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    8．水平方向的有界匀强磁场.上.下边界MN.PQ均水平.且相距为L．一个边长为的正方形铜线框.从某高处自由下落.下落过程中边始终保持水平状态且线框平面总在竖直平面内.在线框进入磁场的过程中.产生的感应电流随时间的变化如图乙所示．若从边出磁场开始计时.取向下为正方向.则线框所受安培力随时间变化的图象可能是图丙中的 【查看更多】

     

    题目列表(包括答案和解析)

    水平方向的有界匀强磁场，上、下边界MN、PQ均水平，且相距为L．一个边长为d（d＜L）的正方形铜线框abcd，从某高处自由下落，下落过程中cd边始终保持水平状态且线框平面总在竖直平面内，在线框进入磁场的过程中，产生的感应电流i随时间t的变化如图乙所示．若从cd边出磁场开始计时，取向下为正方向，则线框所受安培力FA随时间t变化的图象可能是（　　）

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    有一匀强磁场区域，区域的上下边界MM′、NN′与水平面平行，磁场的磁感应强度为B，方向如图所示，磁场上下边界的距离为H．一矩形线圈abcd位于竖直平面内，其质量为m，电阻为R，ab边长L1，bd边长L2，且L2＜H．现令线框从离磁场区域上边界MM′的距离为h处自由下落，当cd边已进入磁场，ab边还未进入磁场的某一时刻，线框的速度已到达其完全进入磁场前的最大值，线框下落过程中cd边始终与磁场边界平行．试求：
    （1）线框完全进入磁场前速度的最大值；
    （2）从线框开始下落到cd边刚刚到达磁场区域下边界NN′的过程中，磁场作用于线框的安培力所做的功；
    （3）线框cd边刚穿出磁场区域下边界NN′时线框的加速度．

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    有一匀强磁场区域，区域的上下边界MM＇、NN＇与水平面平行，磁场的磁感应强度为B，方向如图所示，磁场上下边界的距离为H。一矩形线圈abcd位于竖直平面内，其质量为m，电阻为R，ab边长L1，bd边长L2，且L2＜H。现令线框从离磁场区域上边界MM＇的距离为h处自由下落， 当cd边已进入磁场，ab边还未进入磁场的某一时刻，线框的速度已到达其完全进入磁场前的最大值，线框下落过程中cd边始终与磁场边界平行。试求：

    （1）线框完全进入磁场前速度的最大值；

    （2）从线框开始下落到cd边刚刚到达磁场区域下边界NN＇的过程中，磁场作用于线框的安培力所做的功；

    （3）线框cd边刚穿出磁场区域下边界NN＇时线框的加速度。

     


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    有界的水平方向匀强磁场，上、下两个界面MN和PQ间的距离为L，一个边长为a（L＞2a）的正方形线框从高处自由落下，进入MN界面的过程中，线框的两个边始终与MN平行，线框中的感应电流i随时间t变化的图像如图（1）所示．当线框的下边从PQ界面穿出时开始计时，线框从磁场中穿出时感应电流随时间变化的图像可能是图（2）中的（　）

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    如图，宽度为的有界匀强磁场竖直向下穿过光滑的水平桌面，一质量为的椭圆形导体框平放在桌面上，椭圆的长轴平行磁场边界，短轴小于。现给导体框一个初速度 (垂直磁场边界)，导体框全部在磁场中的速度为，导体框全部出磁场后的速度为；导体框进入磁场过程中产生的焦耳热为，导体框离开磁场过程中产生的焦耳热为。下列说法正确的是

    A、导体框离开磁场过程中，感应电流的方向为顺时针方向

    B、

    C、          

    D、

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