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如图所示.质量为m的U型金属框.静放在倾角为θ的粗糙绝缘斜面上.与斜面间的动摩擦因数为μ.且最大静摩擦力等于滑动摩擦力,MM′.NN′边相互平行.相距L.电阻不计且足够长,底边MN垂直于MM′.电阻为r,光滑导体棒ab电阻为R.横放在框架上,整个装置处于垂直斜面向上.磁感应强度为B的匀强磁场中.在沿斜面向上与ab垂直的拉力作用下答案解析

科目:gzwl 来源: 题型:

精英家教网如图所示,质量为m的U型金属框M′MNN′,静放在倾角为θ的粗糙绝缘斜面上,与斜面间的动摩擦因数为μ,且最大静摩擦力等于滑动摩擦力;MM′、NN′边相互平行,相距L,电阻不计且足够长;底边MN垂直于MM′,电阻为r;光滑导体棒ab电阻为R,横放在框架上;整个装置处于垂直斜面向上、磁感应强度为B的匀强磁场中.在沿斜面向上与ab垂直的拉力作用下,ab沿斜面向上运动.若导体棒ab与MM′、NN′始终保持良好接触,且重力不计.则:
(1)当导体棒ab速度为v0时,框架保持静止,求此时底边MN中所通过的电流I0,以及MN边所受安培力的大小和方向.
(2)当框架恰好将要沿斜面向上运动时,通过底边MN的电流I多大?此时导体棒ab的速度v是多少?

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精英家教网如图所示,质量为m的U型金属框M′MNN′,静放在倾角为θ的粗糙绝缘斜面上,与斜面间的动摩擦因数为μ,且最大静摩擦力等于滑动摩擦力;MM′、NN′边相互平行,相距L,电阻不计且足够长;底边MN垂直于MM′,电阻为r;光滑导体棒ab电阻为R,横放在框架上;整个装置处于垂直斜面向上、磁感应强度为B的匀强磁场中.在沿斜面向上与ab垂直的拉力作用下,ab沿斜面向上运动.若导体棒ab与MM′、NN′始终保持良好接触,且重力不计.则:
(1)当导体棒ab以速度v0匀速时,框架保持静止,求此时ab两端的电压以及作用在ab上的拉力大小.
(2)当框架恰好将要沿斜面向上运动时,导体棒ab的速度v是多少?
(3)在第(1)问中,为使导体棒ab没有电流,可让磁感应强度大小随时间发生变化.设t=0时的磁感应强度大小为B0,ab与MN相距d0,请写出磁感应强度大小随时间变化的表达式.

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如图所示,质量为m的U型金属框,静放在倾角为θ的粗糙绝缘斜面上,与斜面间的动摩擦因数为μ,且最大静摩擦力等于滑动摩擦力;MM′NN′边相互平行,相距L,电阻不计且足够长;底边MN垂直于MM′,电阻为r;光滑导体棒ab电阻为R,横放在框架上;整个装置处于垂直斜面向上、磁感应强度为B的匀强磁场中。在沿斜面向上与ab垂直的拉力作用下,ab沿斜面向上运动。若导体棒abMM′NN′始终保持良好接触,且重力不计。则:

(1)当导体棒ab速度为v0时,框架保持静止,求此时底边MN中所通过的电流I0,以及MN边所受安培力的大小和方向。

(2)当框架恰好将要沿斜面向上运动时,通过底边MN的电流I多大?此时导体棒ab的速度v是多少?

 


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如图所示,质量为m的U型金属框,静放在倾角为θ的粗糙绝缘斜面上,与斜面间的动摩擦因数为μ,且最大静摩擦力等于滑动摩擦力;MM′NN′边相互平行,相距L,电阻不计且足够长;底边MN垂直于MM′,电阻为r;光滑导体棒ab电阻为R,横放在框架上;整个装置处于垂直斜面向上、磁感应强度为B的匀强磁场中。在沿斜面向上与ab垂直的拉力作用下,ab沿斜面向上运动。若导体棒abMM′NN′始终保持良好接触,且重力不计。则:

(1)当导体棒ab速度为v0时,框架保持静止,求此时底边MN中所通过的电流I0,以及MN边所受安培力的大小和方向。

(2)当框架恰好将要沿斜面向上运动时,通过底边MN的电流I多大?此时导体棒ab的速度v是多少?

 


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如图所示,质量为m的U型金属框,静放在倾角为θ的粗糙绝缘斜面上,与斜面间的动摩擦因数为μ,且最大静摩擦力等于滑动摩擦力;MM′NN′边相互平行,相距L,电阻不计且足够长;底边MN垂直于MM′,电阻为r;光滑导体棒ab电阻为R,横放在框架上;整个装置处于垂直斜面向上、磁感应强度为B的匀强磁场中。在沿斜面向上与ab垂直的拉力作用下,ab沿斜面向上运动。若导体棒abMM′NN′始终保持良好接触,且重力不计。则:

(1)当导体棒ab以速度v0匀速时,框架保持静止,求此时ab两端的电压以及作用在ab上的拉力大小。

(2)当框架恰好将要沿斜面向上运动时,导体棒ab的速度v是多少?

(3)在第(1)问中,为使导体棒ab没有电流,可让磁感应强度大小随时间发生变化。设t=0时的磁感应强度大小为B0abMN相距d0,请写出磁感应强度大小随时间变化的表达式。

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科目:gzwl 来源:2013年广东省江门市、佛山市高考物理二模试卷(解析版) 题型:解答题

如图所示,质量为m的U型金属框M′MNN′,静放在倾角为θ的粗糙绝缘斜面上,与斜面间的动摩擦因数为μ,且最大静摩擦力等于滑动摩擦力;MM′、NN′边相互平行,相距L,电阻不计且足够长;底边MN垂直于MM′,电阻为r;光滑导体棒ab电阻为R,横放在框架上;整个装置处于垂直斜面向上、磁感应强度为B的匀强磁场中.在沿斜面向上与ab垂直的拉力作用下,ab沿斜面向上运动.若导体棒ab与MM′、NN′始终保持良好接触,且重力不计.则:
(1)当导体棒ab速度为v时,框架保持静止,求此时底边MN中所通过的电流I,以及MN边所受安培力的大小和方向.
(2)当框架恰好将要沿斜面向上运动时,通过底边MN的电流I多大?此时导体棒ab的速度v是多少?

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