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    与ab.cd接触良好.回路的电阻为R.整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中.磁感应强度B的变化情况如图乙所示.PQ始终静止.则在内(t=0时刻.安培力大于mgsin).对PQ中电流I及受到的摩擦力F的分析正确的是 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    如图所示．电阻为R，其他电阻均可忽略，ef是一电阻可不计质最为m的水平放置的导体棒，棒的两端分别与竖直放置的ab、cd框保持良好接触，又能沿框架无摩擦下滑，整个装置放在与框架垂直的匀强磁场中，当导体棒ef从静止下滑一段时间后闭合开关S，则S闭合后（　　）
    A．导体棒ef的加速度一定大于g
    B．导体棒ef的加速度一定小于g
    C．导体棒ef最终速度跟S闭合的时刻无关
    D．导体棒ef的机械能与回路内产生的内能之和一定守恒

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    如图，导体框平面与水平面成θ角，质量为的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的总电阻为R，整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度的变化如图（乙），PQ始终静止，则在0—tos内，PQ受到的摩擦力的变化情况可能是（　 ）]

    　　①一直增大

    　 ②一直减小

    　 ③先减小后增大

    　 ④先增大后减小

    A．①②　　 B．①④　 C．②③　 D．③④　

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    图甲中bacd为导体作成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度的变化如图乙，PQ始终静止，在0－ts内，PQ受到的摩擦力的变化情况可能是：

    A．f一直增大

    B．f一直减小

    C．f先减小后增大

    D．f先增大后减小

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    如图甲中abcd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放于垂直框架平面的变化的磁场中，磁感强度B随时间变化规律如图乙，PQ始终静止，在时间0～t内，PQ受到的摩擦力f的大小变化可能是（　　）

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    图甲中bacd为导体做成的框架，其平面与水平面成θ角，质量为m，的导体棒PQ与ab、cd接触良好，回路的电阻为R，整个装置放在垂直于框架平面的变化的磁场中，磁感应强度随时间的变化如图乙，导体棒PQ始终静止，在0～t1时间内（　　）
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