6.关于下列各装置图的叙述中.不正确的是 查看更多

 

题目列表(包括答案和解析)

关于下列各装置图的叙述中,不正确的是(    )

A.装置①中,c为阳极、d为阴极

B.装置②可用于收集H2、NH3、CO2、Cl2、HCl、NO2等气体

C.装置③中X若为苯,可用于吸收氨气或氯化氢,并防止倒吸

D.装置④可用于干燥、收集氨气,并吸收多余的氨气

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关于下列各装置图的叙述中,不正确的是(    )

A.装置①中,d为阳极、c为阴极

B.装置②可用于收集H2、NH3、CO2、Cl2、HCl、NO等气体

C.装置③中X若为CCl4,可用于吸收NH3或HCl,(NH3和HCl不溶于CCl4)并可防止倒吸

D.装置④可用于干燥、收集NH3,并吸收多余的NH3

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关于下列各装置图的叙述中,不正确的是(  )

①             ②                    ③                  ④

A.用装置①精炼铜,则a极为粗铜,电解质溶液为CuSO4溶液

B.装置②的总反应是:Cu+2Fe3+=Cu2++2Fe2+

C.装置③中钢闸门应与外接电源的负极相连

D.装置④中的铁钉几乎没被腐蚀

 

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关于下列各装置图的叙述中,不正确的是(    )

A.实验室常用装置①制取NH3
B.装置②中X若为CCl4,可用于吸收NH3,并防止倒吸
C.装置③可用于制备Fe(OH)2并较长时间观察其白色
D.装置④可用于收集NO

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关于下列各装置图的叙述中,不正确的是                                  (    )

A.若采用装置①精炼铜,则d极为粗铜,c极为纯铜,电解质溶液为CuSO4溶液

B.装置②是原电池,能将化学能转化为电能,锌电极发生氧化反应

C.装置③中X若为四氯化碳,可用于吸收氨气或氯化氢,并防止倒吸

D.装置④可用于收集氨气,并吸收多余的氨气

 

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1、B  2、C  3、D  4、A  5、D  6、A  7、D  8、C  9、AC  10、D  11、D  12、BD  13、AB   14、A

15.(12分)

1、(1)Br2;Fe3+  (每空2分,共4分)

(2)假设1方案:向黄色溶液加入CCl4,振荡,静置,下层溶液呈橙红色。(2分)

假设2方案:向黄色溶液滴加KSCN溶液,溶液变为(血)红色       (2分)

2、假设2 (1分);不可行(1分);因为Br2和Fe3+都能把I氧化成I2使溶液都变蓝,无法得出结论。(2分)

3、2 Fe2+ + 4 Br- + 3Cl2 == 2 Fe3+ +2 Br2 + 6Cl-  (2分)

16、

17、各元素分别为A :H    B :O  C: Na     D:S

    各物质为 a:SO2    b:SO3     c:H2S     d:H2O      e :H2O2

 

18.(10分)

(1)SO2  NH4(各2分,共4分)

(2)2Fe2++ Cl2=2 Fe3+ + 2Cl- (2分)     4NH3+3Cl2=NCl3+3NH4Cl  (2分)

(3)饱和H水溶液中存在平衡:Cl2+H2O6ec8aac122bd4f6eH++Cl-+HClO,加入的CaCO3粉末与H+反应,平衡正向移动,HClO浓度增大   (2分)

 

19(10分)(1)①②④  (2)羧基  碳碳双键

6ec8aac122bd4f6e

6ec8aac122bd4f6e

 

 

 

6ec8aac122bd4f6e20.(1)① 1(2分);672(2分)② 0.56(2分)

(2)520∽787(2分)

(3)见右图(4分,部分正确酌情给分)

 

 

 

 

八、本题分A、B两题,考生只要选择其中一题作答。若两题都作答,则以A题得分计入总分。本题共12分。

21A.物质结构与性质(12分)

(1)I.IIIA   (1分)

II.IVA  (1分);b;a点所示的氢化物是水,其沸点高是由于在水分子间存在氢键,所以氧族元素中其它氢化物的沸点不会高于水。 (1分)

(2)I.3d24S2       (2分)

II.①BaTiO3      (2分)            6    (2分)

②[TiCl(H2O)5]Cl2 ?H2O(3分)

 

21.B⑴2NH3 + 3CuO 6ec8aac122bd4f6e 3Cu + N2 + 3H2O  

利用NaOH的碱性和遇水放热的性质,使NH3?H2O 分解后逸出      

   C   (填序号);

黑色固体变成了亮红色    

吸收多余的NH3      

3a/22.4mol;9a/11.2b   

减少   因为由NH3带出的水蒸气进入D装置,导致H原子的个数增加

 

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