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如图15-3-11所示,abcd是一竖直放置的矩形导线框,线框面积为S,放在磁感应强度为B的匀强水平磁场中,ab边在水平面内,且与磁场方向夹角成60°.若导线框中的电流为I,则线框所受安培力对某竖直的固定轴的力矩等于…( )
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图15-3-11
A.IBS? B.![]()
C.
? D.由于线框边长及转轴未定,无法确定?
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如图15-3-9所示,质量均匀分布的正方形金属框abOc可绕z轴转动,每边长度 L=0.1 m,每边质量m=0.01 kg;线框处于磁感应强度B=0.98 T的匀强磁场中(磁场方向沿x轴正方向)时,静止在图示位置.已知θ=30°,求线圈内电流的大小和方向.
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图15-3-9
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如图15-2-21所示,将一根长为L的直导线,由中点折成直角放在磁感应强度为B的匀强磁场中,导线平面与磁感线垂直.当导线中通以电流I后,求磁场对导线的作用力.
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图15-2-21
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通电直导线A与圆形通电导线环B固定放置在同一水平面上,通有如图15-2-11所示的电流时,通电直导线A受到水平向______________的安培力作用,当A、B中电流大小保持不变,但同时改变方向时,通电直导线A所受到的安培力方向水平向________________.
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图15-2-11
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物体沿直线运动的
关系如图所示,已知在第1秒内合外力对物体做的功为W,则( )
A.从第1秒末到第3秒末合外力做功为4W。
B.从第3秒末到第5秒末合外力做功为-2W。
C.从第5秒末到第7秒末合外力做功为W。
D.从第3秒末到第4秒末合外力做功为-0.75W。
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K-介子衰变的方程为K-→π-+π0,其中K-介子和π-介子带负的基元电荷,π0介子不带电.一个K-介子沿垂直于磁场的方向射入匀强磁场中,其轨迹为圆弧弧AP,衰变后产生的π-介子的轨迹为圆弧弧PB,两轨迹在P点相切,它们的半径
与
之比为2∶1.π0介子的轨迹未画出.由此可知π-介子的动量大小与π0介子的动量大小之比为( )
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图11-3-12
A.1∶1 B.1∶2 C.1∶3 D.1∶6
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如图15-4-6所示,场强为E的匀强电场和磁感应强度为B的匀强磁场相互正交,一个质子以速度v0以跟E、B都垂直的方向从A点射入.质子质量为m,电荷量为e,当质子运动到c点时,偏离入射方向的距离为d.则质子在c点的速率为多大?
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图15-4-6
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