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如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个大小均为E的匀强电场I和II,两电场的边界均是边长为L的正方形(不计粒子所受重力).
(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子,求电子离开ABCD区域的位置;
(2)在电场I区域内适当位置由静止释放电子,电子恰能从ABCD区域左下角D处离开,求所有释放点的位置;
(3)若将左侧电场II整体水平向右移动L/4,仍使电子从ABCD区域左下角D处离开(D不随电场移动),在电场I区域内由静止释放电子的所有位置.
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(1)设电子的质量为m,电量为e,在电场I中释放后将做出速度为零的匀加速直线运动,出区域I时的速度为vo,接着进入电场II做类平抛运动,假设电子从CD边射出,出射点纵坐标为y,对电子的整个运动过程运用动能定理和匀变速直线运动公式有:eEL=
1
2
mv2
在电场Ⅱ区域内的偏转,L=vt,y1=
1
2
at2=
eE
2m
?
L2
v2
=
1
4
L
,方向向下,
故:y=
L
2
-y1=
L
4

所以位置坐标(-2L,
1
4
L)
(2)设释放位置坐标为(x,y),在电场I中电子被加速到v1,然后进入电场II做类平抛运动,并从D点离开,有:eEx=
1
2
mv2
L=vt,y =
1
2
at2=
eE
2m
?
L2
v2
=
L2
4x
,所以满足xy=
L2
4
方程的点即为释放点的位置
(3)设释放位置坐标为(x,y),eEx=
1
2
mv2,在电场I中加速到v2,进入电场II后做类平抛运动,在高度为y′处离开电场II时的情景与(2)中类似,然后电子做匀速直线运动,经过D点,则有:
L=vt1
L
4
=vt2

y2=
1
2
a
t21
=
eE
2m
?
L2
v2
=
L2
4x

y3=at1t2=
eE
m
?
L
v
?
L
4v
=
eEL2
4mv2
=
L2
8x

y=y2+y3=
L2
4x
+
L2
8x
=
3L2
8x

所以满足y=
3L2
8x
方程的点即为释放点的位置.
答:(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子,电子从(-2L,
1
4
L
)离开ABCD区域.
(2)在电场I区域内适当位置由静止释放电子,电子恰能从ABCD区域左下角D处离开,所有释放点为满足xy=
L2
4
的位置.
(3)若将左侧电场II整体水平向右移动在电场I区域内由静止释放电子的所有位置,在电场I区域内由静止释放电子的所有位置为y=
3L2
8x
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(2008?上海)如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II,两电场的边界均是边长为L的正方形(不计电子所受重力).
(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子,求电子离开ABCD区域的位置.
(2)在电场I区域内适当位置由静止释放电子,电子恰能从ABCD区域左下角D处离开,求所有释放点的位置.
(3)若将左侧电场II整体水平向右移动
Ln
(n≥1),仍使电子从ABCD区域左下角D处离开(D不随电场移动),求在电场I区域内由静止释放电子的所有位置.

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(2)电子离开ABCD区域的位置?
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如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在xOy平面的第一象限,存在以x轴、y轴及双曲线y=
L24x
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(1)从电场区域Ⅰ的边界B点处由静止释放电子,电子离开MNPQ时的坐标;
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(3)由电场区域Ⅰ的AB曲线边界由静止释放电子离开P点的最小动能.

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(1)电子离开ABCD区域的位置坐标;
(2)电子从电场Ⅱ出来后经过多少时间到达X轴;
(3)电子到达X轴时的位置坐标.

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如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的第一象限,存在以x轴y轴及双曲线y=
L2
4x
的一段(0≤x≤L,0≤y≤L)为边界的匀强电场I;在第二象限存在以x=-L; x=-2L;y=0;y=L的匀强电场II.两个电场大小均为E,不计电子所受重力.求
(1)从电场I的边界B点处由静止释放电子,电子离开MNPQ时的位置;
(2)由电场I的AB曲线边界处由静止释放电子离开MNPQ时的最小动能;
(3)若将左侧电场II整体水平向左移动
L
n
(n≥1),要使电子从x=-2L,y=0处离开电场区域II,在电场I区域内由静止释放电子的所有位置.

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