（2009?宿迁模拟）已知A、B、C、D、E都是周期表中前四周期的元素，它们的核电荷数A＜B＜C＜D＜E．其中B、D、E原子最外电子层的p能级（轨道）上的电子处于半满状态．通常情况下，A的一种氧化物分子为非极性分子，其晶胞结构如右下图所示．原子序数为31的元素镓（Ga）与元素B形成的一种化合物是继以C单质为代表的第一代半导体材料和GaE为代表的第二代半导体材料之后，在近10年迅速发展起来的第三代新型半导体材料．
试回答下列问题：（答题时，A、B、C、D、E用所对应的元素符号表示）
（1）基态Ga原子的核外电子排布式为
1s22s22p63s23p63d104s24p1
1s22s22p63s23p63d104s24p1
．
（2）A、B、C的第一电离能由大到小的顺序为
N＞C＞Si
N＞C＞Si
．
（3）B元素的单质分子中有
2
2
个π键，与其互为等电子体的物质的化学式可能为
CO（或其他合理答案）
CO（或其他合理答案）
（任写一种）．
（4）上述A的氧化物分子的中心原子采取
sp
sp
杂化，其晶胞中微粒间的作用力为
范德华力
范德华力
．
（5）EH
3分子的空间构型为
三角锥形
三角锥形
，其沸点与BH
3相比
低
低
（填“高”或“低”），原因是
NH3分子间能形成氢键，AsH3分子间不能形成氢键
NH3分子间能形成氢键，AsH3分子间不能形成氢键
．
（6）向CuSO
4溶液中逐滴加入BH
3的水溶液，得到深蓝色的透明溶液．请写出该反应的离子方程式
Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH-
Cu2++2NH3?H2O=Cu（OH）2+2NH4+、Cu（OH）2+4NH3=[Cu（NH3）4]2++2OH-
．
