所含分子数相同的一组物质是：

1. A.
   1g H₂和1g N₂
2. B.
   1mol H₂O和1g H₂O
3. C.
   3.2g O₂和2.24L的空气（标准状况下）
4. D.
   44gCO₂和6.02×10²²个O₂

所含分子数相同的一组物质是：（   ）

A．1g H₂和1g N₂                      B． 1mol H₂O和1g H₂O

C．3.2g O₂和2.24L的空气（标准状况下）  D． 44gCO₂和6.02×10²²个O₂

所含分子数相同的一组物质是：（  ）

（12分） “物质结构与性质”

（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为               。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为            。在四大晶体类型中，GaN属于             晶体。

（2）铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有               的原子或离子

（3）CuCl₂溶液与乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配离子：请回答下列问题：

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是          。

②SO₂分子的空间构型为           。与SnCl₄互为等电子体的一种离子的化学式为           。

③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为          。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是                             。

④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有              。   

a．配位键     b．极性键    c．离子键    d．非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为               。

（12分） “物质结构与性质”

（1）第ⅢA、ⅤA元素组成的化合物GaN、GaP、GaAs等是人工合成的新型半导体材料，其晶体结构与单晶硅相似。Ga原子的电子排布式为               。在GaN晶体中，与同一个Ga原子相连的N原子构成的空间构型为            。在四大晶体类型中，GaN属于             晶体。

（2）铜、铁元素能形成多种配合物。微粒间形成配位键的条件是：一方是能够提供孤电子对的原子或离子，另一方是具有               的原子或离子

（3）CuCl₂溶液与乙二胺(H₂N-CH₂-CH₂-NH₂)可形成配离子：请回答下列问题：

① H、N、O三种元素的电负性由大到小的顺序是          。

②SO₂分子的空间构型为           。与SnCl₄互为等电子体的一种离子的化学式为           。

③乙二胺分子中氮原子轨道的杂化类型为          。乙二胺和三甲胺[N(CH₃)₃]均属于胺，但乙二胺比三甲胺的沸点高的多，原因是                             。

④⑶中所形成的配离子中含有的化学键类型有               。   

a．配位键     b．极性键     c．离子键    d．非极性键

⑤CuCl的晶胞结构如右图所示，其中Cl原子的配位数为               。