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【题目】常见的半导体材料分为P 型半导体和N型半导体,P型半导体中导电载流子是空穴(看作带正电),N型半导体中导电栽流子是电子,利用如图所示的方法可以判断半导体材料的类型并测得半导体中单位体积内的栽流子数现测得一块横截面为矩形的半导体的宽为b,厚为d,并加有与侧面垂直的匀强磁场B,当通以图示方向电流I时,在半导体上、下表面间用电压表可测得电压为U,载流子的电荷量为e,则下列判断正确的是

A. 若上表面电势高,则为P型半导体

B. 若下表面电势高,则为P型半导体

C. 该半导体单位体积内的载流子数为

D. 该半导体单位体积内的载流子数为

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【题目】一束复色光从玻璃界面MN射向空气时分成a、b、c三束光,如图所示,那么可以判定

A. 在玻璃中a光束的速度最大

B. 在玻璃中c光束的速度最大

C. b光束照射光电管恰能发生光电效应,那么光束a 照射这个光电管也一定能发生光电效应

D. c光束的光子能量最小

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【题目】图中虚线是用实验方法描绘出的某一静电场中的一簇等势线,若不计重力的带电粒子从a点射入电场后恰能沿图中的实线运动,b点是其运动轨迹上的另一点,则下述判断正确的是( )

A. b点的电势一定高于a

B. a点的场强一定大于b

C. 带电粒子一定带正电

D. 带电粒子在b点的速率一定小于在a点的速率

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【题目】AB两种单色光均垂直照射到同一条直光纤的端面上,A光穿过光纤的时间比B光穿过光纤的时间长。现用AB两种光照射同种金属,都能发生光电效应,则下列说法正确的是

A. 光纤对B光的折射率大

B. A光打出的光电子的最大初动能一定比B光的大

C. A光在单位时间内打出的电子数一定比B的光的多

D. B光的波动性一定比A光显著

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【题目】研究光电效应规律的实验装置如图所示,以频率为v的光照射光电管阴极K时,有光电子产生。由于光电管K、A间加的是反向电压,光电子从阴极K发射后将向阳极A做减速运动。光电流i由图中电流计测出,反向电压U由电压表测出。当电流计的示数恰好为零时,电压表的示数称为反向截止电压Uc,在下图所表示光电效应实验规律的图像中,正确的是(  )

A. B.

C. D.

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【题目】如图所示,a、b、c为电场中同一条水平方向电场线上的三点,cab的中点,a、b电势分别为φa=5V、φb=3V.下列叙述正确的是(  )

A. 该电场在c点处的电势一定为4 V

B. a点处的场强Ea一定大于b点处的场强Eb

C. 一正电荷从c点运动到b点电势能一定减少

D. 一正电荷运动到c点时受到的静电力由c指向a

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【题目】对于电容,以下说法正确的是 ( )

A. 一只电容充电荷量越大,电容就越大

B. 对于固定电容器,它所充电荷量跟它两极板间所加电压的比值保持不变

C. 可变电容器的充电荷量跟加在两极间的电压成反比

D. 如果一个电容器没有电压,就没有充电荷量,也就没有电容

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【题目】运动质点的的图象如图所示,图线为顶点在坐标原点,开口向右的抛物线的上半支,则下列判断正确的是

A. 质点做初速度为零的匀加速直线运动

B. 质点的加速度大小为5 m/s2

C. 质点在3s末的速度大小为30 m/s

D. 坐标(10,10)处的斜率为0.5

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【题目】氢原子能级如图所示,一群原处于n4 能级的氢原子回到n 1的状态过程中(

A. 放出三种频率不同的光子

B. 放出六种频率不同的光子

C. 放出的光子的最大能量为其12.75ev ,最小能量是0.66eV

D. 放出的光能够使逸出功为13.0eV的金属发生光电效应

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【题目】在电荷量分别为2q-q的两个点电荷形成的电场中,电场线分布如图所示,在两点电荷连线上有a、b、c三点,且b、c两点到正点电荷距离相等,则

A. 在两点电荷之间的连线上存在一处电场强度为零的点

B. 将一电子从a点由静止释放,它将在a、b间往复运动

C. c点的电势高于b点的电势

D. 负试探电荷在a点具有的电势能比在b点时具有的电势能小

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同步练习册答案