方向如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）共存的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v₀射入场区，则                    （    ）

A．若v₀＞E／B，电子沿轨迹Ⅰ运动，出场区时速度v＞v₀

B．若v₀＞E／B，电子沿轨迹Ⅱ运动，出场区时速度v＜v₀

C．若v₀＜E／B，电子沿轨迹Ⅰ运动，出场区时速度v＞v₀

D．若v₀＜E／B，电子沿轨迹Ⅱ运动，出场区时速度v＜v₀

方向如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）共存的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v₀射入场区，则                    （    ）

A．若v₀＞E／B，电子沿轨迹Ⅰ运动，出场区时速度v＞v₀

B．若v₀＞E／B，电子沿轨迹Ⅱ运动，出场区时速度v＜v₀

C．若v₀＜E／B，电子沿轨迹Ⅰ运动，出场区时速度v＞v₀

D．若v₀＜E／B，电子沿轨迹Ⅱ运动，出场区时速度v＜v₀

方向如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）共存的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v₀射入场区，则                   （    ）

A．若v₀＞E／B，电子沿轨迹Ⅰ运动，出场区时速度v＞v₀

B．若v₀＞E／B，电子沿轨迹Ⅱ运动，出场区时速度v＜v₀

C．若v₀＜E／B，电子沿轨迹Ⅰ运动，出场区时速度v＞v₀

D．若v₀＜E／B，电子沿轨迹Ⅱ运动，出场区时速度v＜v₀

方向如图所示的匀强电场（场强为E）和匀强磁场（磁感应强度为B）共存的场区，一电子沿垂直电场线和磁感线方向以速度v₀射入场区，则                   （   ）