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在国际单位制中,电压的单位是:

A.安培
B.焦耳
C.伏特
D.库仑
相关习题

科目:初中物理 来源:同步题 题型:单选题

在国际单位制中,电压的单位是:
[     ]
A. 安培
B. 焦耳
C. 伏特
D. 库仑

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科目:初中物理 来源:专项题 题型:单选题

在国际单位制中,下面列举的物理量与它的主单位对应错误的是:
[     ]
A.长度──米(m)
B.时间──分(min)
C.电压──伏特(V)
D.能量──焦耳(J)

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科目:初中物理 来源: 题型:

电压的单位:
(1)在国际单位制中,电压的单位是
伏特
伏特
,简称
,符号是
V
V

(2)电压的单位中,比“伏”大的单位还有
千伏
千伏
,比伏小的单位还有
毫伏
毫伏
微伏
微伏

(3)换算关系:1kV=
1000
1000
V;1V=
1000
1000
mV.

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科目:初中物理 来源: 题型:解答题

电压的单位:
(1)在国际单位制中,电压的单位是______,简称______,符号是______.
(2)电压的单位中,比“伏”大的单位还有______,比伏小的单位还有______、______.
(3)换算关系:1kV=______V;1V=______mV.

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科目:初中物理 来源:不详 题型:问答题

电压的单位:
(1)在国际单位制中,电压的单位是______,简称______,符号是______.
(2)电压的单位中,比“伏”大的单位还有______,比伏小的单位还有______、______.
(3)换算关系:1kV=______V;1V=______mV.

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科目:初中物理 来源:教科版九年级上册《第4章 探究电流》2013年同步练习卷B(三)(解析版) 题型:填空题

电压的单位:
(1)在国际单位制中,电压的单位是    ,简称    ,符号是   
(2)电压的单位中,比“伏”大的单位还有    ,比伏小的单位还有       
(3)换算关系:1kV=    V;1V=    mV.

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科目:初中物理 来源: 题型:

在物理学中,用磁感应强度(用字母B表示,国际单位:特斯拉,符号是T)表示磁场的强弱。磁感应强度B越大,磁场越强。

⑴ 用某种材料制做的磁敏电阻,其阻值R随磁感应强度B变化的图像如图13甲所示。由图像可知磁敏电阻的阻值随磁感应强度B的增大而    ,曲线没有过坐标原点,是因为            

⑵ 利用该磁敏电阻的RB特性曲线,可测量图13乙磁场中各处的磁感应强度。

① 将该磁敏电阻R放置在磁场中的1处,利用图13丙所示的实验电路,改变滑动变阻器的阻值得到3组电压及电流的实验数据,如表格所示。则该磁敏电阻的测量值是   Ω,位置1处的磁感应强度为   T。

② 实验中,仅将磁敏电阻从位置1处移至2处,其它条件不变,那么电流表的示数将会变     ,电压表的示数将会变    

1

2

3

U/V

1.50

3.00

4.50

I/mA

3.00

6.00

9.00

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科目:初中物理 来源: 题型:022

在国际单位制中,导体电阻的单位是________,它是这样规定的:如果导体两端的电压是1伏特,通过它的电流是1安培,则此导体的电阻是________

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科目:初中物理 来源: 题型:

(1)如果你家里买回电冰箱,在选用插座时,应选用如图1中的
三孔
三孔
插座.
(2)光敏电阻的电阻值能随着光照强度的变化而改变.物理学上用“光强”来表示光的强弱.光照越强,光强越大.光强用符号E表示,在国际上用cd作单位.小明在实验中测得光敏电阻的阻值随光强E的变化图象见图2.据此回答:
①光敏电阻所用的材料应为
半导体
半导体
(“半导体”、“超导体”或“绝缘体”)做成的.
②从图中可知,光强越强,这种光敏电阻的阻值
减小
减小
(“增大”、“减少”或“不变”).
③制作光敏电阻的材料在生产上、生活中得到广泛的应用,请你举一个例子:
电视机
电视机

(3)如图3所示,是小明在进行伏安法测小灯泡的电阻时,根据实验数据描出的图象.用来做实验的灯泡的额定电压是2.5V.分析图象,小明发现灯泡两端的电压与流过灯泡的电流并不成正比,原因是
灯丝电阻受温度的影响
灯丝电阻受温度的影响
.从图中发现,灯泡灯丝的电阻变化特点是
温度越高,电阻越大
温度越高,电阻越大

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科目:初中物理 来源: 题型:

在物理学中,用磁感应强度(用字母B表示,国际单位:特斯拉,符号是T)表示磁场的强弱.磁感应强度B越大,磁场越强.

(1)用某种材料制做的磁敏电阻,其阻值R随磁感应强度B变化的图象如图甲所示.由图象可知磁敏电阻的阻值随磁感应强度B的增大而
增大
增大
,曲线没有过坐标原点,是因为
放入磁场前,磁敏电阻不为零
放入磁场前,磁敏电阻不为零

(2)利用该磁敏电阻的R-B特性曲线,可测量图乙磁场中各处的磁感应强度.
1 2 3
U/V 1.50 3.00 4.50
I/mA 3.00 6.00 9.00
①将该磁敏电阻R放置在磁场中的1处,利用图丙所示的实验电路,改变滑动变阻器的阻值得到3组电压及电流的实验数据,如上表所示.则该磁敏电阻的测量值是
500
500
Ω,位置1处的磁感应强度为
1.0
1.0
T
②实验中,仅将磁敏电阻从位置1处移至2处,其它条件不变,那么电流表的示数将会变
,电压表的示数将会变

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