15(2008年上海市长宁区4月模拟)如图所示.质量为m.电量为e的电子.由a点以速率v竖直向上射入匀强磁场.经过一段时间后由b点以不变的速率v反方向飞出.已知ab长为L.试求 (1)电子在匀强磁场中飞行时的加速度.并说明电子在磁场中作什么运动, (2)求匀强磁场的磁感应强度B的大小和方向. 解:(1)电子的加速度大小 方向不断变化 电子从a -b作匀速圆周运动 (2) 解得 B的方向垂直纸面向里 16如图所示.横截面为矩形的管道中.充满了水银.管道的上下两壁为绝缘板.左右两壁为导体板..两导体板被一无电阻的导线短接.管道的高度为.宽度为.长度为.加在管道两端截面上的压强差恒为.水银以速度沿管道方向流动时.水银受到管道的阻力与速度成正比.即(为已知量).求: (1)水银的稳定速度为多大? (2)如果将管道置于一匀强磁场中.磁场与绝缘壁垂直.磁感应强度的大小为.方向向上.此时水银的稳定流速又是多大?(已知水银的电阻率为.磁场只存在于管道所在的区域.不考虑管道两端之外的水银对电路的影响) 答案:(1). (2)感应电动势) 电阻 由欧姆定律得 由平衡条件可得 所以 17(北京顺义区2008届期末考)两块金属a.b平行放置.板间存在与匀强电场正交的匀强磁场.假设电场.磁场只存在于两板间的空间区域.一束电子以一定的初速度v0从两极板中间.沿垂直于电场.磁场的方向射入场中.无偏转地通过场区.如图所示.已知板长l=10cm.两板间距d=3.0cm.两板间电势差U=150V.v0=2.0×107m/s.求: (1)求磁感应强度B的大小, (2)若撤去磁场.求电子穿过电场时偏离入射方向的距离.以及电子通过场区后动能增加多少?(电子所带电荷量的大小与其质量之比.电子电荷量的大小e=1.60×10-19C) 解析: (1)电子进入正交的电磁场不发生偏转.则满足 (2)设电子通过场区偏转的距离为y1 18(北京东城区2008届期末考)电子自静止开始经M.N板间(两板间的电压为U)的电场加速后从A点垂直于磁场边界射入宽度为d的匀强磁场中.电子离开磁场时的位置P偏离入射方向的距离为L.如图所示.求: (1)正确画出电子由静止开始直至离开匀强磁场时的轨迹图, (2) 匀强磁场的磁感应强度.(已知电子的质量为m.电荷量为e) 解析: (1)作电子经电场和磁场中的轨迹图.如右图所示 (2)设电子在M.N两板间经电场加速后获得的速度为v.由动能定理得: -----------① 电子进入磁场后做匀速圆周运动.设其半径为r.则: -------- ----② 由几何关系得: --------③ 联立求解①②③式得: 19(2008年苏.锡.常.镇四市调查)电子扩束装置由电子加速器.偏转电场和偏转磁场组成.偏转电场由加了电压的相距为d的两块水平平行放置的导体板形成.匀强磁场的左边界与偏转电场的右边界相距为s.如图甲所示.大量电子由静止开始.经加速电场加速后.连续不断地沿平行板的方向从两板正中间射入偏转电场.当两板不带电时.这些电子通过两板之间的时间为2t0.当在两板间加如图乙所示的周期为2t0.幅值恒为U0的电压时.所有电子均从两板间通过.进入水平宽度为l.竖直宽度足够大的匀强磁场中.最后通过匀强磁场打在竖直放置的荧光屏上.问: (1)电子在刚穿出两板之间时的最大侧向位移与最小侧向位移之比为多少? (2)要使侧向位移最大的电子能垂直打在荧光屏上.匀强磁场的磁感应强度为多少? 问的情况下.打在荧光屏上的电子束的宽度为多少?(已知电子的质量为m.电荷量为e) 解析: (1)由题意可知.要使电子的侧向位移最大.应让电子从0.2t0.4t0--等时刻进入偏转电场.在这种情况下.电子的侧向位移为 要使电子的侧向位移最小.应让电子从t0.3t0--等时刻进入偏转电场.在这种情况下.电子的侧向位移为 所以最大侧向位移和最小侧向位移之比为 (2)设电子从偏转电场中射出时的偏向角为q .由于电子要垂直打在荧光屏上.所以电子在磁场中运动半径应为: 设电子从偏转电场中出来时的速度为vt.垂直偏转极板的速度为vy.则电子从偏转电场中出来时的偏向角为: 式中 又 由上述四式可得: (3)由于各个时刻从偏转电场中出来的电子的速度大小相同.方向也相同.因此电子进入磁场后的半径也相同. 由第(1)问可知电子从偏转电场中出来时的最大侧向位移和最小侧向位移的差值为: 所以打在荧光屏上的电子束的宽度为 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

(2008年上海卷)如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II,两电场的边界均是边长为L的正方形(不计电子所受重力).

(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子,求电子离开ABCD区域的位置.

(2)在电场I区域内适当位置由静止释放电子,电子恰能从ABCD区域左下角D处离开,求所有释放点的位置.

(3)若将左侧电场II整体水平向右移动L/nn≥1),仍使电子从ABCD区域左下角D处离开(D不随电场移动),求在电场I区域内由静止释放电子的所有位置.

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(2008年上海卷)如图所示为研究电子枪中电子在电场中运动的简化模型示意图.在Oxy平面的ABCD区域内,存在两个场强大小均为E的匀强电场I和II,两电场的边界均是边长为L的正方形(不计电子所受重力).

(1)在该区域AB边的中点处由静止释放电子,求电子离开ABCD区域的位置.

(2)在电场I区域内适当位置由静止释放电子,电子恰能从ABCD区域左下角D处离开,求所有释放点的位置.

(3)若将左侧电场II整体水平向右移动L/nn≥1),仍使电子从ABCD区域左下角D处离开(D不随电场移动),求在电场I区域内由静止释放电子的所有位置.

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(2008年上海卷.物理.)用如图所示的实验装置观察光的薄膜干涉现象。图2(a)是点燃酒精灯(在灯芯上洒些盐),图2(b)是竖立的附着一层肥皂液薄膜的金属丝圈。将金属丝圈在其所在的竖直平面内缓慢旋转,观察到的现象是

A.当金属丝圈旋转30°时干涉条纹同方向旋转30°

B.当金属丝圈旋转45°时干涉条纹同方向旋转90°

C.当金属丝圈旋转60°时干涉条纹同方向旋转30°             图2

D.干涉条纹保持原来状态不变

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2008年上海 物理14.如图所示,在光滑绝缘水平面上,两个带等量正电的点电荷MN,分别固定在AB两点,OAB连线的中点,CDAB的垂直平分线。在CO之间的F点由静止释放一个带负电的小球P(设不改变原来的电场分布),在以后的一段时间内,PCD连线上做往复运动。若

(A)小球P的带电量缓慢减小,则它往复运动过程中振幅不断减小

(B)小球P的带电量缓慢减小,则它往复运动过程中每次经过O点时的速率不断减小

(C)点电荷MN的带电量同时等量地缓慢增大,则小球P往复运动过程中周期不断减小

(D)点电荷MN的带电量同时等量地缓慢增大,则小球P往复运动过程中振幅不断减小

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2008年上海网球大师杯赛于11月16日落下帷幕,塞尔维亚的“当红炸子鸡”德约笠维奇第三次捧杯,如图为德大师将在边界处正上方水平向右击出,球刚好过网落在图中位置(不计空阻力),相关数据如图,下列说法中正确的是
[     ]
A.击球点高度h1与球网高度h2之间的关系为h1=1.8h2
B.若保持击球高度不变,球的初速度v0只要不大于,一定落在对方界内
C.任意降低击球高度(仍大于h2),只要击球初速度合适,球一定能落在对方界内
D.任意增加击球高度,只要击球速度合适,球一定能落在对方界内

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同步练习册答案