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【题目】一列简谐横波沿x轴方向传播,在x轴上沿传播方向上依次有PQ两质点,P质点平衡位置位于x=4m处。图(a)为PQ两质点的振动图像,图(b)为t=4s时的波形图,已知PQ两质点平衡位置间的距离不超过10m

(1)求波速的大小及方向;

(2)Q质点平衡位置坐标。

【答案】(1)x轴正方向;(2)7.75m13.75m

【解析】

(1)由图像可知,振动周期T=8s,波长=6m,则波速为

图(a)中虚线为P的振动图线,实线为Q的振动图线,4s末质点P位于平衡位置向y轴负方向振动,根据图(b),则波沿x轴正方向传播。

(2)由题意可知,QP右侧,即波由P传到Q,由PQ两质点的振动图像可知,PQ多振动

k=0123

QP的距离为

k=0123

由于,则

k=01

=3.75m9.75m

代入数据解得

7.75m13.75m

练习册系列答案
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【题目】如图所示,质量为m的物体A静止在质量为M的斜面B上,斜面B的倾角θ30°。现用水平力F推物体A,在F由零逐渐增加至mg再逐渐减为零的过程中,AB始终保持静止。对此过程下列说法正确的是(

A.地面对B的支持力随着力F的变化而变化

B.A所受摩擦力方向始终沿斜面向上

C.A所受摩擦力的最小值为 ,最大值为mg

D.AB的压力的最小值为mg,最大值为mg

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A. 若释放的是电子,电子将向B点运动

B. 若释放的是质子,质子将向B点运动

C. 若释放的是正电荷,要使其向B点运动,必须施加一个指向C的外力

D. 若释放的无论是正电荷还是负电荷,若自由运动,电场力都将做正功

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(2)要使AB两物体能够同时到达P点,求物体B的初始位置与P点的距离s

(3)若作用在物体B上的水平拉力F=25N,求物体与地面之间的动摩擦因数

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【题目】如图所示,虚线abc代表电场中的三条电场线,实线为一带负电的粒子仅在电场力作用下通过该区域时的运动轨迹,PRQ是这条轨迹上的三点,由此可知(  )

A.带电粒子在R点时的加速度小于在Q点时的加速度

B.带电粒子在P点时的电势能比在Q点时的电势能大

C.带电粒子在R点时的动能与电势能之和比在Q点时的小,比在P点时的大

D.带电粒子在R点时的速度大于在Q点时的速度

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【题目】如图所示是由电源E、灵敏电流计G、滑动变阻器R和平行板电容器C组成的电路,开关S闭合.在下列四个过程中,灵敏电流计中有方向由ab电流的是(

A. 在平行板电容器中插入电介质

B. 减小平行板电容器两极板间的距离

C. 减小平行板电容器两极板的正对面积

D. 增大平行板电容器两极板的正对面积

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【题目】中国的面食文化博大精深,种类繁多,其中山西刀削面堪称天下一绝,传统的操作手法是一手托面,一手拿刀,直接将面削到开水锅里。如图所示,小面圈刚被削离时距开水锅的高度为h,与锅沿的水平距离为L,锅的半径也为L,将削出的小面圈的运动视为平抛运动,且小面圈都落入锅中,重力加速度为g,则下列关于所有小面圈在空中运动的描述正确的是(  )

A.运动的时间不一定相同

B.速度的变化量都相同

C.落入锅中时,最大速度是最小速度的3

D.若初速度为v0,则

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【题目】半导体内导电的粒子—“载流子有两种:自由电子和空穴(空穴可视为能自由移动带正电的粒子),以自由电子导电为主的半导体叫N型半导体,以空穴导电为主的半导体叫P型半导体。图为检验半导体材料的类型和对材料性能进行测试的原理图,图中一块长为a、宽为b、厚为c的半导体样品板放在沿y轴正方向的匀强磁场中,磁感应强度大小为B。当有大小为I、沿x轴正方向的恒定电流通过样品板时,会在与z轴垂直的两个侧面之间产生霍尔电势差UH,霍尔电势差大小满足关系,其中k为材料的霍尔系数。若每个载流子所带电量的绝对值为e,下列说法中正确的是(

A. 如果上表面电势高,则该半导体为P型半导体

B. 霍尔系数越大的材料,其内部单位体积内的载流子数目越多

C. 若将磁场方向改为沿z轴正方向,则在垂直y轴的两个侧面间会产生的霍尔电势差变小。

D. 若将电流方向改为沿z轴正方向,则在垂直x轴的两个侧面间会产生的霍尔电势差变大。

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A.物体与地面之间的动摩擦因数为0.4

B.时,物体速度为6m/s

C.9m运动过程中物体的加速度为

D.物体运动的位移为13m

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