如图两根不计电阻的光滑金属导轨MN、PQ并排固定在同一绝缘水平面上，将两根完全相同的导体棒a、b静止置于导轨上，两棒与导轨接触良好且与导轨垂直，整个装置处于竖直向下的匀强磁场中。已知两导轨间的距离为L，导体棒的质量均为m，现突然给导体棒b一水平瞬间冲量使之产生一向右的初速度v_o，下列说法正确的是     

A.据上述已知量可求出棒a的最终速度       B.据上述已知量可求出棒a上产生的总焦耳热

C.据上述已知量可求出通过棒a的最大电量   D.据上述已知量可求出棒a、b间的最大间距

如图所示，绝缘的水平桌面上方有一竖直方向的矩形区域，该区域是由三个边长均为L的正方形区域ABFE、BCGF和CDHG首尾相接组成的，且矩形的下边EH与桌面相接。三个正方形区域中分别存在方向为竖直向下、竖直向上、竖直向上的匀强电场，其场强大小比例为1：1：2。现有一带正电的滑块以某一初速度从E点射入场区，初速度方向水平向右，滑块最终恰从D点射出场区，已知滑块在ABFE区域所受静电力和所受重力大小相等，桌面与滑块之间的滑动摩擦因素为0.125，重力加速度为g，滑块可以视作质点。求：

（1）滑块进入CDHG区域时的速度大小。

（2）滑块在ADHE区域运动的总时间。

下图中，A～C表示花盆放在具有一定转速的匀速旋转的转盘上。A放在转盘的圆周上；B放在开小窗的暗箱内，暗箱放在转盘正中；C放在转盘正中，外套上开小窗的暗箱。下列说法错误的是

A．A花盆中的植株的根将竖直向下生长    

B．若B花盆和暗箱一起旋转，B花盆中的小苗将会弯向小窗生长    

C．若B花盆不转，暗箱随转盘旋转，B花盆中的小苗将会弯向单侧光源生长       

D．若C花盆旋转，暗箱不随转盘转，C花盆中的小苗将会直立生长

如图所示，绝缘的水平桌面上方有一竖直方向的矩形区域，该区域是由三个边长均为L的正方形区域ABFE、BCGF和CDHG首尾相接组成的，且矩形的下边EH与桌面相接。三个正方形区域中分别存在方向为竖直向下、竖直向上、竖直向上的匀强电场，其场强大小比例为1：1：2。现有一带正电的滑块以某一初速度从E点射入场区，初速度方向水平向右，滑块最终恰从D点射出场区，已知滑块在ABFE区域所受静电力和所受重力大小相等，桌面与滑块之间的滑动摩擦因素为0.125，重力加速度为g，滑块可以视作质点。求：

（1）滑块进入CDHG区域时的速度大小。

（2）滑块在ADHE区域运动的总时间。

如图所示，绝缘的水平桌面上方有一竖直方向的矩形区域，该区域是由三个边长均为L的正方形区域ABFE、BCGF和CDHG首尾相接组成的，且矩形的下边EH与桌面相接。三个正方形区域中分别存在方向为竖直向下、竖直向上、竖直向上的匀强电场，其场强大小比例为1：1：2。现有一带正电的滑块以某一初速度从E点射入场区，初速度方向水平向右，滑块最终恰从D点射出场区，已知滑块在ABFE区域所受静电力和所受重力大小相等，桌面与滑块之间的滑动摩擦因素为0.125，重力加速度为g，滑块可以视作质点。求：

（1）滑块进入CDHG区域时的速度大小。

（2）滑块在ADHE区域运动的总时间。