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    如右图，为探讨霍尔效应,取一块长度为a、宽度为b、厚度为d的金属导体, 給金属导体加与侧面垂直的匀强磁场B, 且通以图示方向的电流I时, 用电压表测得导体上、下表面M、N间电压为U. 已知自由电子的电荷量为e. 下列说法中正确的是

    A. M板比N板电势低

    B. 导体单位体积内自由电子数越多, 电压表的示数越大

    C. 导体中自由电子定向移动的速度为v=U/B 

    D. 导体单位体积内的自由电子数为

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    精英家教网如图，为探讨霍尔效应，取一块长度为a、宽度为b、厚度为d的金属导体，給金属导体加与侧面垂直的匀强磁场B，且通以图示方向的电流I时，用电压表测得导体上、下表面M、N间电压为U．已知自由电子的电荷量为e．下列说法中正确的是（　　）
    A、M板比N板电势低
    B、导体单位体积内自由电子数越多，电压表的示数越大
    C、导体中自由电子定向移动的速度为v=
    U
    B
    D、导体单位体积内的自由电子数为v=
    qbB
    m

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    霍尔元件可以用来检测磁场及其变化．图甲为使用霍尔元件测量通电直导线产生磁场的装置示意图．由于磁芯的作用，霍尔元件所处区域磁场可看做匀强磁场．测量原理如乙图所示，直导线通有垂直纸面向里的电流，霍尔元件前、后、左、右表面有四个接线柱，通过四个接线柱可以把霍尔元件接入电路．所用器材已在图中给出，部分电路已经连接好．为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B；
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    （1）制造霍尔元件的半导体参与导电的自由电荷带负电，电流从乙图中霍尔元件左侧流入，右侧流出，霍尔元件
     
    （填“前表面”或“后表面”）电势高；
    （2）在图中画线连接成实验电路图；
    （3）已知霍尔元件单位体积内自由电荷数为n，每个自由电荷的电荷量为e，霍尔元件的厚度为h，为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B，还必须测量的物理量有
     
    （写出具体的物理量名称及其符号），计算式B=
     
    ．

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    科目：高中物理 来源：2013-2014学年湖北省武汉市新洲区高三上学期期末目标检测理科综合物理试卷（解析版） 题型：选择题

    如右图，为探讨霍尔效应,取一块长度为a、宽度为b、厚度为d的金属导体, 給金属导体加与侧面垂直的匀强磁场B, 且通以图示方向的电流I时, 用电压表测得导体上、下表面M、N间电压为U. 已知自由电子的电荷量为e. 下列说法中正确的是

    A. M板比N板电势低

    B. 导体单位体积内自由电子数越多, 电压表的示数越大

    C. 导体中自由电子定向移动的速度为v=U/B?

    D. 导体单位体积内的自由电子数为

     

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    科目：高中物理 来源： 题型：

    霍尔元件可以用来检测磁场及其变化.图甲为使用霍尔元件测量通电直导线产 生磁场的装置示意图，由于磁芯的作用，霍尔元件所 处区域磁场可看做匀强磁场.测量原理如乙图所示， 直导线通有垂直纸面向里的电流，霍尔元件前、后、左、 右表面有四个接线柱，通过四个接线柱可以把霍尔元件接入电路.所用器材已在图中给出，部分电路已经 连接好.为测嫌霍尔元件所处区域的磁感应强度B:

    (1)制造霍尔元件的半导体参与导电的自由电荷带负电，电流从乙图中霍尔元件左侧流，右侧流出，霍尔元件_______(填“前表面”或“后表面”）电势高；

    (2)在图中画线连接成实验电路图；

     (3)已知霍尔元件单位体积内自由电荷数为n，每个自由电荷的电荷量为e ,霍尔元件的厚度为h为测量霍尔元件所处区域的磁感应强度B,还必须测量的物理量有____________ (写出具体的物理量名称及其符号），计算式B=______。

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

     

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