲所示,abcd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的总电阻为R;整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中.磁场的磁感应强度变化情况如图乙所示,PQ始终静止.关于PQ与ab、cd间摩擦力f在0到t1 s内的变化情况的说法中,有可能正确的是(    )

    A.f一直增大                             B.f一直减小

    C.f先减小后增大                         D.f先增大后减小

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    如图甲所示,abcd为导体做成的框架,其平面与水平面成θ角.质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好,回路的总电阻为R;整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中.磁场的磁感应强度变化情况如图乙所示,PQ始终静止.关于PQ与ab、cd间摩擦力f在0到t1 s内的变化情况的说法中,有可能正确的是(    )

    A.f一直增大                            

    B.f一直减小

    C.f先减小后增大                        

    D.f先增大后减小

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