[提问]工业上用什么方法来制备HCl?可否用光照H2.Cl2混合气的方法来制HCl? 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

(三选一)【化学与技术】
氮化硅(Si3N4)是一种优良的高温结构陶瓷,在工业生产和科技领域有重要用途。   
I.工业上有多种方法来制备氮化硅,常见的方法有:   
①方法一  直接氮化法:在1300~1400℃时,高纯粉状硅与纯氮气化合,其反应方程式为__________________________。   
②方法二  化学气相沉积法:在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氮气、氢气反应生成氮化硅和HCl,与方法一相比,用此法制得的氮化硅纯度较高,其原因是__________________   
③方法三  Si(NH2)4热分解法:先用四氯化硅与氨气反应生成Si(NH2)4和一种气体__________  (填分子式);然后使Si(NH2)4受热分解,分解后的另一种产物的分子式为_________。   
Ⅱ.工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下:
已知:X、高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应,Y与X在光照或点燃条件下可反应,Z的焰色呈黄色。
(1)原料B的主要成分是_____________(写名称)。
(2)写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式:_____________________。
(3)上述生产流程中电解A的水溶液时,____(填“能”或 “不能”)用Cu作为阳极材料;写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴、阳极的电极方程式:
阳极:__________________;阴极:___________________。

查看答案和解析>>

氮化硅(Si3N4)是一种优良的高温结构陶瓷,在工业生产和科技领域中有重要用途.

Ⅰ.工业上有多种方法来制备氮化硅,常见的方法:

方法一  直接氮化法:在1 300~1 400℃时,高纯粉状硅与纯氮气化合,其反应方程式为
 

方法二  化学气相沉积法:在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氮气、氢气反应生成氮化硅和HCl,与方法一相比,用此法制得的氮化硅纯度较高,其原因是
 

方法三  Si(NH24热分解法:先用四氯化硅与氨气反应生成Si3N4和一种气体
 
(填分子式);然后使Si(NH24受热分解,分解后的另一种产物的分子式为
 

Ⅱ.(1)氮化硅抗腐蚀能力很强,但易被氢氟酸腐蚀,氮化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐,此盐中存在的化学键类型有
 

(2)已知:25℃,101kPa条件下的热化学方程式:
3Si(s)+2N2(g)═Si3N4(s)△H=-750.2kJ/mol    ①
Si(s)+2C12(g)═SiCl4(g)△H=-609.6kJ/mol    ②
1
2
H2(g)+
1
2
C12(g)═HCl(g)△H=-92.3kJ/mol    ③
请写出四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式:
 

Ⅲ.工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下:

精英家教网
已知:X、高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应,Y与X在光照或点燃条件下可反应,Z的焰色呈黄色.
(1)原料B的主要成分是
 
(填化学式).
(2)写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式:
 

(3)上述生产流程中电解A的水溶液时,阳极材料能否用Cu?
 
(填“能”或“不能”).写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴、阳极的电极反应方程式.阳极:
 
;阴极:
 

查看答案和解析>>

氮化硅(Si3N4)是一种优良的高温结构陶瓷,在工业生产和科技领域有重要用途。

I.工业上有多种方法来制备氮氦化硅,常见的方法有:

方法一  直接氦化法:在1300~1400℃时,高纯粉状硅与纯氦气化合,其反应方程式为

                                                                           

方法二  化学气相沉积法:在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氦气、氢气反应生成氦化硅和HCl,与方法一相比,用此法制得的氦化硅纯度较高,其原因是            

方法三  Si(NH­24热分解法:先用四氯化硅与氨气反应生成Si(NH­24和一种气体

          (填分子式);然后使Si(NH24受热分解,分解后的另一种产物的分子式为             

II.(1)氨化硅抗腐蚀能力很强,但易被氢氟酸腐蚀,氨化硅与氢氟酸反应生成四氟化硅和一种铵盐,此盐中存在的化学键类型有                 

   (2)已知:25℃,101kPa条件下的热化学方程式:

        3Si(s)+2N2(g)==Si3N4(s)   △H=—750.2kJ/mol

        Si(s)+2Cl2(g)==SiCl4(g)   △H=—609.6kJ/mol

        H2(g)+Cl2(g)==HCl(g) △H=—92.3kJ/mol

        请写出四氯化硅气体与氮气、氢气反应的热化学方程式:

                                                                             

III.工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下:

 

    已知:X,高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应,Y与X在光照或点燃条件下可反应,Z的焰色呈黄色。

   (1)原料B的主要成分是              

   (2)写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式:                 

   (3)上述生产流程中电解A的水溶液时,阳极材料能否用Cu?   (填“能”或“不能”)。

        写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴阳极的电极方程式:

        阳极:                      ;阴极:                   

 

查看答案和解析>>

(15分)

氮化硅(Si3N4)是一种优良的高温结构陶瓷,在工业生产和科技领域有重要用途.

I.工业上有多种方法来制备氮化硅,常见的方法有:

方法一  直接氮化法:在1300℃-1400℃时,高纯粉状硅与纯氮气化合,其反应方程式为             .

方法二  化学气相沉积法:在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氮气、氢气反应生成氮化硅和HCl,与方法一相比,用此法制得的氮化硅纯度较高,其原因是           .

方法三  Si(NH2)4热分解法:先用四氯化硅与氨气反应生成Si(NH2)4和一种气体(填分子式)      ;然后使Si(NH2)4受热分解,分解后的另一种产物的分子式为          

II.工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下:

已知:X、高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应,YX在光照或点燃条件下可反应,Z的焰色呈黄色.

(1)写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式:                       

(2)上述生产流程中电解A的水溶液的化学方程式:                       

 

查看答案和解析>>

氮化硅( Si3N4)是一种优良的高温结构陶瓷,在工业生产和科技领域有重要用途.

I.工业上有多种方法来制备氮化硅,常见的方法有:

方法一:直接氮化法:在1300℃-1400℃时,高纯粉状硅与纯氮气化合,其反应方程式为

                                                                  

方法二:化学气相沉积法:在高温条件下利用四氯化硅气体、纯氮气、氢气反应生成氮化硅和HC1,与方法一相比,用此法制得的氮化硅纯度较高,其原因是                  

方法三:Si(NH24热分解法:先用四氯化硅与氨气反应生成Si(NH24和一种气体(填分子式)________;然后使Si(NH24受热分解,分解后的另一种产物的分子式为              

II.工业上制取高纯硅和四氯化硅的生产流程如下:

已知:X、高纯硅、原料B的主要成分都可与Z反应,Y与X在光照或点燃条件下可反应,Z的焰色呈黄色.

(1)原料B的主要成分是(写名称)                                 

(2)写出焦炭与原料B中的主要成分反应的化学方程式:                           

(3)上述生产流程中电解A的水溶液时,阳极材料能否用Cu                (填“能”或“不能”),写出Cu为阳极电解A的水溶液开始一段时间阴阳极的电极方程式:

阳极:                             ;阴极:                           

 

查看答案和解析>>


同步练习册答案