【题目】一列简谐横波沿x轴方向传播,在x轴上沿传播方向上依次有P、Q两质点,P质点平衡位置位于x=4m处。图(a)为P、Q两质点的振动图像,图(b)为t=4s时的波形图,已知P、Q两质点平衡位置间的距离不超过10m。
(1)求波速的大小及方向;
(2)求Q质点平衡位置坐标。
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【题目】如图所示,质量为m的物体A静止在质量为M的斜面B上,斜面B的倾角θ=30°。现用水平力F推物体A,在F由零逐渐增加至mg再逐渐减为零的过程中,A和B始终保持静止。对此过程下列说法正确的是( )
A.地面对B的支持力随着力F的变化而变化
B.A所受摩擦力方向始终沿斜面向上
C.A所受摩擦力的最小值为 ,最大值为mg
D.A对B的压力的最小值为mg,最大值为mg
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【题目】如图所示的电场中,在A点静止的释放一个带电粒子,正确的是
A. 若释放的是电子,电子将向B点运动
B. 若释放的是质子,质子将向B点运动
C. 若释放的是正电荷,要使其向B点运动,必须施加一个指向C的外力
D. 若释放的无论是正电荷还是负电荷,若自由运动,电场力都将做正功
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【题目】如图甲所示,小球A从水平地面上P点的正上方h=5m处自由释放,与此同时,在P点左侧水平地面上的物体B在水平拉力的作用下从静止开始向右运动,B运动的v—t图象如图乙所示,已知物体的质量m=5kg,且A、B两物体均可看作质点,不考虑A球的反弹,g取10m/s2。 求:
(1)小球A下落至地面所需的时间t;
(2)要使A、B两物体能够同时到达P点,求物体B的初始位置与P点的距离s;
(3)若作用在物体B上的水平拉力F=25N,求物体与地面之间的动摩擦因数。
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【题目】如图所示,虚线a、b、c代表电场中的三条电场线,实线为一带负电的粒子仅在电场力作用下通过该区域时的运动轨迹,P、R、Q是这条轨迹上的三点,由此可知( )
A.带电粒子在R点时的加速度小于在Q点时的加速度
B.带电粒子在P点时的电势能比在Q点时的电势能大
C.带电粒子在R点时的动能与电势能之和比在Q点时的小,比在P点时的大
D.带电粒子在R点时的速度大于在Q点时的速度
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【题目】如图所示是由电源E、灵敏电流计G、滑动变阻器R和平行板电容器C组成的电路,开关S闭合.在下列四个过程中,灵敏电流计中有方向由a到b电流的是( )
A. 在平行板电容器中插入电介质
B. 减小平行板电容器两极板间的距离
C. 减小平行板电容器两极板的正对面积
D. 增大平行板电容器两极板的正对面积
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【题目】中国的面食文化博大精深,种类繁多,其中“山西刀削面”堪称天下一绝,传统的操作手法是一手托面,一手拿刀,直接将面削到开水锅里。如图所示,小面圈刚被削离时距开水锅的高度为h,与锅沿的水平距离为L,锅的半径也为L,将削出的小面圈的运动视为平抛运动,且小面圈都落入锅中,重力加速度为g,则下列关于所有小面圈在空中运动的描述正确的是( )
A.运动的时间不一定相同
B.速度的变化量都相同
C.落入锅中时,最大速度是最小速度的3倍
D.若初速度为v0,则
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【题目】半导体内导电的粒子—“载流子”有两种:自由电子和空穴(空穴可视为能自由移动带正电的粒子),以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体,以空穴导电为主的半导体叫P型半导体。图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图,图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中,磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时,会在与z轴垂直的两个侧面之间产生霍尔电势差UH,霍尔电势差大小满足关系,其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e,下列说法中正确的是( )
A. 如果上表面电势高,则该半导体为P型半导体
B. 霍尔系数越大的材料,其内部单位体积内的载流子数目越多
C. 若将磁场方向改为沿z轴正方向,则在垂直y轴的两个侧面间会产生的霍尔电势差变小。
D. 若将电流方向改为沿z轴正方向,则在垂直x轴的两个侧面间会产生的霍尔电势差变大。
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【题目】如图甲所示,质量为0.5kg的物体在水平粗糙的地面上受到一水平外力F作用运动,当物块运动位移9m时,撤去力F,最后物块停止运动。整个运动过程中外力F做功和物体克服摩擦力做功与物体位移的关系如图乙所示,重力加速度g取。下列分析正确的是( )
A.物体与地面之间的动摩擦因数为0.4
B.时,物体速度为6m/s
C.前9m运动过程中物体的加速度为
D.物体运动的位移为13m
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