洛伦兹力的特点 (1)运动的电荷才在可能受到洛伦兹力.静止的电荷在磁场中不受洛伦兹力. (2)洛仑兹力的大小和方向都与带电粒子运动状态有关. (3)洛仑兹力对运动电荷不做功.不会改变电荷运动的速率. 洛伦兹力的方向垂直于v和B组成的平面.即洛伦兹力垂直于速度方向.因此.洛伦兹力只改变速度的方向.不改变速度的大小.所以洛伦兹力对电荷不做功. 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

在下图所示的各图中,匀强磁场的磁感应强度均为B,带电粒子的速率均为v、带电荷量均为q.试求出图中带电粒子所受洛伦兹力的大小:(1)__________,(2)__________,(3)__________,(4)_________.并标出洛伦兹力的方向.

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精英家教网如图所示,匀强磁场的磁感应强度大小为B,方向垂直纸面向里.一个质量为m、电荷量为q的正离子,以速度到从小孔0射人匀强磁场,入射时速度方向既垂直于磁场方向,又与屏垂直,偏转后打在屏上S点(S点未在图上画出),求:
(1)刚进入磁场时,离子受到洛伦兹力的大小和方向;
(2)屏上S点到0点的距离;
(3)离子从o点运动到S点的时间.

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利用霍尔效应制作的霍尔元件以及传感器,广泛应用于测量和自动控制等领域.
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如图1,将一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时,另外两侧c、f间产生电势差,这一现象称为霍尔效应.其原因是薄片中的移动电荷受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,于是c、f间建立起电场EH,同时产生霍尔电势差UH.当电荷所受的电场力与洛伦兹力处处相等时,EH和UH达到稳定值,UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式UH=RH
IBd
,其中比例系数RH称为霍尔系数,仅与材料性质有关.
(1)设半导体薄片的宽度(c、f间距)为l,请写出UH和EH的关系式;若半导体材料是电子导电的,请判断图1中c、f哪端的电势高;
(2)已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n,电子的电荷量为e,请导出霍尔系数RH的表达式.(通过横截面积S的电流I=nevS,其中v是导电电子定向移动的平均速率);
(3)图2是霍尔测速仪的示意图,将非磁性圆盘固定在转轴上,圆盘的周边等距离地嵌装着m个永磁体,相邻永磁体的极性相反.霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近.当圆盘匀速转动时,霍尔元件输出的电压脉冲信号图象如图3所示.
a.若在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,请导出圆盘转速N的表达式.
b.利用霍尔测速仪可以测量汽车行驶的里程.除此之外,请你展开“智慧的翅膀”,提出另一个实例或设想.

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如图示,一个质子以速度v进入匀强磁场中,速度方向与磁场方向垂直.匀强磁场的磁感强度为B,质子的电荷为q,质量为m.质子在洛伦兹力的作用下做匀速圆周运动,用所给的这些物理量,推导出质子在磁场中做圆周运动的半径R的表达式为
R=
mv
qB
R=
mv
qB
.已知磁场的磁感强度B=6.3×10-2T,质子电荷q=1.6×10-19C,质子质量m=1.7×10-27kg,则计算出质子做圆周运动的周期为
1.1×10-6
1.1×10-6
s(保留二位有效数字).

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一金属或半导体薄片垂直置于磁场B中,在薄片的两个侧面a、b间通以电流I时,另外两侧c、f间产生电势差,这一现象称为霍尔效应.如图某薄片中通以向右的电流I,薄片中的自由电荷电子受洛伦兹力的作用向一侧偏转和积累,于是c、f间建立起电场EH,同时产生霍尔电势差UH.当电荷所受的电场力和洛伦兹力处处相等时,EH和UH达到稳定值,UH的大小与I和B以及霍尔元件厚度d之间满足关系式UH=RH
IBd
,其中比例系数RH称为霍尔系数,仅与材料性质有关.
(1)设半导体薄片的宽度(c、f间距)为l,请写出UH和EH的关系式;并判断图1中c、f哪端的电势高;
(2)已知半导体薄片内单位体积中导电的电子数为n,电子的电荷量为e,请导出霍尔系数RH的表达式(通过横截面积S的电流I=nevS,其中v是导电电子定向移动的平均速率);
(3)图2是霍尔测速仪的示意图,将非磁性圆盘固定在转轴上,圆盘的半径为R,周边等距离地嵌装着m个永磁体,相邻永磁体的极性相反.霍尔元件置于被测圆盘的边缘附近,如图所示.当圆盘匀速转动时,霍尔元件输出的电压脉动信号图象如图3所示.若在时间t内,霍尔元件输出的脉冲数目为P,请导出圆盘边缘线速度的表达式.

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