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（2010?盐城二模）如图甲是阻值为5Ω的线圈与阻值为15Ω的电阻R构成的回路．线圈在匀强磁场中绕垂直于磁场方向的轴匀速转动，产生的电动势随时间变化的规律如图乙所示．则（　　）

A．电压表的示数为14.14V

B．通过电阻的电流为0.707A

C．电阻R上消耗的功率为7.5W

D．通过电阻的电流方向每秒变化100次

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载流子浓度（单位体积内自由电荷的个数）是半导体材料的重要参数，工艺上通过控制三价或者五价掺杂原子的浓度，来控制P型或者N型半导体的载流子浓度．利用霍尔效应可以测量载流子的浓度或者类型．如图所示一块半导体材料样品，高为d宽为b，均匀磁场垂直于样品表面，磁感应强度为B，样品中通过的电流为I，现在测得霍尔电压为U_H，每个自由电荷所带电荷大小为e，下列说法中正确的是（　　）

A．若测得前后表面的电压大于零，载流子带正电

B．若测得前后表面的电压大于零，载流子带负电

C．载流子浓度为 BI UHde

D．载流子浓度为 BI UHbe

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如图，带电小球套在竖直放置的绝缘直杆上，把此装置放在范围足够大的正交的匀强电场E和匀强磁场B中，小球的质量为m，带电量为q，杆与球之间动摩擦因数为μ，将小球由静止释放，其加速度a，速度的变化情况（　　）

A．释放瞬间，a最大，v等于0

B．当下滑速度v= E B 时，a最大，am=g

C．小球加速度a不断变小，速度不断变大至最大值

D．a先变大后变小，速度不断变大，a=0时速度最大为vm= mg μBq + E B

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（2010?镇江一模）如图所示，两条足够长的平行金属导轨水平放置，导轨的一端接有电阻和开关，导轨光滑且电阻不计，匀强磁场的方向与导轨平面垂直，金属杆ab置于导轨上．当开关S断开时，在杆ab上作用一水平向右的恒力F，使杆ab向右运动进入磁场．一段时间后闭合开关并开始计时，金属杆在运动过程中始终与导轨垂直且接触良好．下列关于金属杆ab的v-t图象不可能的是 （　　）

A．

B．

C．

D．

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（2005?昌平区模拟）如图所示，把一个面积为4.0×10^-2m²的单匝矩形线圈放在磁感应强度为2.0×10^-2T的匀强磁场中，当线圈平面与磁场方向平行时，穿过线圈平面的磁通量为

0

0

Wb；当线圈绕OO’轴转动至与磁场方向垂直位置时，穿过线圈平面的磁通量为

8×10^-4

8×10^-4

Wb．

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下列电学器件中，电容器是

C

C

，B是通过改变

电阻丝长度

电阻丝长度

 来改变电阻阻值的，A的名称是

电流计

电流计

．

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