镓元素在元素周期表中位于第四周期.Ⅲa族.答案解析

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Ga和As在一定条件下可以合成GaAs，GaAs是一种新型化合物半导体材料，其性能比硅更优越．多元化合物薄膜太阳能电池材料为无机盐，其主要包括砷化镓、硫化镉、硫化锌及铜锢硒薄膜电池等．
（1）Ga在元素周期表的位置是

第四周期第IIIA族

第四周期第IIIA族

，As的原子结构示意图

．
（2）Ga的原子核外电子排布式为：

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹

1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s²4p¹

．
（3）GaCl₃和AsF₃的空间构型分别是：GaCl₃

平面三角形

平面三角形

，AsF₃

三角锥形

三角锥形

．
（4）第IV A族的C和Si也可以形成类似的化合物半导体材料SiC，其结构跟金刚石相似，则SiC属于

原子

原子

晶体，并写出其主要的物理性质

硬度大、熔点高

硬度大、熔点高

  （任2种）．
（5）第一电离能：As

＞

＞

Se（填“＞”、“＜”或“=”）．
（6）硫化锌的晶胞中（结构如图所示），硫离子的配位数是

4

4

．
（7）二氧化硒分子的空间构型为

V形

V形

，写出它的1个等电子体的分子式

O₃（或SO₂）

O₃（或SO₂）

．

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10．锌是一种常用金属，冶炼方法有火法和湿法．
Ⅰ．镓（Ga）是火法冶炼锌过程中的副产品，镓与铝同主族且相邻，化学性质与铝相似．氮化镓（GaN）是制造LED的重要材料，被誉为第三代半导体材料．
（1）Ga在元素周期表中的位置第四周期第ⅢA族．
（2）GaN可由Ga和NH₃在高温条件下合成，该反应的化学方程式为2Ga+2NH₃$\frac{\underline{\;高温\;}}{\;}$2GaN+3H₂．
（3）下列有关镓和镓的化合物的说法正确的是ACD（填字母序号）．
A．一定条件下，Ga可溶于盐酸和氢氧化钠
B．常温下，Ga可与水剧烈反应放出氢气
C．Ga₂O₃可由Ga（OH）₃受热分解得到
D．一定条件下，Ga₂O₃可与NaOH反应生成盐
Ⅱ．工业上利用锌焙砂（主要含Zn0、ZnFe₂O₄，还含有少量CaO、FeO、CuO、NiO等氧化物）湿法制取金属锌的流程如图1所示，回答下列问题：

已知：Fe的活泼性强于Ni
（4）ZnFe₂O₄可以写成ZnO•Fe₂O₃，写出ZnFe₂O₄与H₂SO₄反应的化学方程式ZnFe₂O₄+4H₂SO₄═ZnSO₄+Fe₂（SO₄）₃+4H₂O．
（5）净化I操作分为两步：第一步是将溶液中少量的Fe²⁺氧化；第二步是控制溶液pH，只使Fe³⁺转化为Fe（OH）₃沉淀．净化I生成的沉淀中还含有溶液中的悬浮杂质，溶液中的悬浮杂质被共同沉淀的原因是Fe（OH）₃胶粒具有吸附性．
（6）净化II中加入Zn的目的是使Cu²⁺、Ni²⁺转化为Cu、Ni而除去．
Ⅲ．（7）某化学课外小组拟用废旧电池锌皮（含杂质铁），结合图2信息从提供的试剂中选取适当试剂，制取纯净的ZnSO₄•7H₂O．
实验步骤如下：
①将锌片完全溶于稍过量的3mol•L^-1稀硫酸，加入A（选填字母，下同）；
A．30%H₂O₂      B．新制氯水C．FeCl₃溶液D．KSCN溶液
②加入C；
A．纯锌粉B．纯碳酸钙粉末   C．纯ZnO粉末   D．3mol•L^-1稀硫酸
③加热到60℃左右并不断搅拌；
④趁热过滤得ZnSO₄溶液，再蒸发浓缩、冷却结晶，过滤、洗涤、干燥．
其中步骤③加热的主要目的是促进Fe³⁺水解转化为沉淀，并使过量的H₂O₂分解除去．

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科目：gzhx 来源：高考三人行　　化学 题型：013

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3．金属镓是一种广泛用于电子工业和通讯领域的重要金属，镓元素（₃₁Ga）在元素周期表中位于第四周期，ⅢA族，化学性质与铝元素相似．
（1）工业上利用Ga与NH₃合成固体半导体材料氮化镓（GaN）同时有氢气生成，反应中，生成3mol H₂时放出30.8KJ的热．
①反应的热化学方程式是2Ga（s）+2NH₃（g）⇌2GaN（s）+3H₂（g）△H=-30.8KJ/mol．
②反应的化学平衡常数表达式是$\frac{{c}^{3}（{H}_{2}）}{{c}^{2}（N{H}_{3}）}$；温度升高时，反应的平衡常数变小．（填“变大”“变小”或“不变”）
③在密闭体系内进行上述可逆反应，下列有关表达正确的是A．

A．图象Ⅰ中如果纵坐标为正反应速率，则t时刻改变的条件可以为升温或加压
B．图象Ⅱ中纵坐标可以为镓的转化率
C．图象Ⅲ中纵坐标可以为化学反应速率
D．图象Ⅳ中纵坐标可以为体系内混合气体平均相对分子质量
④氮化镓（GaN）性质稳定，但能缓慢的溶解在热的NaOH溶液中，该反应的离子方程式是GaN+OH^-+H₂O$\frac{\underline{\;\;△\;\;}}{\;}$GaO₂^-+NH₃↑．
（2）将一块镓铝合金完全溶于烧碱溶液中得到溶液X．已知：

	Al（OH）3	Ga（OH）3
酸式电离常数Ka	2×10-11	1×10-2
碱式电离常数Kb	1.3×10-33	1.4×10-34

往X溶液中缓缓通入CO₂，最先析出的氢氧化物是Al（OH）₃．
（3）工业上电解精炼镓的原理如下：待提纯的粗镓（内含Zn、Fe、Cu杂质）为阳极，高纯度镓为阴极，NaOH溶液为电解质溶液．在电流作用下使粗镓在阳极溶解进入电解质溶液，离子迁移到达阴极并在阴极放出电析出高纯镓．
①已知离子氧化性顺序为：Zn²⁺＜Ga³⁺＜Fe²⁺＜Cu²⁺，电解精炼镓时阳极泥的成分是Fe、Cu．
②GaO₂^-在阴极放电的电极方程式是GaO₂^-+3e^-+2H₂O=Ga+4OH^-．

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15．已知X、Y和Z三种元素的原子序数之和等于42．X元素原子的4p轨道上有3个未成对电子，Y元素原子的最外层2p轨道上有2个未成对电子．X跟Y可形成化合物X₂Y₃，Z元素可以形成负一价离子．元素M为第四周期元素，M原子核外最外层只有1个电子，其余各层电子均充满．请回答下列问题：
（1）向MSO₄溶液中加入过量NaOH溶液生成离子[M（OH）₄]^2-．若不考虑空间构型，则[M（OH）₄]^2-的结构可用示意图表示为；N₃^-和CO₂是等电子体，则N₃^-的结构式为[N=N=N]^-．
（2）Y元素原子外围电子排布图为．
（3）X与Z可形成化合物XZ₃，该化合物的空间构型为三角锥形．
（4）已知由元素X与镓元素组成的化合物A为第三代半导体．已知化合物A的晶胞结构与金刚石相似，其中X原子位于立方体内，镓原子位于立方体顶点和面心，请写出化合物A的化学式GaAs；化合物A可由（CH₃）₃Ga和XZ₃在700℃下反应制得，反应的化学方程式为（CH₃）₃Ga+AsH₃$\frac{\underline{\;700℃\;}}{\;}$GaAs+3CH₄ ．
（5）已知铝与镓元素位于同一主族，金属铝属立方晶系，其晶胞边长为405pm，密度是2.70g•cm^-3，通过计算确定其晶胞的类型面心立方最密堆积（填简单立方堆积、体心立方堆积或面心立方最密堆积）；晶胞中距离最近的铝原子可看作是接触的，计算铝的原子半径r（A1）=143.17pm．（计算结果保留小数点后两位；已知：405³≈6.64×10⁷，$\sqrt{2}$=1.414）

科目：gzhx 来源：2014届东北三省四市教研协作体高三联合考试理综化学试卷（解析版） 题型：填空题

科目：gzhx 来源：不详 题型：填空题

太阳能电池的发展已经进入了第三代。第一代为单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池，第三代就是铜铟镓硒CIGs（CIS中掺入Ga）等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池。
（1）亚铜离子（Cu⁺）基态时的价电子排布式表示为               。
（2）硒为第4周期元素，相邻的元素有砷和溴，则3种元素的第一电离能从大到小顺序为   （用元素符号表示）。
（3）Cu晶体的堆积方式是         （填堆积名称），其配位数为       ；往Cu的硫酸盐溶液中加入过量氨水，可生成[Cu(NH₃)₄]SO₄，下列说法正确的是_____

A．[Cu (NH3)4]SO4中所含的化学键有离子键、极性键和配位键

B．在[Cu(NH3)4 ]2+中Cu2+给出孤对电子，NH3提供空轨道

C．[Cu (NH3)4]SO4组成元素中第一电离能最大的是氧元素

D．SO42-与PO43-互为等电子体，空间构型均为正四面体

（4）与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H₃BO₃）溶于水显弱酸性，但它却只是一元酸，可以用硼酸在水溶液中的电离平衡解释它只是一元弱酸的原因。
①H₃BO₃中B的原子杂化类型为         ；
②写出硼酸在水溶液中的电离方程式         。
（5）硅与碳是同一主族元素，其中石墨为混合型晶体，已知石墨的层 间距为335pm,C-C键长为142pm,计算石墨晶体密度（要求写出计算过程，得出结果保留三位有效数字,N_A为6.02×10²³mol^-1）

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太阳能电池的发展已经进入了第三代．第一代为单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池，第三代就是铜铟镓硒CIGs（CIS中掺入Ga）等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池．
（1）亚铜离子（Cu⁺）基态时的价电子排布式表示为

 

．
（2）硒为第4周期元素，相邻的元素有砷和溴，则3种元素的第一电离能从大到小顺序为

 

（用元素符号表示）．
（3）Cu晶体的堆积方式是

 

（填堆积名称），其配位数为

 

；往Cu的硫酸盐溶液中加入过量氨水，可生成[Cu（NH₃）₄]SO₄，下列说法正确的是

 

A．[Cu （NH₃）₄]SO₄中所含的化学键有离子键、极性键和配位键
B．在[Cu（NH₃）₄]²⁺中Cu²⁺给出孤对电子，NH₃提供空轨道
C．[Cu （NH₃）₄]SO₄组成元素中第一电离能最大的是氧元素
D．SO₄^2-与PO₄^3-互为等电子体，空间构型均为正四面体
（4）与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H₃BO₃）溶于水显弱酸性，但它却只是一元酸，可以用硼酸在水溶液中的电离平衡解释它只是一元弱酸的原因．
①H₃BO₃中B的原子杂化类型为

 

；
②写出硼酸在水溶液中的电离方程式

 

．
（5）硅与碳是同一主族元素，其中石墨为混合型晶体，已知石墨的层间距为335pm，C-C键长为142pm，计算石墨晶体密度（要求写出计算过程，得出结果保留三位有效数字，N_A为6.02×10²³mol^-1）

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太阳能电池的发展已经进入了第三代．第一代为单晶硅太阳能电池，第二代为多晶硅、非晶硅等太阳能电池，第三代就是铜铟镓硒CIGs（CIS中掺入Ga）等化合物薄膜太阳能电池以及薄膜Si系太阳能电池．
（1）亚铜离子（Cu⁺）基态时的价电子排布式表示为

 

．
（2）硒为第4周期元素，相邻的元素有砷和溴，则3种元素的第一电离能从大到小顺序为

 

（用元素符号表示）．
（3）Cu晶体的堆积方式是

 

（填堆积名称），其配位数为

 

；往Cu的硫酸盐溶液中加入过量氨水，可生成[Cu（NH₃）₄]SO₄，下列说法正确的是

 

A．[Cu （NH₃）₄]SO₄中所含的化学键有离子键、极性键和配位键
B．在[Cu（NH₃）₄]²⁺中Cu²⁺给出孤对电子，NH₃提供空轨道
C．[Cu （NH₃）₄]SO₄组成元素中第一电离能最大的是氧元素
D．SO₄^2-与PO₄^3-互为等电子体，空间构型均为正四面体
（4）与镓元素处于同一主族的硼元素具有缺电子性，其化合物往往具有加合性，因而硼酸（H₃BO₃）溶于水显弱酸性，但它却只是一元酸，可以用硼酸在水溶液中的电离平衡解释它只是一元弱酸的原因．
①H₃BO₃中B的原子杂化类型为

 

；
②硼酸（H₃BO₃）溶液中存在如下反应：H₃BO₃（aq）+H₂O（l）⇌[B（OH）₄]^-（aq）+H⁺（aq）　K=5.7×10^-10（298K）实验中不慎将NaOH沾到皮肤时，用大量水洗后要涂上硼酸溶液．写出硼酸与NaOH反应的离子方程式

 

（5）硅与碳是同一主族元素，其中石墨为混合型晶体，已知石墨的层间距为335pm，C-C键长为142pm，计算石墨晶体密度

 

（写出计算过程，得出结果保留三位有效数字，N_A=6.02×10²³mol^-1）

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8．元素周期表第ⅤA族元素包括氮、磷、砷（As）、锑（Sb）等．这些元素无论在研制新型材料，还是在制作传统化肥、农药等方面都发挥了重要的作用．请回答下列问题：
（1）N₄分子是一种不稳定的多氮分子，其分解后能产生无毒的氮气并释放出大量能量，应用于制造推进剂或炸药．N₄是由四个氮原子组成的氮单质，每个氮原子均为sp³杂化，则该分子的空间构型为正四面体，N-N键的键角为60°．
（3）N、P、As原子的第一电离能由大到小的顺序为N＞P＞As（用元素符号表示）．
（4）天然氨基酸的命名常用俗名（根据来源与性质），例如，最初从蚕丝中得到的氨基酸叫丝氨酸[HOCH₂CH（NH₂）COOH]．观察给出的结构简式可知丝氨酸是（填“有”或“没有”）手性异构体．
（5）砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长，耗能少．已知立方砷化镓晶胞的结构
如图所示，其晶胞边长为c pm，a位置As原子与b位置As原子之间的距离为$\frac{\sqrt{2}}{2}$cpm（用含c的式子表示）．

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12．四种常见元素的相关信息如下表所示，请回答下列问题：

元素	X	Y	Z	W
相关信息	短周期p区元素，有种单质常作电极材料	基态原子2p能级上各轨道中均有电子且电子的自旋方向相同	基态原子的核外电子共有17种运动状态	位于第四周期第VA族

（1）W的基态原子的价电子排布式为4s²4p³，Z、W两种元素的第一电离能的大小关系为Cl＞As（用元素符号表示）．
（2）Z能与X、Y、W形成XZ₄、YZ₃、WZ₃、WZ₅等化合物，其中中心原子杂化方式为sp³的分子是CCl₄、NCl₃、AsCl₃（填化学式，下同），分子构型为正四面体的是CCl₄．
（3）Y、Z及氢、铂元素可组成为Pt（YH₃）₂Z₂的配合物，该配合物存在两种不同的结构：一种为淡黄色（Q），不具有抗癌作用，在水中的溶解度小；另一种为黄绿色（P），具有抗癌作用，在水中的溶解度较大．
①Q是非极性分子（填“极性”或“非极性”）．
②P分子的结构简式为（YH₃作为一个整体写）
（4）X的一种单质分子（N）的球棍模型如图1所示，该分子中每个X原子均形成了稳定的8电子结构，则分子中σ键与π键数目之比为3：1．一定条件下含N_A个X原子的N与足量氢气发生加成反应时，消耗1gH₂
（5）W与镓的化合物（GaW）是一种半导体材料，其晶胞结构如图2所示，镓原子的配位数是4，该晶胞的密度为ρg•cm^-3，则该晶胞的边长为$\root{3}{\frac{580}{ρ•{N}_{A}}}$cm（用含N_A、ρ的代数式表示）．
        
               图1                图2．

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6．元素周期表第ⅤA族元素包括氮、磷、砷（As）、锑（Sb）等．这些元素无论在研制新型材料，还是在制作传统化肥、农药等方面都发挥了重要的作用．
请回答下列问题：
（1）N₄分子是一种不稳定的多氮分子，这种物质分解后能产生无毒的氮气并释放出大量能量，能被应用于制造推进剂或炸药．N₄是由四个氮原子组成的氮单质，其中氮原子采用的轨道杂化方式为sp³，该分子的空间构型为正四面体，N-N键的键角为60°．
（2）基态砷原子的最外层电子排布式为4s²4p³．
（3）N、P、As原子的第一电离能由大到小的顺序为N＞P＞As（用元素符号表示）．
（4）叠氮化钠（NaN₃）用于汽车安全气囊中氮气的发生剂，写出与N^3-互为等电子体的分子的化学式CO₂或CS₂或N₂O（任写一种即可）．
（5）天然氨基酸的命名常用俗名（根据来源与性质），例如，最初从蚕丝中得到的氨基酸叫丝氨酸[HOCH₂CH（NH₂）COOH]．判断丝氨酸是否存在手性异构体？是（填“是”或“否”）
（6）砷化镓为第三代半导体，以其为材料制造的灯泡寿命长，耗能少．已知立方砷化镓晶胞的结构如图所示，其晶胞边长为c pm，则密度为$\frac{5.8×1{0}^{32}}{{N}_{A}•{c}^{3}}$g•cm^-3（用含c的式子表示，设N_A为阿伏加德罗常数的值），a位置As原子与b位置As原子之间的距离为$\frac{\sqrt{2}}{2}$cpm（用含c的式子表示）．

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2．铜、镓、硒、硅等元素的化合物是生产第三代太阳能电池的重要材料．请回答：
（1）基态铜原子的电子排布式为1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d¹⁰4s¹或[Ar]3d¹⁰4s¹；从铜原子价层电子结构变化角度来看，高温时CuO与Cu₂O的稳定性是CuO＜Cu₂O（填写“＞”、“=”或“＜”）．
（2）硒、硅均能与氢元素形成气态氢化物，则它们形成的组成最简单的氢化物中，分子构型分别为V形、正四面体，若“Si-H”中共用电子对偏向氢元素，氢气与硒反应时单质硒是氧化剂，则硒与硅的电负性相对大小为Se＞Si（填写“＞”、“＜”）．
（3）SeO₂常温下白色晶体，熔点为340～350℃，315℃时升华，则SeO₂固体的晶体类型为分子晶体；SeO₂分子中Se原子的杂化类型为sp²．
（4）镓元素在元素周期表中的位置是第四周期第ⅢA族，该元素都具有缺电子性（价电子数少于价层轨道数），其化合物可与具有孤对电子的分子或离子生成配合物，如BF₃能与NH₃反应生成BF₃•NH₃，BF₃•NH₃的结构简式可表示为．
（5）金刚砂（SiC）的晶胞结构如图所示：则在SiC中，每个C原子周围紧邻的C原子数目为12个；若晶胞的边长为a pm，则金刚砂的密度为$\frac{1.6×1{0}^{32}}{{N}_{A}}$g/cm³．

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15．材料的开发、应用和发展是科技进步的结果，同时，材料的发展也促进了科技的进步和发展．
（1）高纯度砷可用于生产新型半导体材料GaAs，砷的电子排布式为[Ar]3d¹⁰4s²4p³．镓在周期表的位置为第四周期第ⅢA族．
（2）对硝基苯酚水合物是一种具有特殊功能的物质，其结构简式为．
①该物质中第二周期元素的第一电离能由大到小的顺序是N＞O＞C＞H．
②该物质受热失去结晶水时，破坏的微粒间的作用力是氢键．
（3）氮化硼（BN）晶体是一种新型无机合成材料．BN晶体有α、β两种类型，且α-BN结构与石墨相似、β-BN结构与金刚石相似．
①α一BN晶体中N原子杂化方式是sp²．
②β-BN晶体中，每个硼原子形成_4个共价键，这些共价键中，有1个为配位键．
（4）①储氢材料的研究是发展氢能源的技术难点之一．某物质的分子可以通过氢键形成“笼状结构”，成为潜在储氢材料，则该分子一定不可能是BC．
A．H₂O      B．CH₄      C．HF      D．CO（NH₂）₂
②Ni和La的合金是目前使用广泛的储氢材料，具有大容量、寿命高耐低温等特点，在日本和中国已实现产业化，该合金的晶胞如右所示．已知该晶胞的摩尔质量为M g•mol^-1，密度为d g•cm^-3，则该晶胞的体积为$\frac{M}{{N}_{A}d}$cm³ （用a、N_A表示）．

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7．钒（V ）、砷（As ）均属于元素周期表第四周期元素，但钒位于VB族，砷位于VA族，请回答下列问题．
（1）高纯度砷可用于生产 GaAs （一种新型半导体材料），镓（Ga ）与砷相比，第一电离能较大的元素是As（填元素符号），GaAs  中砷的化合价为-3．
（2）Na₃AsO₄中含有的化学键类型包括离子键、共价键；AsO₄^3-的空间构型为正四面体，As₄O₆的分子结构如图1所示，则在该化合物中As的杂化方式是sp³．
（3）基态钒原子的核外电子排布式为1s²2s²2p⁶3s²3p⁶3d³4s²或[Ar]3d³4s²．
（4）已知单质钒的晶胞如图2所示，则V 原子的配位数是8，假设晶胞的边长为dcm、密度为ρg/cm³，则钒的相对原子质量为$\frac{1}{2}ρ{d}^{3}{N}_{A}$．（设阿伏加德罗常数的值为N_A ）

（5）V₂O₅ 溶解在NaOH溶液中，可得到钒酸钠（Na₃VO₄），也可以得到偏钒酸钠．已知偏钒酸钠的阴离子呈如图3所示的无限链状结构，则偏钒酸钠的化学式为NaVO₃．

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20．AIN是重要的半导体材料，Ga（镓）、P、As都是形成化合物半导体材料的重要元素．
（ 1 ） As基态原子的电子占据了4个能层，最高能级的电子排布式为4p³．和As位于同一周期，且未成对电子数也相同的元素还有2种．
（2）元素周期表中，与 P紧邻的4种元素中电负性最大的是N（填元素符号）．Si、P、S三种元素的第一电离能由大到小的顺序是P＞S＞Si．
（3）NH₃、PH₃、AsH₃三者的沸点由高到低的顺序是NH₃＞AsH₃＞PH₃，原因是NH₃分子间存在氢键，氨的沸点比同主族元素的氢物高，AsH₃和PH₃分子间不存在氢键，分子量大的氢化物范分子间作用力大，沸点高．
（4）白磷是由 P₄分子形成的分子晶体，P₄分子呈正四面体结构，P原子位于正四面体的四个顶点，其中P原子的杂化轨道类型为sp³． 白磷易溶于 CS₂，难溶于水，原因是P₄和CS₂是非极性分子，H₂O是极性分子，根据相似相溶的原理，P₄易溶于 CS₂，难溶于水．
（5 ）采用 Ga_xIn_1-xAs（镓铟砷）等材料，可提高太阳能电池的效率．Ga_xIn_1-xAs立方体形品胞中每个顶点和面心都有一个原子，晶胞内部有4个原子，则该品胞中含有4个砷原子．
（6）AIN晶体的晶胞结构与金刚石相似（如图），设晶胞的边长为 a cm，N_A表示阿伏加德罗常数，则该品体的密度为$\frac{164}{{a}^{3}{N}_{A}}$g•cm^-3．

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18．AIN是重要的半导体材料，Ga（镓）、P、As（砷）都是形成化合物半导体材料的重要元素．
（1）As基态原子的电子占据了4个能层，最高能级的电子排布式为4p³．和As位于同一周期，且未成对电子数也相同的元素还有2种．
（2）元素周期表中，与P紧邻的4种元素中电负性最大的是N（填元素符号）．Si、P、S三种元素的第一电离能由大到小的顺序是P＞S＞Si．
（3）NH₃、PH₃、AsH₃三者的沸点由高到低的顺序是NH₃＞AsH₃＞PH₃，原因是NH₃分子间存在氢键，氨的沸点比同主族元素的氢物高，AsH₃和PH₃分子间不存在氢键，分子量大的氢化物分子间作用力大，沸点高．
（4）白磷是由P₄分子形成的分子晶体，P₄分子呈正四面体结构，P原子位于正四面体的四个顶点，则P原子的杂化方式为sp³．白磷易溶于CS₂，难溶于水，原因是P₄和CS₂是非极性分子，H₂O是极性分子，根据相似相溶的原理，P₄易溶于 CS₂，难溶于水．
（5）采用Ga_xIn_1-xAs（镓铟砷）等材料，可提高太阳能电池的效率．Ga_xIn_1-xAs立方体形晶胞中每个顶点和面心都有一个原子，晶胞内部有4个原子，则该晶胞中含有4砷原子．
（6）AIN晶体的晶胞结构与金刚石相似（如图），设晶胞的边长为a cm，N_A表示阿伏加德罗常数，则该晶体的密度为$\frac{164}{{a}^{3}{N}_{A}}$g•cm^-3．